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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) |
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![]() | auirfu8401 | 0.6100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 4.25mohm @ 60a, 10V | 3.9V @ 500µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 2200 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRLR8721TRPBF-IR | - | ![]() | 2961 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 2,000 | n 채널 | 30 v | 65A (TJ) | 4.5V, 10V | 8.4mohm @ 25a, 10V | 2.35V @ 25µA | 13 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1030 pf @ 15 v | - | 65W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IRFS59N10DPBF | - | ![]() | 9071 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 59A (TC) | 10V | 25mohm @ 35.4a, 10V | 5.5V @ 250µA | 114 NC @ 10 v | ± 30V | 2450 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IRLZ24NSPBF | 1.0000 | ![]() | 8288 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 55 v | 18A (TC) | 4V, 10V | 60mohm @ 11a, 10V | 2V @ 250µA | 15 nc @ 5 v | ± 16V | 480 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||
![]() | AUIRGB4062D1 | - | ![]() | 8090 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | auirgb4 | 기준 | 246 w | TO-220AB | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 24A, 10ohm, 15V | 102 ns | 도랑 | 600 v | 59 a | 72 a | 1.77V @ 15V, 24A | 532µJ (on), 311µJ (OFF) | 77 NC | 19ns/90ns | ||||||||||||||
![]() | IRL3803SPBF | 1.5700 | ![]() | 231 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 30 v | 140A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 71A, 10V | 1V @ 250µA | 140 nc @ 4.5 v | ± 16V | 5000 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||
![]() | irlu7843pbf | 0.8100 | ![]() | 5775 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 161A (TC) | 3.3mohm @ 15a, 10V | 2.3V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 20V | 4380 pf @ 15 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRF2907ZPBF | 2.4200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 국제 국제 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 124 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfu8403-701trl | 0.9700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 국제 국제 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-901 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 3.1mohm @ 76a, 10V | 3.9V @ 100µA | 99 NC @ 10 v | ± 20V | 3171 pf @ 25 v | - | 99W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IRF432 | 1.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (금속 (() | TO-204AA (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 500 v | 4a | - | - | - | - | - | 75W | |||||||||||||||||
![]() | auirfz44vz | - | ![]() | 2296 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 60 v | 57A (TC) | 10V | 12MOHM @ 34A, 10V | 4V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 1690 pf @ 25 v | - | 92W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRF7736M2TR | - | ![]() | 6357 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 M4 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ ™ 메트릭 M4 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 22A (TA), 108A (TC) | 10V | 3MOHM @ 65A, 10V | 4V @ 150µA | 108 NC @ 10 v | ± 20V | 4267 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | irg7pg42ud-epbf | 6.0500 | ![]() | 600 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 320 w | TO-247AD | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 30A, 10ohm, 15V | 153 ns | 도랑 | 1000 v | 85 a | 90 a | 2V @ 15V, 30A | 2.105mj (on), 1.182mj (OFF) | 157 NC | 25ns/229ns | |||||||||||||||
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![]() | IRF234 | 1.0100 | ![]() | 789 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (금속 (() | TO-204AA (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 250 v | 8.4a | - | - | - | - | - | 74W | |||||||||||||||||
![]() | auirfr5305trl | 1.0000 | ![]() | 5245 | 0.00000000 | 국제 국제 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 55 v | 31A (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRFS3006PBF | - | ![]() | 1153 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 60 v | 195a (TC) | 10V | 2.5mohm @ 170a, 10V | 4V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 8970 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IRFS3006TRL7PP | 1.0000 | ![]() | 4778 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 60 v | 240A (TC) | 10V | 2.1mohm @ 168a, 10V | 4V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 8850 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRLS3036PBF | - | ![]() | 4499 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 48 | n 채널 | 60 v | 195a (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 165a, 10V | 2.5V @ 250µA | 140 nc @ 4.5 v | ± 16V | 11210 pf @ 50 v | - | 380W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | irlh7134trpbf | - | ![]() | 4707 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-10 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 26A (TA), 50A (TC) | 3.3mohm @ 50a, 10V | 2.5V @ 100µa | 58 NC @ 4.5 v | ± 16V | 3720 pf @ 25 v | - | 3.6W (TA), 104W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | AUIRFS8407 | - | ![]() | 2797 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 1.8mohm @ 100a, 10V | 4V @ 150µA | 225 NC @ 10 v | ± 20V | 7330 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | auirfs3607trl | 2.0700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 75 v | 80A (TC) | 10V | 9mohm @ 46a, 10V | 4V @ 100µa | 84 NC @ 10 v | ± 20V | 3070 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | auirfr3607trl | - | ![]() | 9129 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AUIRFR3607 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 75 v | 56A (TC) | 9mohm @ 46a, 10V | 4V @ 100µa | 84 NC @ 10 v | 3070 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRGS4607DTRLPBF | 0.9300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 58 W. | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 4A, 100ohm, 15V | 48 ns | - | 600 v | 11 a | 12 a | 2.05V @ 15V, 4A | 140µJ (on), 62µJ (OFF) | 9 NC | 27ns/120ns | ||||||||||||||||||
![]() | IRFBA90N20DPBF | - | ![]() | 5308 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-273AA | MOSFET (금속 (() | Super-220 ™ (TO-273AA) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 200 v | 98A (TC) | 10V | 23mohm @ 59a, 10V | 5V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 30V | 6080 pf @ 25 v | - | 650W (TC) | |||||||||||||||
![]() | auirlr3105trl | - | ![]() | 8023 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 25A (TC) | 37mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 5 v | 710 pf @ 25 v | - | 57W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | IRFS3006TRLPBF | - | ![]() | 9240 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 60 v | 195a (TC) | 10V | 2.5mohm @ 170a, 10V | 4V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 8970 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRFR3704ZPBF | - | ![]() | 7778 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 20 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 8.4mohm @ 15a, 10V | 2.55V @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1190 pf @ 10 v | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRF7484QTR | - | ![]() | 5539 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 14A (TA) | 7V | 10mohm @ 14a, 7v | 2V @ 250µA | 100 nc @ 7 v | ± 8V | 3520 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||
![]() | IRFU3410PBF | - | ![]() | 9801 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 100 v | 31A (TC) | 10V | 39mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 1690 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 110W (TC) |
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