SIC
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트랜지스터 (3903)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
IXFH16N60P3 IXYS IXFH16N60P3 -
RFQ
 ECAD 4009 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH16 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ixfh16n60p3 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 16A (TC) 10V 470mohm @ 500ma, 10V 5V @ 1.5MA 36 nc @ 10 v ± 30V 1830 pf @ 25 v - 347W (TC)
MWI25-12A7T IXYS MWI25-12A7T -
RFQ
 ECAD 4466 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E2 MWI25 225 w 기준 E2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 3 단계 인버터 NPT 1200 v 50 a 2.7V @ 15V, 25A 2 MA 예 1.65 NF @ 25 v
IXGH50N90B2 IXYS IXGH50N90B2 7.3082
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH50 기준 400 W. TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 720v, 50a, 5ohm, 15v Pt 900 v 75 a 200a 2.7V @ 15V, 50A 4.7mj (OFF) 135 NC 20ns/350ns
IXGP20N120B3 IXYS IXGP20N120B3 6.7900
RFQ
 ECAD 9642 0.00000000 ixys genx3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXGP20 기준 180 w TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 600V, 16A, 15ohm, 15V Pt 1200 v 36 a 80 a 3.1V @ 15V, 16A 920µJ (on), 560µJ (OFF) 51 NC 16ns/150ns
IXBX75N170 IXYS IXBX75N170 65.0100
RFQ
 ECAD 1928 0.00000000 ixys Bimosfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXBX75 기준 1040 w Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - 1.5 µs - 1700 v 200a 580 a 3.1V @ 15V, 75A - 350 NC -
MUBW50-06A7 IXYS mubw50-06a7 -
RFQ
 ECAD 7498 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E2 mubw50 250 W. 3 정류기 정류기 브리지 E2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 브레이크가있는 3 인버터 단계 NPT 600 v 75 a 2.4V @ 15V, 50A 800 µA 예 2.8 NF @ 25 v
IXKP10N60C5M IXYS ixkp10n60c5m -
RFQ
 ECAD 5243 0.00000000 ixys Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IXKP10 MOSFET (금속 (() TO-220ABFP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 5.4A (TC) 10V 385mohm @ 5.2a, 10V 3.5V @ 340µA 22 nc @ 10 v ± 20V 790 pf @ 100 v - -
IXGH38N60U1 IXYS IXGH38N60U1 -
RFQ
 ECAD 7446 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH38 기준 200 w TO-247AD - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - - 600 v 76 a 1.8V @ 15V, 38A - -
IXFT10N100 IXYS IXFT10N100 -
RFQ
 ECAD 7596 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT10 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 10A (TC) 10V 1.2ohm @ 5a, 10V 4.5V @ 4mA 155 NC @ 10 v ± 20V 4000 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXFL82N60P IXYS ixfl82n60p 34.2800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFL82 MOSFET (금속 (() ISOPLUS264 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 55A (TC) 10V 78mohm @ 41a, 10V 5V @ 8MA 240 NC @ 10 v ± 30V 23000 pf @ 25 v - 625W (TC)
IXTA150N15X4 IXYS IXTA150N15X4 13.7900
RFQ
 ECAD 214 0.00000000 ixys x4 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA150 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 150A (TC) 10V 6.9mohm @ 75a, 10V 4.5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 25 v - 480W (TC)
IXTP32N20T IXYS IXTP32N20T -
RFQ
 ECAD 7247 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP32 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 32A (TC) 10V 72mohm @ 16a, 10V 4.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1760 pf @ 25 v - 200W (TC)
IXGH50N60C4 IXYS IXGH50N60C4 -
RFQ
 ECAD 9524 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH50 기준 300 w TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 36a, 10ohm, 15V Pt 600 v 90 a 220 a 2.3V @ 15V, 36A 950µJ (on), 840µJ (OFF) 113 NC 40ns/270ns
IXGH16N60B2D1 IXYS IXGH16N60B2D1 -
RFQ
 ECAD 1977 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH16 기준 150 W. TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 12a, 22ohm, 15V 30 ns Pt 600 v 40 a 100 a 1.95V @ 15V, 12A 160µJ (on), 120µJ (OFF) 24 NC 18ns/73ns
IXFN110N85X IXYS IXFN110N85X 65.6500
RFQ
 ECAD 3170 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra x 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN110 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 850 v 110A (TC) 10V 33mohm @ 55a, 10V 5.5V @ 8mA 425 NC @ 10 v ± 30V 17000 pf @ 25 v - 1170W (TC)
IXGA12N120A3 IXYS IXGA12N120A3 4.2728
RFQ
 ECAD 8148 0.00000000 ixys genx3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXGA12 기준 100 W. TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 - Pt 1200 v 22 a 60 a 3V @ 15V, 12a - 20.4 NC -
