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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) |
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![]() | IRFS7530-7PPBF | - | ![]() | 5750 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 60 v | 240A (TC) | 1.4mohm @ 100a, 10V | 3.7V @ 250µA | 354 NC @ 10 v | ± 20V | 12960 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRF7739L2TRPBF | 1.0000 | ![]() | 7657 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | MOSFET (금속 (() | DirectFet L8 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 246 | n 채널 | 40 v | 46A (TA), 375A (TC) | 10V | 1MOHM @ 160A, 10V | 4V @ 250µA | 330 nc @ 10 v | ± 20V | 11880 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IRGS4045DTRLPBF | 1.0400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 77 w | d²pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 6A, 47ohm, 15V | 74 ns | - | 600 v | 12 a | 18 a | 2V @ 15V, 6A | 56µJ (on), 122µJ (OFF) | 19.5 NC | 27ns/75ns | |||||||||||||||
![]() | AUIRFR3504 | 1.0600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 56A (TC) | 10V | 9.2MOHM @ 30A, 10V | 4V @ 250µA | 71 NC @ 10 v | ± 20V | 2150 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||
![]() | irgr3b60kd2trlp | - | ![]() | 6439 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRGR3B60 | 기준 | 52 W. | D-PAK | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 400V, 3A, 100ohm, 15V | 77 ns | NPT | 600 v | 7.8 a | 15.6 a | 2.4V @ 15V, 3A | 62µJ (on), 39µJ (OFF) | 13 NC | 18ns/110ns | ||||||||||||||
![]() | auirf7303qtr | - | ![]() | 2577 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AUIRF7103 | MOSFET (금속 (() | 2.4W | 도 8- | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 5.3A | 50mohm @ 2.7a, 10V | 3V @ 100µa | 21NC @ 10V | 515pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||
![]() | auirfr8401trl | - | ![]() | 6221 | 0.00000000 | 국제 국제 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 4.25mohm @ 60a, 10V | 3.9V @ 50µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 2200 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRGSL4B60KD1PBF | 0.9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | 기준 | 63 W. | TO-262 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 4A, 100ohm, 15V | 93 ns | NPT | 600 v | 11 a | 22 a | 2.5V @ 15V, 4A | 73µJ (on), 47µJ (OFF) | 12 NC | 22ns/100ns | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRFS3107-7p | 1.0000 | ![]() | 6024 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 75 v | 240A (TC) | 10V | 2.6mohm @ 160a, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 9200 pf @ 50 v | - | 370W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRFBA1405 | - | ![]() | 2709 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-273AA | MOSFET (금속 (() | Super-220 ™ (TO-273AA) | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 163 | n 채널 | 55 v | 95A (TC) | 10V | 5MOHM @ 101A, 10V | 4V @ 250µA | 260 NC @ 10 v | ± 20V | 5480 pf @ 25 v | - | 330W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRF6775MTRPBF | 1.2100 | ![]() | 597 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Mz | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ Mz | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 249 | n 채널 | 150 v | 4.9A (TA), 28A (TC) | 10V | 56MOHM @ 5.6A, 10V | 5V @ 100µa | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 1411 pf @ 25 v | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRG4PC40FDPBF | 1.0000 | ![]() | 8316 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 160 W. | TO-247AC | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 480v, 27a, 10ohm, 15v | 42 ns | - | 600 v | 49 a | 196 a | 1.7V @ 15V, 27A | 950µJ (on), 2.01mj (OFF) | 100 NC | 63ns/230ns | ||||||||||||||||||
![]() | auirfu8403 | 0.9600 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 3.1mohm @ 76a, 10V | 3.9V @ 100µA | 99 NC @ 10 v | ± 20V | 3171 pf @ 25 v | - | 99W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRGP4062D | 5.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | AUIRGP4062 | 기준 | 250 W. | TO-247AC | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 56 | 400V, 24A, 10ohm, 15V | 89 ns | - | 600 v | 48 a | 72 a | 1.95V @ 15V, 24A | 115µJ (on), 600µJ (OFF) | 50 NC | 41NS/104NS | |||||||||||||||||
![]() | IRG8P75N65UD1-EPBF | 3.8000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF40DM229 | 1.2100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 국제 국제 | Strongirfet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MF | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ ™ 메트릭 MF | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 159a (TC) | 6V, 10V | 1.85mohm @ 97a, 10V | 3.9V @ 100µA | 161 NC @ 10 v | ± 20V | 5317 pf @ 25 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRF7759L2TRPBF | - | ![]() | 4791 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | - | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 75 v | 26A (TA), 375A (TC) | 10V | 2.3mohm @ 96a, 10V | 4V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 12222 pf @ 25 v | - | 3.3W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRFP4409 | 3.1200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 300 v | 38A (TC) | 10V | 69mohm @ 24a, 10V | 5V @ 250µA | 125 nc @ 10 v | ± 20V | 5168 pf @ 50 v | - | 341W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | auirlr3410tr | 1.1100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | auirlr3410 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 17A (TC) | 4V, 10V | 10A @ 10A, 10V | 2V @ 250µA | 34 NC @ 5 v | ± 16V | 800 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | IRLR024NPBF | 1.0000 | ![]() | 1089 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 55 v | 17A (TC) | 4V, 10V | 65mohm @ 10a, 10V | 2V @ 250µA | 15 nc @ 5 v | ± 16V | 480 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRLR3636PBF | - | ![]() | 4351 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6.8mohm @ 50a, 10V | 2.5V @ 100µa | 49 NC @ 4.5 v | ± 16V | 3779 pf @ 50 v | - | 143W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | irgr2b60kdtrrpbf | - | ![]() | 7153 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 기준 | 35 W. | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 2A, 100ohm, 15V | 68 ns | NPT | 600 v | 6.3 a | 8 a | 2.25V @ 15V, 2A | 74µJ (on), 39µJ (OFF) | 12 NC | 11ns/150ns | ||||||||||||||||||
![]() | IRL3803VPBF | 1.0000 | ![]() | 5678 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 140A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 71a, 10V | 1V @ 250µA | 76 NC @ 4.5 v | ± 16V | 3720 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRF1404S | 3.3600 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 10V | 4mohm @ 95a, 10V | 4V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 7360 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | auirfr3504z | 0.8200 | ![]() | 7953 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 42A (TC) | 10V | 9MOHM @ 42A, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1510 pf @ 25 v | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | auirlr3705ztr | - | ![]() | 4648 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 153 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 8mohm @ 42a, 10V | 3V @ 250µA | 66 NC @ 5 v | 2900 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRF200S234 | - | ![]() | 5507 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 200 v | 90A | 10V | 16.9mohm @ 51a, 10V | 5V @ 250µA | 162 NC @ 10 v | ± 20V | 6484 pf @ 50 v | - | 417W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | auirfsl8405 | - | ![]() | 6271 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 2.3mohm @ 100a, 10V | 3.9V @ 100µA | 161 NC @ 10 v | ± 20V | 5193 pf @ 25 v | - | 163W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | irl7472l1trpbf | 1.0000 | ![]() | 8378 | 0.00000000 | 국제 국제 | Strongirfet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | - | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 375A (TC) | 4.5V, 10V | 0.59mohm @ 195a, 10V | 2.5V @ 250µA | 330 NC @ 4.5 v | ± 20V | 20082 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 341W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | irfr120ntrrpbf | - | ![]() | 9869 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 145 | n 채널 | 100 v | 9.4A (TC) | 10V | 210mohm @ 5.6a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 330 pf @ 25 v | - | 48W (TC) |
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