SIC
close

트랜지스터 (3903)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온)
IXFN70N120SK IXYS IXFN70N120SK 132.0700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN70 sicfet ((카바이드) SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 1200 v 68A (TC) 20V 34mohm @ 50a, 20V 4V @ 15mA 161 NC @ 20 v +20V, -5V 2790 pf @ 1000 v - -
IXFH18N60X IXYS IXFH18N60X 7.6541
RFQ
 ECAD 6646 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra x 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH18 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 230mohm @ 9a, 10V 4.5V @ 1.5MA 35 NC @ 10 v ± 30V 1440 pf @ 25 v - 320W (TC)
IXFN340N06 IXYS IXFN340N06 36.6980
RFQ
 ECAD 3313 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN340 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 60 v 340A (TC) 10V 3MOHM @ 100A, 10V 4V @ 8MA 600 NC @ 10 v ± 20V 16800 pf @ 25 v - 700W (TC)
IXGH50N60C4 IXYS IXGH50N60C4 -
RFQ
 ECAD 9524 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH50 기준 300 w TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 36a, 10ohm, 15V Pt 600 v 90 a 220 a 2.3V @ 15V, 36A 950µJ (on), 840µJ (OFF) 113 NC 40ns/270ns
IXGA12N120A3 IXYS IXGA12N120A3 4.2728
RFQ
 ECAD 8148 0.00000000 ixys genx3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXGA12 기준 100 W. TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 - Pt 1200 v 22 a 60 a 3V @ 15V, 12a - 20.4 NC -
IXFV12N90P IXYS IXFV12N90p -
RFQ
 ECAD 7513 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polarp2 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3,-탭 IXFV12 MOSFET (금속 (() Plus220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 12A (TC) 10V 900mohm @ 6a, 10V 6.5V @ 1mA 56 NC @ 10 v ± 30V 3080 pf @ 25 v - 380W (TC)
IXTA100N04T2 IXYS IXTA100N04T2 2.5796
RFQ
 ECAD 2967 0.00000000 ixys Trencht2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA100 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 7mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 25.5 nc @ 10 v ± 20V 2690 pf @ 25 v - 150W (TC)
FDM100-0045SP IXYS FDM100-0045SP -
RFQ
 ECAD 4351 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -5 FDM100 MOSFET (금속 (() Isoplus i4-Pac ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 48 n 채널 55 v 100A (TC) 10V 7.2MOHM @ 80A, 10V 4V @ 1MA 100 nc @ 10 v ± 20V - -
IXFA110N15T2 IXYS IXFA110N15T2 5.8040
RFQ
 ECAD 6689 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA110 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFA110N15T2 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 110A (TC) 10V 13mohm @ 55a, 10V 4.5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 8600 pf @ 25 v - 480W (TC)
IXTA26P20P-TRL IXYS ixta26p20p-trl 6.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys 극선 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA26 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 238-IXTA26P20P-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 200 v 26A (TC) 10V 170mohm @ 13a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 2740 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXFN210N20P IXYS ixfn210n20p 48.2300
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN210 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 200 v 188A (TC) 10V 10.5mohm @ 105a, 10V 4.5V @ 8mA 255 NC @ 10 v ± 20V 18600 pf @ 25 v - 1070W (TC)
IXGH50N90B2 IXYS IXGH50N90B2 7.3082
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 ixys Hiperfast ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXGH50 기준 400 W. TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 720v, 50a, 5ohm, 15v Pt 900 v 75 a 200a 2.7V @ 15V, 50A 4.7mj (OFF) 135 NC 20ns/350ns
IXSH40N60B IXYS IXSH40N60B -
RFQ
 ECAD 5406 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXSH40 기준 280 W. TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 480V, 40A, 2.7OHM, 15V Pt 600 v 75 a 150 a 2.2V @ 15V, 40A 1.8mj (OFF) 190 NC 50ns/110ns
IXFM15N60 IXYS IXFM15N60 -
RFQ
 ECAD 4032 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AE IXFM15 MOSFET (금속 (() TO-204AE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 500mohm @ 7.5a, 10V 4.5V @ 4mA 170 nc @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXTA2R4N120P-TRL IXYS ixta2r4n120p-trl 4.5555
RFQ
 ECAD 9835 0.00000000 ixys 극선 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA2 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA2R4N120P-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 1200 v 2.4A (TC) 10V 7.5ohm @ 1.2a, 10V 4.5V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 30V 1207 pf @ 25 v - 125W (TC)
