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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
AUIRF3808S International Rectifier AUIRF3808S -
RFQ
ECAD 8699 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 75 v 106A (TC) 7mohm @ 82a, 10V 4V @ 250µA 220 NC @ 10 v ± 20V 5310 pf @ 25 v - 200W (TC)
IRF7201PBF International Rectifier IRF7201PBF -
RFQ
ECAD 1045 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 30 v 7.3A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 7.3a, 10V 1V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 550 pf @ 25 v - 2.5W (TC)
IRG4RC20FTRPBF International Rectifier irg4rc20ftrpbf 0.5700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRG4RC20 기준 66 W. D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 2,000 480V, 12A, 50ohm, 15V - 600 v 22 a 44 a 2.1V @ 15V, 12a 190µJ (on), 920µJ (OFF) 27 NC 26ns/194ns
IRFR8314TRPBF International Rectifier irfr8314trpbf 0.6500
RFQ
ECAD 8654 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 16 n 채널 30 v 90A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 90A, 10V 2.2v @ 100µa 54 NC @ 4.5 v ± 20V 4945 pf @ 15 v - 125W (TC)
IRL3713PBF International Rectifier IRL3713PBF -
RFQ
ECAD 4040 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 30 v 260A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 38A, 10V 2.5V @ 250µA 110 NC @ 4.5 v ± 20V 5890 pf @ 15 v - 330W (TC)
IRFR1010ZTRLPBF International Rectifier irfr1010ztrlpbf -
RFQ
ECAD 1966 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 55 v 42A (TC) 10V 7.5mohm @ 42a, 10V 4V @ 100µa 95 NC @ 10 v ± 20V 2840 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRF7413TRPBF International Rectifier IRF7413TRPBF -
RFQ
ECAD 8428 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 4,000 n 채널 30 v 13A (TA) 11mohm @ 7.3a, 10V 3V @ 250µA 79 NC @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IPD50N04S308ATMA1 International Rectifier IPD50N04S308ATMA1 -
RFQ
ECAD 1497 0.00000000 국제 국제 최적화 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 2,500 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 7.5mohm @ 50a, 10V 4V @ 40µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2350 pf @ 25 v - 68W (TC)
IRFB4510PBF International Rectifier IRFB4510PBF 1.0000
RFQ
ECAD 8609 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 62A (TC) 10V 13.5mohm @ 37a, 10V 4V @ 100µa 87 NC @ 10 v ± 20V 3180 pf @ 50 v - 140W (TC)
IRF9952QPBF International Rectifier IRF9952QPBF -
RFQ
ECAD 7036 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 튜브 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF995 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 190 n 및 p 채널 30V 3.5a, 2.3a 100mohm @ 2.2a, 10V 1V @ 250µA 14NC @ 10V 190pf @ 15V 논리 논리 게이트
IRF7457PBF International Rectifier IRF7457PBF 0.5200
RFQ
ECAD 1338 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 435 n 채널 20 v 15A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 42 NC @ 4.5 v ± 20V 3100 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
AUIRFS8407TRR International Rectifier auirfs8407trr 1.1800
RFQ
ECAD 395 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 40 v 195a (TC) 1.8mohm @ 100a, 10V 4V @ 150µA 225 NC @ 10 v ± 20V 7330 pf @ 25 v - 230W (TC)
AUIRFR2607ZTRL International Rectifier auirfr2607ztrl -
RFQ
ECAD 9048 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 3,000 n 채널 75 v 42A (TC) 10V 22mohm @ 30a, 10V 4V @ 50µA 51 NC @ 10 v ± 20V 1440 pf @ 25 v - 110W (TC)
AUIRF2804S International Rectifier AUIRF2804S -
RFQ
ECAD 5701 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 195a (TC) 10V 2MOHM @ 75A, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 6450 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRF362 International Rectifier IRF362 9.1700
RFQ
ECAD 160 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-204AA (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 400 v 22A - - - - - 300W
IRFZ44NSPBF International Rectifier IRFZ44NSPBF -
RFQ
