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트랜지스터(1222)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 파워	공급업체 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	테스트 조건	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	관리요금	Td(켜기/끄기) @ 25°C
IRGP4063D1-EPBF	1.0000	보상요청	6820	국제정류기	-	대부분	활동적인	-40°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	IRGP4063D	기준		330W	TO-247AD	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1			400V, 48A, 10옴, 15V											80ns	-	600V	100A	192A	2.14V @ 15V, 48A	1.4mJ(켜짐), 1.1mJ(꺼짐)	150nC	60ns/160ns
IRLR7833TRPBF	-	보상요청	7124	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		D-박	다운로드					EAR99	8542.39.0001	1		N채널		30V	140A(Tc)	4.5V, 10V	4.5m옴 @ 15A, 10V	2.3V @ 250μA	50nC @ 4.5V	±20V	4010pF @ 15V	-	140W(Tc)
AUIRFS4010-7TRL	3.9200	보상요청	1	국제정류기	자동차, AEC-Q101, HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-8, D²Pak(7리드 + 탭), TO-263CA			MOSFET(금속)		D2PAK-7	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	83		N채널		100V	180A(Tc)		4.7m옴 @ 106A, 10V	4V @ 250μA	215nC @ 10V	±20V	50V에서 9575pF	-	375W(Tc)
AUIRF3808S	-	보상요청	8699	국제정류기	자동차, AEC-Q101, HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널		75V	106A(Tc)		7m옴 @ 82A, 10V	4V @ 250μA	220nC @ 10V	±20V	5310pF @ 25V	-	200W(Tc)
AUIRFB3207	-	보상요청	9778	국제정류기	HEXFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드					EAR99	8541.29.0095	50		N채널		75V	75A(Tc)	10V	4.5m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	260nC @ 10V	±20V	7600pF @ 50V	-	300W(Tc)
IRF123	0.6300	보상요청	738	국제정류기	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-204AA, TO-3			MOSFET(금속)		TO-3	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	0000.00.0000	1		N채널		60V	7A(TC)	10V	400m옴 @ 4A, 10V	4V @ 250μA	15nC @ 10V	±20V	25V에서 600pF	-	40W(Tc)
AUIRF6218S	-	보상요청	8744	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		PG-TO263-3	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH의 영향을 받아들입니다.	2156-AUIRF6218S-600047			1		P채널		150V	27A (Tc)	10V	150m옴 @ 16A, 10V	5V @ 250μA	110nC @ 10V	±20V	2210pF @ 25V	-	250W(Tc)
IRFS7762TRLPBF	1.0000	보상요청	400	국제정류기	HEXFET®, StrongIRFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		PG-TO263-3	다운로드					EAR99	8542.39.0001	300		N채널		75V	85A(Tc)	6V, 10V	6.7m옴 @ 51A, 10V	100μA에서 3.7V	130nC @ 10V	±20V	25V에서 4440pF	-	140W(Tc)
AUIRLS3036	-	보상요청	1491	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		PG-TO263-3	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널		60V	195A(Tc)	4.5V, 10V	2.4m옴 @ 165A, 10V	2.5V @ 250μA	140nC @ 4.5V	±16V	50V에서 11210pF	-	380W(Tc)
AUIRF1405ZSTRL	1.0000	보상요청	6259	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널		55V	150A(Tc)	10V	4.9m옴 @ 75A, 10V	4V @ 250μA	180nC @ 10V	±20V	4780pF @ 25V	-	230W(Tc)
IRFR24N15DPBF	-	보상요청	3046	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		D-박	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널		150V	24A(TC)	10V	95m옴 @ 14A, 10V	5V @ 250μA	45nC @ 10V	±30V	25V에서 890pF	-	140W(Tc)
IRLS3036TRL7PP	-	보상요청	6925	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭), TO-263CB			MOSFET(금속)		D2PAK(7리드)	-						0000.00.0000	1		N채널		60V	240A(Tc)	4.5V, 10V	1.9m옴 @ 180A, 10V	2.5V @ 250μA	160nC @ 4.5V	±16V	50V에서 11270pF	-	380W(Tc)
AUIRFBA1405	-	보상요청	2709	국제정류기	HEXFET®	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-273AA			MOSFET(금속)		SUPER-220™(TO-273AA)	다운로드					EAR99	8541.29.0095	163		N채널		55V	95A(Tc)	10V	5m옴 @ 101A, 10V	4V @ 250μA	260nC @ 10V	±20V	5480pF @ 25V	-	330W(Tc)
IRF8915PBF	0.2000	보상요청	3472	국제정류기	HEXFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	IRF89		MOSFET(금속)	2W	8-SO	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	355	2 N채널(듀얼)			20V	8.9A		18.3m옴 @ 8.9A, 10V	2.5V @ 250μA	7.4nC @ 4.5V		540pF @ 10V	게임 레벨 레벨
IRF40DM229	1.2100	보상요청	9	국제정류기	StrongIRFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	DirectFET™ 아이소메트릭 MF			MOSFET(금속)		DirectFET™ 아이소메트릭 MF	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널		40V	159A(Tc)	6V, 10V	1.85m옴 @ 97A, 10V	100μA에서 3.9V	161nC @ 10V	±20V	5317pF @ 25V	-	83W(Tc)
