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트랜지스터 (1222)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	FET 유형	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)
IRG4BC20WPBF	-	RFQ	6248	국제 국제	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	기준		60 W.	TO-220AB	-	rohs 비준수		공급 공급 정의되지 업체는	2156-IRG4BC20WPBF-600047			1		480V, 6.5A, 50ohm, 15V												-	600 v	13 a	52 a	2.6V @ 15V, 6.5A	60µJ (on), 80µJ (OFF)	26 NC	22ns/110ns
irg4ph40udpbf	-	RFQ	4910	국제 국제	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	기준		160 W.	TO-247AC	-	적용 적용 수 할	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1		800V, 21A, 10ohm, 15V											63 ns	-	1200 v	41 a	82 a	3.1V @ 15V, 21A	1.8mj (on), 1.93mj (OFF)	86 NC	46NS/97NS
auirl3705z	1.4700	RFQ	8	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드					귀 99	8541.29.0095	1	n 채널		55 v	75A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 52a, 10V	3V @ 250µA	60 nc @ 5 v	± 16V	2880 pf @ 25 v	-	130W (TC)
irfr7746trpbf	-	RFQ	8932	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	176-LQFP		MOSFET (금속 (()		176-LQFP (24x24)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	n 채널		75 v	56A (TC)	6V, 10V	11.2MOHM @ 35A, 10V	3.7v @ 100µa	89 NC @ 10 v	± 20V	3107 pf @ 25 v	-	99W (TC)
IRFS4310PBF	-	RFQ	4036	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	n 채널		100 v	130A (TC)	10V	7mohm @ 75a, 10V	4V @ 250µA	250 nc @ 10 v	± 20V	7670 pf @ 50 v	-	300W (TC)
IRFH5250DTRPBF	0.8300	RFQ	902	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn		MOSFET (금속 (()		8-pqfn (5x6)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	362	n 채널		25 v	40A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	1.4mohm @ 50a, 10V	2.35V @ 150µA	83 NC @ 10 v	± 20V	6115 pf @ 13 v	-	3.6W (TA), 156W (TC)
IRLR3802TRPBF	1.0000	RFQ	9668	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1	n 채널		12 v	84A (TC)	2.8V, 4.5V	8.5mohm @ 15a, 4.5v	1.9V @ 250µA	41 NC @ 5 v	± 12V	2490 pf @ 6 v	-	88W (TC)
IRFS4410PBF	-	RFQ	4835	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		PG-to263-3-2	-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1	n 채널		100 v	88A (TC)		10mohm @ 58a, 10V	4V @ 150µA	180 NC @ 10 v	± 20V	5150 pf @ 50 v	-	200W (TC)
irlu8729-701pbf	0.3200	RFQ	2	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA		MOSFET (금속 (()		PG-251-3-21	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	944	n 채널		30 v	58A (TC)		8.9mohm @ 25a, 10V	2.35V @ 25µA	16 nc @ 4.5 v	± 20V	1350 pf @ 15 v	-	55W (TC)
auirlr2905ztrl	1.0000	RFQ	2228	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드					귀 99	8541.29.0095	1	n 채널		55 v	42A (TC)		13.5mohm @ 36a, 10V	3V @ 250µA	35 NC @ 5 v		1570 pf @ 25 v	-	110W (TC)
irfi4228pbf-ir	1.0800	RFQ	280	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		MOSFET (금속 (()		TO-220AB Full-Pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	280	n 채널		150 v	34A (TC)	10V	16MOHM @ 20A, 10V	5V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 30V	4560 pf @ 25 v	-	46W (TC)
auirlr024n	0.6000	RFQ	11	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1	n 채널		55 v	17A (TC)	4V, 10V	65mohm @ 10a, 10V	2V @ 250µA	15 nc @ 5 v	± 16V	480 pf @ 25 v	-	45W (TC)
AIGW40N65F5XKSA1	-	RFQ	9774	국제 국제	자동차, AEC-Q101, TrenchStop ™	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	기준		250 W.	PG-to247-3	-				2156-AIGW40N65F5XKSA1			1		400V, 20A, 15ohm, 15V												도랑	650 v	74 a	120 a	2.1V @ 15V, 40A	350µJ (on), 100µJ (OFF)	95 NC	19ns/165ns
irll3303pbf	-	RFQ	5319	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (금속 (()		SOT-223	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	160	n 채널		30 v	4.6A (TA)		31mohm @ 4.6a, 10V	1V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 16V	840 pf @ 25 v	-	1W (TA)
IRF7483MTRPBF	0.9900	RFQ	13	국제 국제	Strongirfet ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 MF		MOSFET (금속 (()		DirectFet ™ ™ 메트릭 MF	다운로드					귀 99	8541.29.0095	1	n 채널		40 v	135A (TC)	6V, 10V	2.3mohm @ 81a, 10V	3.9V @ 100µA	81 NC @ 10 v	± 20V	3913 pf @ 25 v	-	74W (TC)