IXFR120N20 IXYS IXFR120N20 17.4437
RFQ
 ECAD 9374 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFR120 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 IXFR120N20-NDR 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 105A (TC) 10V 17mohm @ 60a, 10V 4V @ 8MA 360 NC @ 10 v ± 20V 9100 pf @ 25 v - 417W (TC)
IXFH80N10 IXYS IXFH80N10 -
RFQ
 ECAD 5278 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH80 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 100 v 80A (TC) 10V 12.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 4MA 180 NC @ 10 v ± 20V 4800 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXFQ72N20X3 IXYS IXFQ72N20X3 9.6000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXFQ72 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 72A (TC) 10V 20mohm @ 36a, 10V 4.5V @ 1.5MA 55 NC @ 10 v ± 20V 3780 pf @ 25 v - 320W (TC)
IXFC80N10 IXYS IXFC80N10 -
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 ISOPLUS220 ™ IXFC80N10 MOSFET (금속 (() ISOPLUS220 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 80A (TC) 10V 12.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 4MA 180 NC @ 10 v ± 20V 4800 pf @ 25 v - 230W (TC)
IXFX20N80Q IXYS IXFX20N80Q -
RFQ
 ECAD 6195 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXFX20 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 800 v 20A (TC) 10V 420mohm @ 10a, 10V 4.5V @ 4mA 200 nc @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 25 v - 360W (TC)
IXFH26N50Q IXYS IXFH26N50Q -
RFQ
 ECAD 7832 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH26 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 26A (TC) 10V 200mohm @ 13a, 10V 4.5V @ 4mA 95 NC @ 10 v ± 20V 3900 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXTP1R6N50P IXYS ixtp1r6n50p -
RFQ
 ECAD 1984 0.00000000 ixys 극선 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP1 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 1.6A (TC) 10V 6.5ohm @ 500ma, 10V 5.5V @ 25µA 3.9 NC @ 10 v ± 30V 140 pf @ 25 v - 43W (TC)
IXFQ26N50P3 IXYS IXFQ26N50P3 5.1826
RFQ
 ECAD 5328 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXFQ26 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 26A (TC) 10V 230mohm @ 13a, 10V 5V @ 4MA 42 NC @ 10 v ± 30V 2220 pf @ 25 v - 500W (TC)
IXFN40N110P IXYS ixfn40n110p -
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN40 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 1100 v 34A (TC) 10V 260mohm @ 20a, 10V 6.5V @ 1mA 310 nc @ 10 v ± 30V 19000 pf @ 25 v - 890W (TC)
IXFB82N60Q3 IXYS IXFB82N60Q3 43.4700
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q3 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFB82 MOSFET (금속 (() Plus264 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 82A (TC) 10V 75mohm @ 41a, 10V 6.5V @ 8mA 275 NC @ 10 v ± 30V 13500 pf @ 25 v - 1560W (TC)
IXGQ150N30TCD1 IXYS IXGQ150N30TCD1 -
RFQ
 ECAD 3666 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXGQ150 기준 to-3p - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 - - 300 v 150 a - - -
IXTD5N100A IXYS IXTD5N100A -
RFQ
 ECAD 1750 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 - 표면 표면 주사위 IXTD5 MOSFET (금속 (() 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 5A (TC) - - - -
IXTT50P10 IXYS IXTT50P10 10.0070
RFQ
 ECAD 1165 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT50 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 100 v 50A (TC) 10V 55mohm @ 25a, 10V 5V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 4350 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXTH32P20T IXYS IXTH32P20T 7.9731
RFQ
 ECAD 5016 0.00000000 ixys Trenchp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 ixth32 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 200 v 32A (TC) 10V 130mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 185 NC @ 10 v ± 15V 14500 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXTP110N12T2 IXYS IXTP110N12T2 -
RFQ
 ECAD 5753 0.00000000 ixys Trencht2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP110 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 120 v 110A (TC) 10V 14mohm @ 55a, 10V 4.5V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 6570 pf @ 25 v - 517W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다