ECAD 9935 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 55 v 49A (TC) 10V 17.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1470 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 94W (TC)
IRG4PSH71UDPBF International Rectifier irg4psh71udpbf 1.0000
RFQ
ECAD 5303 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-274AA 기준 350 w Super-247 (TO-274AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 960V, 70A, 5ohm, 15V 110 ns - 1200 v 99 a 200a 2.7V @ 15V, 70A 8.8mj (on), 9.4mj (OFF) 570 NC 46ns/250ns
IRGP4069D-EPBF International Rectifier IRGP4069D-EPBF -
RFQ
ECAD 8386 0.00000000 국제 국제 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 268 w TO-247AD 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 400V, 35A, 10ohm, 15V 120 ns 도랑 600 v 76 a 105 a 1.85V @ 15V, 35A 390µJ (ON), 632µJ (OFF) 104 NC 46NS/105NS
IRFS4410ZPBF International Rectifier IRFS4410ZPBF -
RFQ
ECAD 7765 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 97A (TC) 9mohm @ 58a, 10V 4V @ 150µA 120 nc @ 10 v ± 20V 4820 pf @ 50 v - 230W (TC)
IRFF333 International Rectifier IRFF333 -
RFQ
ECAD 8970 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() TO-205AF (TO-39) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 64 n 채널 350 v 3A - - - - - 25W
IRLR8256TRPBF International Rectifier IRLR8256TRPBF -
RFQ
ECAD 4087 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 25 v 81A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 25a, 10V 2.35V @ 25µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 1470 pf @ 13 v - 63W (TC)
IRF2804S-7PPBF International Rectifier IRF2804S-7PPBF -
RFQ
ECAD 8303 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 40 v 160A (TC) 10V 1.6MOHM @ 160A, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 6930 pf @ 25 v - 330W (TC)
AUIRF2907ZS-7P International Rectifier AUIRF2907ZS-7P -
RFQ
ECAD 1959 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 75 v 180A (TC) 3.8mohm @ 110a, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v 7580 pf @ 25 v -
AUIRFZ48Z International Rectifier auirfz48z 0.9100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 61A (TC) 10V 11mohm @ 37a, 10V 4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 1720 pf @ 25 v - 91W (TC)
IRFAUIRF540Z International Rectifier Irfauirf540z 1.2400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-904 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 36A (TC) 10V 26.5mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 92W (TC)
AUIRFS8409 International Rectifier AUIRFS8409 2.4500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 195a (TC) 10V 1.2MOHM @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 450 NC @ 10 v ± 20V 14240 pf @ 25 v - 375W (TC)
AUIRF1405ZS-7P International Rectifier AUIRF1405ZS-7P 1.0000
RFQ
ECAD 2820 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-AUIRF1405ZS-7P-600047 1 n 채널 55 v 120A (TC) 10V 4.9mohm @ 88a, 10V 4V @ 150µA 230 nc @ 10 v ± 20V 5360 pf @ 25 v - 230W (TC)
AUIRF3805S-7P International Rectifier AUIRF3805S-7P -
RFQ
ECAD 3642 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 55 v 160A (TC) 10V 2.6mohm @ 140a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 7820 pf @ 25 v - 300W (TC)
FP30R06W1E3B11BOMA1 International Rectifier FP30R06W1E3B11BOMA1 -
RFQ
ECAD 9455 0.00000000 국제 국제 EasyPIM ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 115 w 3 정류기 정류기 브리지 - - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-FP30R06W1E3B11BOMA1-600047 1 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 600 v 37 a 2V @ 15V, 30A 1 MA 1650 pf @ 25 v
IKA08N65H5XKSA1 International Rectifier ika08n65h5xksa1 -
RFQ
ECAD 2861 0.00000000 국제 국제 TrenchStop ™ 5 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 기준 31.2 w PG-to220-3-111 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-IKA08N65H5XKSA1-600047 1 400V, 4A, 48ohm, 15V 40 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 10.8 a 24 a 2.1V @ 15V, 8A 70µJ (on), 30µJ (OFF) 22 NC 11ns/115ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고