| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 테스트 조건 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRFS3006-7TRL | - | ![]() | 1535년 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭) | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 800 | N채널 | 60V | 240A(Tc) | 2.1m옴 @ 168A, 10V | 4V @ 250μA | 300nC @ 10V | 50V에서 8850pF | - | 375W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | IRFP044NPBF | - | ![]() | 9289 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | MOSFET(금속) | TO-247AC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 55V | 53A(Tc) | 10V | 20m옴 @ 29A, 10V | 4V @ 250μA | 61nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1500pF | - | 120W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IRF221 | 1.0400 | ![]() | 8369 | 0.00000000 | 국제정류기 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 스루홀 | TO-204AA, TO-3 | MOSFET(금속) | TO-204AA (TO-3) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 69 | N채널 | 150V | 5A | - | - | - | - | - | 40W | ||||||||||||||||||||
![]() | IRFH7440TRPBF | 0.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET®, StrongIRFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | IRFH7440 | MOSFET(금속) | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 442 | N채널 | 40V | 85A(Tc) | 6V, 10V | 2.4m옴 @ 50A, 10V | 100μA에서 3.9V | 138nC @ 10V | ±20V | 25V에서 4574pF | - | 104W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | 2N6847 | 4.3400 | ![]() | 127 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-205AF 금속 캔 | MOSFET(금속) | TO-205AF (TO-39) | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P채널 | 200V | 2.5A(Tc) | 10V | 1.725옴 @ 2.5A, 10V | 4V @ 250μA | 8.4nC @ 10V | ±20V | 330pF @ 25V | - | 20W(Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRL7732S2TR | 1.0000 | ![]() | 2504 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | DirectFET™ 아이소메트릭 SC | MOSFET(금속) | DIRECTFET™ SC | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 40V | 14A(타) | 4.5V, 10V | 6.6m옴 @ 35A, 10V | 2.5V @ 50μA | 33nC @ 4.5V | ±16V | 2020pF @ 25V | - | 2.2W(Ta), 41W(Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | IRLS4030PBF | 1.0000 | ![]() | 3152 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 100V | 180A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.3m옴 @ 110A, 10V | 2.5V @ 250μA | 130nC @ 4.5V | ±16V | 50V에서 11360pF | - | 370W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IRFB23N15DPBF | - | ![]() | 9387 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 150V | 23A(TC) | 10V | 90m옴 @ 14A, 10V | 250μA에서 5.5V | 56nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1200pF | - | 3.8W(Ta), 136W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | AUIRFR4105ZTRL | - | ![]() | 5466 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | AUIRFR4105 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 55V | 20A(TC) | 10V | 24.5m옴 @ 18A, 10V | 4V @ 250μA | 27nC @ 10V | ±20V | 25V에서 740pF | - | 48W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | IRLMS1503TRPBF | - | ![]() | 9212 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 | MOSFET(금속) | 마이크로6™(TSOP-6) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 30V | 3.2A(타) | 4.5V, 10V | 100m옴 @ 2.2A, 10V | 1V @ 250μA | 10V에서 9.6nC | ±20V | 210pF @ 25V | - | 1.7W(타) | ||||||||||||||||||
![]() | IRF7601PBF | 0.2500 | ![]() | 4069 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 너비) | MOSFET(금속) | 마이크로8™ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 870 | N채널 | 20V | 5.7A(타) | 35m옴 @ 3.8A, 4.5V | 250μA에서 700mV(최소) | 22nC @ 4.5V | ±12V | 15V에서 650pF | - | 1.8W(타) | ||||||||||||||||
![]() | IRFS7437-7PPBF | - | ![]() | 7487 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭) | MOSFET(금속) | D2PAK(7리드) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 40V | 195A(Tc) | 1.4m옴 @ 100A, 10V | 150μA에서 3.9V | 225nC @ 10V | ±20V | 25V에서 7437pF | - | 231W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | AUIRFR5305 | - | ![]() | 6880 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P채널 | 55V | 31A(Tc) | 10V | 65m옴 @ 16A, 10V | 4V @ 250μA | 63nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1200pF | - | 110W(Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC30W-SPBF | - | ![]() | 6645 | 0.00000000 | 국제정류기 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 100W | D2PAK | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 480V, 12A, 23옴, 15V | - | 600V | 23A | 92A | 2.7V @ 15V, 12A | 130μJ(켜짐), 130μJ(꺼짐) | 76nC | 25ns/99ns | ||||||||||||||||
![]() | IRGR3B60KD2TRP | - | ![]() | 5663 | 0.00000000 | 국제정류기 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IRGR3B60 | 기준 | 52W | D-박 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 3A, 100옴, 15V | 77ns | NPT | 600V | 7.8A | 15.6A | 2.4V @ 15V, 3A | 62μJ(켜짐), 39μJ(꺼짐) | 13nC | 18ns/110ns | ||||||||||||||