IXFA110N15T2 IXYS IXFA110N15T2 5.8040
RFQ
 ECAD 6689 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA110 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFA110N15T2 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 110A (TC) 10V 13mohm @ 55a, 10V 4.5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 8600 pf @ 25 v - 480W (TC)
IXFV12N90P IXYS IXFV12N90p -
RFQ
 ECAD 7513 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polarp2 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3,-탭 IXFV12 MOSFET (금속 (() Plus220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 12A (TC) 10V 900mohm @ 6a, 10V 6.5V @ 1mA 56 NC @ 10 v ± 30V 3080 pf @ 25 v - 380W (TC)
IXFH9N80Q IXYS IXFH9N80Q -
RFQ
 ECAD 1879 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH9 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 800 v 9A (TC) 10V 1.1ohm @ 500ma, 10V 5V @ 2.5MA 56 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 180W (TC)
IXFP7N60P3 IXYS IXFP7N60P3 -
RFQ
 ECAD 6869 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP7N60 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 1.15ohm @ 500ma, 10V 5V @ 1MA 13.3 NC @ 10 v ± 30V 705 pf @ 25 v - 180W (TC)
IXFT9N80Q IXYS IXFT9N80Q -
RFQ
 ECAD 9627 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q 클래스 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT9N80 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 9A (TC) 10V 1.1ohm @ 500ma, 10V 5V @ 2.5MA 56 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 180W (TC)
IXTQ3N150M IXYS IXTQ3N150M 7.6917
RFQ
 ECAD 7028 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 IXTQ3 MOSFET (금속 (() to-3pfp - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTQ3N150M 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1500 v 1.83A (TC) 10V 7.3ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 38.6 NC @ 10 v ± 30V 1375 pf @ 25 v - 73W (TC)
IXFM15N60 IXYS IXFM15N60 -
RFQ
 ECAD 4032 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AE IXFM15 MOSFET (금속 (() TO-204AE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 500mohm @ 7.5a, 10V 4.5V @ 4mA 170 nc @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXTK550N055T2 IXYS IXTK550N055T2 21.2616
RFQ
 ECAD 9310 0.00000000 ixys Trencht2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXTK550 MOSFET (금속 (() TO-264 (IXTK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 55 v 550A (TC) 10V 1.6MOHM @ 100A, 10V 4V @ 250µA 595 NC @ 10 v ± 20V 40000 pf @ 25 v - 1250W (TC)
IXTA26P10T IXYS IXTA26P10T 3.1814
RFQ
 ECAD 3031 0.00000000 ixys Trenchp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA26 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 26A (TC) 10V 90mohm @ 13a, 10V 4.5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 15V 3820 pf @ 25 v - 150W (TC)
IXTP32P05T IXYS IXTP32P05T 2.7700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ixys Trenchp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP32 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 50 v 32A (TC) 10V 39mohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 15V 1975 pf @ 25 v - 83W (TC)
IXTZ550N055T2 IXYS IXTZ550N055T2 39.1800
RFQ
 ECAD 6931 0.00000000 ixys Trencht2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 IXTZ550 MOSFET (금속 (() DE475 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 55 v 550A (TC) 10V 1MOHM @ 100A, 10V 4V @ 250µA 595 NC @ 10 v ± 20V 40000 pf @ 25 v - 600W (TC)
IXTT90P10P IXYS IXTT90P10P 13.1300
RFQ
 ECAD 547 0.00000000 ixys Polarp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT90 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 100 v 90A (TC) 10V 25mohm @ 45a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 5800 pf @ 25 v - 462W (TC)
IXTQ42N25P IXYS IXTQ42N25P 5.6000
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ42 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 250 v 42A (TC) 10V 84mohm @ 500ma, 10V 5.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXTR30N25 IXYS IXTR30N25 -
RFQ
 ECAD 7557 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTR30 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 250 v 25A (TC) 10V 75mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 136 NC @ 10 v ± 20V 3950 pf @ 25 v - 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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