전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7413TRPBF-1 | - | ![]() | 2729 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,090 | n 채널 | 30 v | 13A (TA) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 7.3a, 10V | 3V @ 250µA | 79 NC @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | IRLR8256PBF | - | ![]() | 9841 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 648 | n 채널 | 25 v | 81A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 25a, 10V | 2.35V @ 25µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1470 pf @ 13 v | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRF7769L2TRPBF | 2.8600 | ![]() | 291 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | MOSFET (금속 (() | DirectFet L8 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 100 v | 375A (TC) | 10V | 3.5mohm @ 74a, 10V | 4V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 11560 pf @ 25 v | - | 3.3W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRFS3607pbf | - | ![]() | 3192 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 75 v | 80A (TC) | 10V | 9mohm @ 46a, 10V | 4V @ 100µa | 84 NC @ 10 v | ± 20V | 3070 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | auirfr4105z | - | ![]() | 3893 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 55 v | 20A (TC) | 10V | 24.5mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 740 pf @ 25 v | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | auirfr8405trl | 1.5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 1.98mohm @ 90a, 10V | 3.9V @ 100µA | 155 NC @ 10 v | ± 20V | 5171 pf @ 25 v | - | 163W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | auirfsl8409 | - | ![]() | 5126 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | to-262-3 2 리드 리드, i²pak | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 1.2MOHM @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 450 NC @ 10 v | ± 20V | 14240 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRF7307QTRPBF | - | ![]() | 1961 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF73 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 및 p 채널 | 20V | 5.2A, 4.3A | 50mohm @ 2.6a, 4.5v | 700MV @ 250µA | 20NC @ 4.5V | 660pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||
![]() | irlml2402gtrpbf | - | ![]() | 7259 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | Micro3 ™/SOT-23 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 20 v | 1.2A (TA) | 2.7V, 4.5V | 250mohm @ 930ma, 4.5v | 700mv @ 250µa (최소) | 3.9 NC @ 4.5 v | ± 12V | 110 pf @ 15 v | - | 540MW (TA) | |||||||||||||||||||
![]() | auirgp4062d-e | 6.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | AUIRGP4062 | 기준 | 250 W. | PG-to247AD | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 24A, 10ohm, 15V | 89 ns | - | 600 v | 48 a | 72 a | 1.95V @ 15V, 24A | 115µJ (on), 600µJ (OFF) | 50 NC | 41NS/104NS | |||||||||||||||||
![]() | auirfs4115trl | - | ![]() | 2993 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 12 | n 채널 | 150 v | 99A (TC) | 10V | 12.1MOHM @ 62A, 10V | 5V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 5270 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IRGPS4067DPBF | - | ![]() | 3738 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-274AA | 기준 | 750 w | Super-247 ™ (TO-274AA) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 34 | 400V, 120A, 4.7ohm, 15V | 130 ns | 도랑 | 600 v | 240 a | 360 a | 2.05V @ 15V, 120A | 5.75mj (on), 3.43mj (OFF) | 240 NC | 80ns/190ns | ||||||||||||||||||
![]() | IRF8313TRPBF | - | ![]() | 9989 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF8313 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 9.7a | 15.5mohm @ 9.7a, 10V | 2.35V @ 25µA | 9NC @ 4.5V | 760pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||
![]() | irg4psh71kdpbf | 9.7800 | ![]() | 340 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-274AA | 기준 | 350 w | Super-247 ™ (TO-274AA) | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 800V, 42A, 5ohm, 15V | 107 ns | - | 1200 v | 78 a | 156 a | 3.9V @ 15V, 42A | 5.68mj (on), 3.23mj (OFF) | 410 NC | 67NS/230NS | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRF2804 | - | ![]() | 5565 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 2.3mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 6450 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | auirfs8407trl | - | ![]() | 1946 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 1.8mohm @ 100a, 10V | 4V @ 150µA | 225 NC @ 10 v | ± 20V | 7330 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | auirl3705ZL | 1.1700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 8mohm @ 52a, 10V | 3V @ 250µA | 60 nc @ 5 v | 2880 pf @ 25 v | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | Irg8p75n65ud1pbf | 3.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR13N15DPBF | 1.0000 | ![]() | 6627 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 150 v | 14A (TC) | 10V | 180mohm @ 8.3a, 10V | 5.5V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 30V | 620 pf @ 25 v | - | 86W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRGP4690DPBF | 6.0400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 454 w | TO-247AC | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 75A, 10ohm, 15V | 155 ns | - | 600 v | 140 a | 225 a | 2.1V @ 15V, 75A | 2.47mj (on), 2.16mj (OFF) | 150 NC | 50ns/200ns | ||||||||||||||||||
![]() | IRGP4790D-EPBF | 1.0000 | ![]() | 6141 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 455 W. | TO-247AD | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 75A, 10ohm, 15V | 170 ns | - | 650 v | 140 a | 225 a | 2V @ 15V, 75A | 2.5mj (on), 2.2mj (OFF) | 210 NC | 50ns/200ns | ||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC20SPBF | - | ![]() | 4469 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 기준 | 60 W. | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 480V, 10A, 50ohm, 15V | - | 600 v | 19 a | 38 a | 1.6V @ 15V, 10A | 120µJ (on), 2.05mj (OFF) | 27 NC | 27ns/540ns | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRFS3806 | 0.8600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 60 v | 43A (TC) | 10V | 15.8mohm @ 25a, 10V | 4V @ 50µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1150 pf @ 50 v | - | 71W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRLR2908 | - | ![]() | 4486 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 80 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 23a, 10V | 2.5V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 v | ± 16V | 1890 pf @ 25 v | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | auirfr8403trl | - | ![]() | 3242 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AUIRFR8403 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 3.1mohm @ 76a, 10V | 3.9V @ 100µA | 99 NC @ 10 v | ± 20V | 3171 pf @ 25 v | - | 99W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | AUIRF3205Z | 1.1700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 257 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 66a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 3450 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRF7207Q | - | ![]() | 2173 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 20 v | 5.4A (TA) | 2.7V, 4.5V | 60mohm @ 5.4a, 4.5v | 1.6V @ 250µA | 22 nc @ 4.5 v | ± 12V | 780 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | auirls4030trl | - | ![]() | 9910 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 110a, 10V | 2.5V @ 250µA | 130 NC @ 4.5 v | ± 16V | 11360 pf @ 50 v | - | 370W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRF6716MTRPBF | 1.4700 | ![]() | 86 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MX | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MX | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 205 | n 채널 | 25 v | 39A (TA), 180A (TC) | 4.5V, 10V | 1.6mohm @ 40a, 10V | 2.4V @ 100µa | 59 NC @ 4.5 v | ± 20V | 5150 pf @ 13 v | - | 3.6W (TA), 78W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRFS7540TRLPBF | 1.0000 | ![]() | 5138 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 212 | n 채널 | 60 v | 110A (TC) | 6V, 10V | 5.1mohm @ 65a, 10V | 3.7v @ 100µa | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 4555 pf @ 25 v | - | 160W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고