![]() | IRF7314PBF | - | ![]() | 9305 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | IRF731 | MOSFET(금속) | 2W | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,800 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 5.3A | 58m옴 @ 2.9A, 4.5V | 250μA에서 700mV | 29nC @ 4.5V | 780pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||
![]() | IRFB4410ZGPBF | 1.0600 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 300 | N채널 | 100V | 97A (Tc) | 10V | 9m옴 @ 58A, 10V | 4V @ 150μA | 120nC @ 10V | ±20V | 50V에서 4820pF | - | 230W(Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | IRLIZ44NPBF-IR | - | ![]() | 3871 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220AB 풀팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 55V | 30A(Tc) | 4V, 10V | 22m옴 @ 17A, 10V | 2V @ 250μA | 48nC @ 5V | ±16V | 25V에서 1700pF | - | 45W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IRGP6630DPBF | - | ![]() | 4635 | 0.00000000 | 국제정류기 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 기준 | 192W | TO-247AC | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 18A, 22옴, 15V | 70ns | - | 600V | 47A | 54A | 1.95V @ 15V, 18A | 75μJ(켜짐), 350μJ(꺼짐) | 30nC | 40ns/95ns | ||||||||||||||||||
![]() | IRL6283MTRPBF | 1.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET®, StrongIRFET™ | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | DirectFET™ 아이소메트릭 MD | MOSFET(금속) | DIRECTFET™ MD | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 20V | 38A(타), 211A(Tc) | 2.5V, 4.5V | 0.75m옴 @ 50A, 10V | 1.1V @ 100μA | 158nC @ 4.5V | ±12V | 8292pF @ 10V | - | 2.1W(Ta), 63W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IRF7420PBF | 1.0000 | ![]() | 7766 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | P채널 | 12V | 11.5A(Tc) | 1.8V, 4.5V | 14m옴 @ 11.5A, 4.5V | 250μA에서 900mV | 38nC @ 4.5V | ±8V | 3529pF @ 10V | - | 2.5W(타) | ||||||||||||||||||
![]() | AUIRFP4110 | - | ![]() | 1343 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | MOSFET(금속) | TO-247AC | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 100V | 120A(Tc) | 10V | 4.5m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 210nC @ 10V | ±20V | 50V에서 9620pF | - | 370W(Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | IRF6641TRPBF | 2.0100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | DirectFET™ 아이소메트릭 MZ | IRF6641 | MOSFET(금속) | DIRECTFET™ MZ | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 200V | 4.6A(Ta), 26A(Tc) | 10V | 59.9m옴 @ 5.5A, 10V | 150μA에서 4.9V | 48nC @ 10V | ±20V | 2290pF @ 25V | - | 2.8W(Ta), 89W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | AUIRF1324STRL | 2.5200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 24V | 195A(Tc) | 10V | 1.65m옴 @ 195A, 10V | 4V @ 250μA | 240nC @ 10V | ±20V | 24V에서 7590pF | - | 300W(Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | IRLR8259TRPBF | - | ![]() | 7852 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 25V | 57A (Tc) | 4.5V, 10V | 8.7m옴 @ 21A, 10V | 2.35V @ 25μA | 10nC @ 4.5V | ±20V | 13V에서 900pF | - | 48W(Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRLZ24NSTRL | 0.6700 | ![]() | 82 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 55V | 18A(TC) | 4V, 10V | 60m옴 @ 11A, 10V | 2V @ 250μA | 15nC @ 5V | ±16V | 25V에서 480pF | - | 3.8W(Ta), 45W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | IRFHS8342TR2PBF | 1.0000 | ![]() | 6854 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | 6-PowerVDFN | MOSFET(금속) | PG-TSDSON-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 30V | 8.8A(Ta), 19A(Tc) | 16m옴 @ 8.5A, 10V | 2.35V @ 25μA | 8.7nC @ 10V | 25V에서 600pF | - | |||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFS3107TRL | 1.0000 | ![]() | 7943 | 0.00000000 | 국제정류기 | 자동차, AEC-Q101, HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 75V | 195A(Tc) | 10V | 3m옴 @ 140A, 10V | 4V @ 250μA | 240nC @ 10V | ±20V | 50V에서 9370pF | - | 370W(Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | IRF241 | 1.5300 | ![]() | 370 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | - | 스루홀 | TO-204AE | MOSFET(금속) | TO-204AE | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 150V | 18A(TC) | - | - | - | - | 125W | ||||||||||||||||||
![]() | IRF9230 | 4.5800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 국제정류기 | HEXFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-204AA, TO-3 | MOSFET(금속) | TO-204AA (TO-3) | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | P채널 | 200V | 6.5A(Tc) | 10V | 940m옴 @ 6.5A, 10V | 4V @ 250μA | 31nC @ 10V | ±20V | 25V에서 700pF | - | 75W(Tc) |

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