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트랜지스터 (1222)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)
auirf6218strl	-	RFQ	7020	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1		p 채널		150 v	27A (TC)	10V	150mohm @ 16a, 10V	5V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	2210 pf @ 25 v	-	250W (TC)
auirlu3114z	1.1500	RFQ	11	국제 국제	자동차, AEC-Q101, Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			MOSFET (금속 (()		PG-to251-3	다운로드					귀 99	8541.29.0095	261		n 채널		40 v	130A (TC)	4.5V, 10V	4.9mohm @ 42a, 10V	2.5V @ 100µa	56 NC @ 4.5 v	± 16V	3810 pf @ 25 v	-	140W (TC)
IRFI4212H-117p	1.0000	RFQ	8719	국제 국제	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-5 5 팩	IRFI4212		MOSFET (금속 (()	18W	TO-220-5 Full-Pak	다운로드						0000.00.0000	1	2 n 채널 (채널)			100V	11a		72.5mohm @ 6.6a, 10V	5V @ 250µA	18NC @ 10V		490pf @ 50V	-
IRGS4064DTRLPBF	-	RFQ	3807	국제 국제	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		기준		101 w	D2PAK	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1			400V, 10A, 22ohm, 15V											62 ns	도랑	600 v	20 a	40 a	1.91V @ 15V, 10A	29µJ (on), 200µJ (OFF)	32 NC	27ns/79ns
irfl024ntrpbf	-	RFQ	8798	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (금속 (()		SOT-223	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		n 채널		55 v	2.8A (TA)	10V	75mohm @ 2.8a, 10V	4V @ 250µA	18.3 NC @ 10 v	± 20V	400 pf @ 25 v	-	1W (TA)
IRFSL7730pbf	1.8400	RFQ	899	국제 국제	Hexfet®, StrongIrfet ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRFSL7730		MOSFET (금속 (()		TO-262	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		n 채널		75 v	195a (TC)	6V, 10V	2.6mohm @ 100a, 10V	3.7V @ 250µA	407 NC @ 10 v	± 20V	13660 pf @ 25 v	-	375W (TC)
irf6811strpbf	0.7000	RFQ	35	국제 국제	DirectFet®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq			MOSFET (금속 (()		DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	225		n 채널		25 v	19A (TA), 74A (TC)		3.7mohm @ 19a, 10V	2.1V @ 35µA	17 NC @ 4.5 v	± 16V	1590 pf @ 13 v	-	2.1W (TA), 32W (TC)
IRL3715ZPBF	-	RFQ	2997	국제 국제	Hexfet®	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	46		n 채널		20 v	50A (TC)	4.5V, 10V	11mohm @ 15a, 10V	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 v	± 20V	870 pf @ 10 v	-	45W (TC)
irfr1205trpbf	-	RFQ	7056	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		n 채널		55 v	44A (TC)	10V	27mohm @ 26a, 10V	4V @ 250µA	65 nc @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	107W (TC)
auirl1404strl	1.7900	RFQ	820	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1		n 채널		40 v	160A (TC)	4.3V, 10V	4mohm @ 95a, 10V	3V @ 250µA	140 nc @ 5 v	± 20V	6600 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 200W (TC)
IRLS3034-7PPBF	-	RFQ	5984	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB			MOSFET (금속 (()		D2PAK (7- 리드)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1		n 채널		40 v	240A (TC)	4.5V, 10V	1.4mohm @ 200a, 10V	2.5V @ 250µA	180 NC @ 4.5 v	± 20V	10990 pf @ 40 v	-	380W (TC)
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AUIRF2804STRL7P	-	RFQ	3280	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB			MOSFET (금속 (()		D2PAK (7- 리드)	다운로드					귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		40 v	240A (TC)	10V	1.6MOHM @ 160A, 10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 v	± 20V	6930 pf @ 25 v	-	330W (TC)
auirfsl6535	1.5600	RFQ	13	국제 국제	자동차, AEC-Q101, Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()		PG-to262-3-901	다운로드					귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		300 v	19A (TC)	10V	185mohm @ 11a, 10V	5V @ 150µA	57 NC @ 10 v	± 20V	2340 pf @ 25 v	-	210W (TC)
IRFU7546PBF	-	RFQ	3757	국제 국제	Hexfet®, StrongIrfet ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			MOSFET (금속 (()		IPAK (TO-251AA)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		n 채널		60 v	56A (TC)	6V, 10V	7.9mohm @ 43a, 10V	3.7v @ 100µa	87 NC @ 10 v	± 20V	3020 pf @ 25 v	-	99W (TC)
auirfr2905ztrl	-	RFQ	6366	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드					귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		55 v	42A (TC)	10V	14.5mohm @ 36a, 10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	1380 pf @ 25 v	-	110W (TC)