IRGP4062D-EPBF	-	보상요청	6386	국제정류기	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		기준		250W	TO-247AD	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1			400V, 24A, 10옴, 15V											89ns	도랑	600V	48A	72A	1.95V @ 15V, 24A	115μJ(켜짐), 600μJ(꺼짐)	75nC	41ns/104ns
IRG4BC30F-SPBF	1.3300	보상요청	10	국제정류기	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	IRG4BC30F-SPBF	기준		100W	D2PAK	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1			480V, 17A, 23옴, 15V												-	600V	31A	120A	1.8V @ 15V, 17A	230μJ(켜짐), 1.18mJ(꺼짐)	51nC	21ns/200ns
IRF1407LPBF	-	보상요청	1444	국제정류기	HEXFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)		TO-262	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	150		N채널		75V	100A(Tc)		7.8m옴 @ 78A, 10V	4V @ 250μA	250nC @ 10V		5600pF @ 25V	-
AUIRFR48Z	-	보상요청	2017년	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		D-박	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널		55V	42A(Tc)	10V	11m옴 @ 37A, 10V	4V @ 50μA	60nC @ 10V	±20V	25V에서 1720pF	-	91W(Tc)
AUIRFSL8405	-	보상요청	6271	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)		TO-262	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널		40V	120A(Tc)	10V	2.3m옴 @ 100A, 10V	100μA에서 3.9V	161nC @ 10V	±20V	5193pF @ 25V	-	163W(Tc)
IKA08N65H5XKSA1	-	보상요청	2861	국제정류기	트렌치스톱™ 5	대부분	활동적인	-40°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩		기준		31.2W	PG-TO220-3-111	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-IKA08N65H5XKSA1-600047			1			400V, 4A, 48옴, 15V											40ns	트렌치 필드스톱	650V	10.8A	24A	2.1V @ 15V, 8A	70μJ(켜짐), 30μJ(꺼짐)	22nC	11ns/115ns
AUIRFR024NTRL	1.0000	보상요청	9835	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252AA	-						0000.00.0000	1		N채널		55V	17A(TC)		75m옴 @ 10A, 10V	4V @ 250μA	20nC @ 10V		370pF @ 25V	-	45W(Tc)
AUIRLR024N	0.6000	보상요청	11	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		D-박	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널		55V	17A(TC)	4V, 10V	65m옴 @ 10A, 10V	2V @ 250μA	15nC @ 5V	±16V	25V에서 480pF	-	45W(Tc)
IRFHE4250DTRPBF	1.9300	보상요청	9	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	32-전원VFQFN	IRFHE4250		MOSFET(금속)	156W(Tc)	32-PQFN(6x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000	2 N채널(듀얼)			25V	86A(Tc), 303A(Tc)		2.75m옴 @ 27A, 10V, 900μ옴 @ 27A, 10V	35μA에서 2.1V, 100μA에서 2.1V	20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V		1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V	-
IRF7452PBF	-	보상요청	4111	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)			MOSFET(금속)		8-SO	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널		100V	4.5A(타)	10V	60m옴 @ 2.7A, 10V	250μA에서 5.5V	50nC @ 10V	±30V	25V에서 930pF	-	2.5W(타)
IRLL3303TRPBF	-	보상요청	9125	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET(금속)		SOT-223	-	해당 없음	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널		30V	4.6A(타)	4.5V, 10V	31m옴 @ 4.6A, 10V	1V @ 250μA	50nC @ 10V	±16V	25V에서 840pF	-	1W(타)
IRF6898MTRPBF	1.0000	보상요청	2752	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	DirectFET™ 아이소메트릭 MX			MOSFET(금속)		DirectFET™ 아이소메트릭 MX	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1,009		N채널		25V	40A(Ta), 214A(Tc)		1.1m옴 @ 40A, 10V	100μA에서 2.1V	68nC @ 4.5V	±16V	5630pF @ 13V	쇼트키 다이오드(본체)	2.8W(Ta), 78W(Tc)
IRG4BC40KPBF	2.1200	보상요청	11	국제정류기	*	대부분	활동적인									다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-IRG4BC40KPBF-600047			1
AUIRLS3036TRL	-	보상요청	6888	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		PG-TO263-3	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1		N채널		60V	195A(Tc)	4.5V, 10V	2.4m옴 @ 165A, 10V	2.5V @ 250μA	140nC @ 4.5V	±16V	50V에서 11210pF	-	380W(Tc)
AUIRFSL8408	1.8100	보상요청	1	국제정류기	HEXFET®	대부분	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)		TO-262	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1		N채널		40V	195A(Tc)		1.6m옴 @ 100A, 10V	3.9V @ 250μA	324nC @ 10V		10820pF @ 25V	-	294W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(1222)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²