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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) |
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![]() | AUIRFR5305 | - | ![]() | 6880 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 55 v | 31A (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRGP4266-EPBF | 4.0100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 455 W. | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 75A, 10ohm, 15V | - | 650 v | 140 a | 300 a | 2.1V @ 15V, 75A | 3.2mj (on), 1.7mj (OFF) | 210 NC | 80ns/200ns | |||||||||||||||||
![]() | irgib4620dpbf | - | ![]() | 8410 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 기준 | 140 W. | PG-to220 20 팩 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 12a, 22ohm, 15V | 68 ns | NPT | 600 v | 32 a | 36 a | 1.85V @ 15V, 12A | 185µJ (on), 355µJ (OFF) | 25 NC | 31ns/83ns | ||||||||||||||||||
![]() | IRGP6660D-EPBF | 3.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 330 w | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 48A, 10ohm, 15V | 70 ns | - | 600 v | 95 a | 144 a | 1.95V @ 15V, 48A | 600µJ (on), 1.3mj (OFF) | 95 NC | 60ns/155ns | ||||||||||||||||||
![]() | IPD60R380E6BTMA1 | - | ![]() | 7944 | 0.00000000 | 국제 국제 | Coolmos ™ E6 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 10.6A (TC) | 10V | 380mohm @ 3.8a, 10V | 3.5V @ 300µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 100 v | - | 83W (TC) | |||||||||||||||
![]() | IRLS3813PBF | - | ![]() | 1135 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 31 | n 채널 | 30 v | 160A (TC) | 10V | 1.95mohm @ 148a, 10V | 2.35V @ 150µA | 83 NC @ 4.5 v | ± 20V | 8020 pf @ 25 v | - | 195W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRLI540NPBF | 1.0000 | ![]() | 3385 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB Full-Pak | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 100 v | 23A (TC) | 4V, 10V | 44mohm @ 12a, 10V | 2V @ 250µA | 74 NC @ 5 v | ± 16V | 1800 pf @ 25 v | - | 54W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | irgib15b60kd1p-ir | 1.0000 | ![]() | 2085 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 기준 | 52 W. | to220 팩 풀 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 15a, 22ohm, 15V | 67 ns | - | 600 v | 19 a | 38 a | 2.2V @ 15V, 15a | 127µJ (on), 334µJ (OFF) | 84 NC | 30ns/173ns | ||||||||||||||||
![]() | auirfr4105ztrl | - | ![]() | 5466 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AUIRFR4105 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 55 v | 20A (TC) | 10V | 24.5mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 740 pf @ 25 v | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRF9383MTRPBF | 1.4100 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 MX | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ MX | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 214 | p 채널 | 30 v | 22A (TA), 160A (TC) | 4.5V, 10V | 2.9mohm @ 22a, 10V | 2.4V @ 150µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 7305 pf @ 15 v | - | 2.1W (TA), 113W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRF6216PBF-IR | - | ![]() | 6489 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | p 채널 | 150 v | 2.2A (TA) | 240mohm @ 1.3a, 10V | 5V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 20V | 1280 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||
![]() | IRF7762TRLPBF | 1.0000 | ![]() | 760 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | IRF7762 | - | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF9233 | 2.1600 | ![]() | 301 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AE | MOSFET (금속 (() | TO-204AE | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | p 채널 | 150 v | 5.5A | - | - | - | 기준 | 75W | |||||||||||||||||||
![]() | IRFSL7537PBF | 1.4900 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 60 v | 173A (TC) | 6V, 10V | 3.3mohm @ 100a, 10V | 3.7V @ 150µA | 210 nc @ 10 v | ± 20V | 7020 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRFR7540PBF | 1.0000 | ![]() | 5147 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 90A (TC) | 4.8mohm @ 66a, 10V | 3.7v @ 100µa | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 4360 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | irfib41n15dpbf | - | ![]() | 5703 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB Full-Pak | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 150 v | 41A (TC) | 10V | 45mohm @ 25a, 10V | 5.5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2520 pf @ 25 v | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRFR18N15DPBF | - | ![]() | 9265 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 150 v | 18A (TC) | 125mohm @ 11a, 10V | 5.5V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 30V | 900 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | IRFB4410ZGPBF | 1.0600 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 300 | n 채널 | 100 v | 97A (TC) | 10V | 9mohm @ 58a, 10V | 4V @ 150µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 4820 pf @ 50 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC30FD-SPBF | - | ![]() | 9803 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 100 W. | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 480v, 17a, 23ohm, 15v | 42 ns | - | 600 v | 31 a | 124 a | 1.8V @ 15V, 17a | 630µj (on), 1.39mj (OFF) | 51 NC | 42ns/230ns | ||||||||||||||||
![]() | auirls3034-7trl | 3.0900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 240A (TC) | 4.5V, 10V | 1.4mohm @ 200a, 10V | 2.5V @ 250µA | 180 NC @ 4.5 v | ± 20V | 10990 pf @ 40 v | - | 380W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | irlr9343pbf | - | ![]() | 6788 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | p 채널 | 55 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 105mohm @ 3.4a, 10V | 1V @ 250µA | 47 NC @ 10 v | ± 20V | 660 pf @ 50 v | - | 79W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | IRFZ44ZLPBF | 1.0600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 284 | n 채널 | 55 v | 51A (TC) | 10V | 13.9mohm @ 31a, 10V | 4V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 1420 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | irg4ibc20kdpbf | - | ![]() | 5274 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 기준 | 34 W. | TO-220AB Full-Pak | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 480V, 9A, 50ohm, 15V | 37 ns | - | 600 v | 11.5 a | 23 a | 2.8V @ 15V, 9A | 340µJ (ON), 300µJ (OFF) | 34 NC | 54ns/180ns | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRF7749L2TR | - | ![]() | 6915 | 0.00000000 | 국제 국제 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 | MOSFET (금속 (() | DirectFet L8 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-AUIRF7749L2TR-600047 | 1 | n 채널 | 60 v | 36A (TA), 345A (TC) | 10V | 1.5mohm @ 120a, 10V | 4V @ 250µA | 275 NC @ 10 v | ± 20V | 10655 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 341W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | IRF7420PBF | 1.0000 | ![]() | 7766 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | p 채널 | 12 v | 11.5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 14mohm @ 11.5a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 38 NC @ 4.5 v | ± 8V | 3529 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||
![]() | IRGP4750DPBF | 3.5900 | ![]() | 31 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 273 w | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 35A, 10ohm, 15V | 150 ns | - | 650 v | 70 a | 105 a | 2V @ 15V, 35A | 1.3mj (on), 500µJ (OFF) | 105 NC | 50ns/105ns | ||||||||||||||||||
![]() | IRFB4310ZPBF | 2.0900 | ![]() | 9568 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 102 | n 채널 | 100 v | 120A (TC) | 10V | 6MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 6860 pf @ 50 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRFS4310TRRPBF | - | ![]() | 4204 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 130A (TC) | 7mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 250 nc @ 10 v | ± 20V | 7670 pf @ 50 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | IRFF9211 | - | ![]() | 7628 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-205AF af 캔 | MOSFET (금속 (() | TO-205AF (TO-39) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 145 | n 채널 | 150 v | 1.6a | - | - | - | - | - | 15W | ||||||||||||||||||
![]() | IRL6297SDTRPBF | 0.6000 | ![]() | 84 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 SA | irl6297 | MOSFET (금속 (() | 1.7W | DirectFet ™ SA | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 15a | 4.9mohm @ 15a, 4.5v | 1.1V @ 35µA | 54NC @ 10V | 2245pf @ 10V | 논리 논리 게이트 |
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