IRGP4690D-EPBF	5.4000	RFQ	609	국제 국제	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		기준		454 w	TO-247AD	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.29.0095	25			400V, 75A, 10ohm, 15V											155 ns	-	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V, 75A	2.47mj (on), 2.16mj (OFF)	150 NC	50ns/200ns
2N6755	1.0000	RFQ	8670	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3			MOSFET (금속 (()		TO-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		60 v	12a	10V	250mohm @ 8a, 10V	4V @ 1MA		± 20V	800 pf @ 25 v	-	75W (TC)
IRFR3411PBF	0.3200	RFQ	6205	국제 국제	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수			2156-IRFR3411PBF-IR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		100 v	32A (TC)		44mohm @ 16a, 10V	4V @ 250µA	71 NC @ 10 v	± 20V	1960 pf @ 25 v	-	130W (TC)
IRF3717TRPBF	-	RFQ	5381	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MOSFET (금속 (()		도 8-	-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1		n 채널		20 v	20A (TA)	4.5V, 10V	4.4mohm @ 20a, 10V	2.45V @ 250µA	33 NC @ 4.5 v	± 20V	2890 pf @ 10 v	-	2.5W (TA)
AUIRGP4066D1	-	RFQ	2564	국제 국제	자동차, AEC-Q101	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		기준		454 w	TO-247AC	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-auirgp4066d1-600047			1			400V, 75A, 10ohm, 15V											240 ns	도랑	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V, 75A	4.24mj (on), 2.17mj (OFF)	225 NC	50ns/200ns
irg7ph35udpbf	-	RFQ	2257	국제 국제	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		기준		180 w	TO-247AC	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-irg7ph35udpbf-600047			1			600V, 20A, 10ohm, 15V											105 ns	도랑	1200 v	50 a	60 a	2.2V @ 15V, 20A	1.06µJ (ON), 620µJ (OFF)	85 NC	30ns/160ns
IRGS4B60KD1PBF	-	RFQ	2030	국제 국제	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		기준		63 W.	D2PAK	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-IRGS4B60KD1PBF-600047			1			400V, 4A, 100ohm, 15V											93 ns	NPT	600 v	11 a	22 a	2.5V @ 15V, 4A	73µJ (on), 47µJ (OFF)	12 NC	22ns/100ns
IKFW60N60DH3EXKSA1	-	RFQ	2200	국제 국제	TrenchStop ™	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		기준		141 w	PG-to247-3-AI	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-IKFW60N60DH3EXKSA1-600047			1			400V, 50A, 7ohm, 15V											68 ns	트렌치 트렌치 정지	600 v	53 a	150 a	2.7V @ 15V, 50A	1.57mj (on), 720µJ (OFF)	210 NC	23ns/170ns
AIKQ100N60CTXKSA1	-	RFQ	7069	국제 국제	자동차, AEC-Q101, TrenchStop ™	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		기준		714 w	PG-to247-3	-				2156-AIKQ100N60CTXKSA1			1			400V, 100A, 3.6OHM, 15V											225 ns	도랑	600 v	160 a	400 a	2V @ 15V, 100A	3.1mj (on), 2.5mj (OFF)	610 NC	30ns/290ns
IRFZ46ZSTRLPBF	0.7100	RFQ	62	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFZ46		MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1		n 채널		55 v	51A (TC)	10V	13.6MOHM @ 31A, 10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 v	± 20V	1460 pf @ 25 v	-	82W (TC)
IRFS33N15DTRLP-IR	-	RFQ	2617	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()		PG-to263-3-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	800		n 채널		150 v	33A (TC)		56MOHM @ 20A, 10V	5.5V @ 250µA	90 NC @ 10 v	± 30V	2020 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 170W (TC)
IRLR7833PBF	0.5600	RFQ	4068	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드					귀 99	8542.39.0001	152		n 채널		30 v	140A (TC)	4.5V, 10V	4.5mohm @ 15a, 10V	2.3V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 20V	4010 pf @ 15 v	-	140W (TC)
IRGP6640DPBF	1.0000	RFQ	2239	국제 국제	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		기준		200 w	TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1			400V, 24A, 10ohm, 15V											70 ns	-	600 v	53 a	72 a	1.95V @ 15V, 24A	300µJ (on), 840µJ (OFF)	50 NC	40ns/100ns
64-2084pbf	-	RFQ	8500	국제 국제	*	대부분	활동적인									-						0000.00.0000	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (1222)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²