IRFU4510PBF	0.8200	RFQ	5003	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA		MOSFET (금속 (()		IPAK (TO-251AA)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	114	n 채널		100 v	56A (TC)	10V	13.9mohm @ 38a, 10V	4V @ 100µa	81 NC @ 10 v	± 20V	3031 pf @ 50 v	-	143W (TC)
AUIRF6215	1.0000	RFQ	5014	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드					귀 99	8541.29.0095	1	p 채널		150 v	13A (TC)	10V	290mohm @ 6.6a, 10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 v	± 20V	860 pf @ 25 v	-	110W (TC)
AUIRF1405ZL-308	1.6000	RFQ	22	국제 국제	자동차, AEC-Q101, Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA		MOSFET (금속 (()		TO-262	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0095	1	n 채널		55 v	150A (TC)	10V	4.9mohm @ 75a, 10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 v	± 20V	4780 pf @ 25 v	-	230W (TC)
AUIRF2804L-313TRL	-	RFQ	4459	국제 국제	자동차, AEC-Q101, Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA		MOSFET (금속 (()		TO-262	-				2156-AUIRF2804L-313TRL			1	n 채널		40 v	195a (TC)	10V	2.3mohm @ 75a, 10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 v	± 20V	6450 pf @ 25 v	-	300W (TC)
irll3303trpbf	-	RFQ	9125	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (금속 (()		SOT-223	-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	0000.00.0000	1	n 채널		30 v	4.6A (TA)	4.5V, 10V	31mohm @ 4.6a, 10V	1V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 16V	840 pf @ 25 v	-	1W (TA)
IRF242	1.8700	RFQ	7069	국제 국제	-	대부분	활동적인	-	구멍을 구멍을	TO-204AA, TO-3		MOSFET (금속 (()		TO-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	0000.00.0000	1	n 채널		200 v	16A		-	-		-		-	125W
auirls3036trl	-	RFQ	6888	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		PG-to263-3	다운로드					귀 99	8541.29.0095	1	n 채널		60 v	195a (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 165a, 10V	2.5V @ 250µA	140 nc @ 4.5 v	± 16V	11210 pf @ 50 v	-	380W (TC)
IRF7452PBF	-	RFQ	4111	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1	n 채널		100 v	4.5A (TA)	10V	60mohm @ 2.7a, 10V	5.5V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 30V	930 pf @ 25 v	-	2.5W (TA)
IRF6218PBF	-	RFQ	8651	국제 국제	Hexfet®	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	50	p 채널		150 v	27A (TC)	10V	150mohm @ 16a, 10V	5V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	2210 pf @ 25 v	-	250W (TC)
IRF6898MTRPBF	1.0000	RFQ	2752	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 MX		MOSFET (금속 (()		DirectFet ™ ™ 메트릭 MX	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1,009	n 채널		25 v	40A (TA), 214A (TC)		1.1MOHM @ 40A, 10V	2.1v @ 100µa	68 NC @ 4.5 v	± 16V	5630 pf @ 13 v	Schottky Diode (Body)	2.8W (TA), 78W (TC)
IRFR24N15DPBF	-	RFQ	3046	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		MOSFET (금속 (()		D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	0000.00.0000	1	n 채널		150 v	24A (TC)	10V	95mohm @ 14a, 10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 v	± 30V	890 pf @ 25 v	-	140W (TC)
auirls3036	-	RFQ	1491	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		PG-to263-3	다운로드					귀 99	8541.29.0095	1	n 채널		60 v	195a (TC)	4.5V, 10V	2.4mohm @ 165a, 10V	2.5V @ 250µA	140 nc @ 4.5 v	± 16V	11210 pf @ 50 v	-	380W (TC)
IRFH7934TRPBF	0.6000	RFQ	5	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn		MOSFET (금속 (()		8-pqfn (5x6)	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1	n 채널		30 v	24A (TA), 76A (TC)	4.5V, 10V	3.5mohm @ 24a, 10V	2.35V @ 50µA	30 nc @ 4.5 v	± 20V	3100 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
IRFS7730-7PPBF	-	RFQ	9846	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1	n 채널		75 v	240A (TC)		2MOHM @ 100A, 10V	3.7V @ 250µA	428 NC @ 10 v	± 20V	13970 pf @ 25 v	-	375W (TC)
AUIRFS3006-7P-IR	3.7500	RFQ	100	국제 국제	Hexfet®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭)		MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1	n 채널		60 v	240A (TC)	10V	2.1mohm @ 168a, 10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 v	± 20V	8850 pf @ 50 v	-	375W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (1222)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²