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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce |
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![]() | AUIRF3808S | - | ![]() | 8699 | 0.00000000 | 국제 국제 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 75 v | 106A (TC) | 7mohm @ 82a, 10V | 4V @ 250µA | 220 NC @ 10 v | ± 20V | 5310 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | IRF7201PBF | - | ![]() | 1045 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 30 v | 7.3A (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 7.3a, 10V | 1V @ 250µA | 28 nc @ 10 v | ± 20V | 550 pf @ 25 v | - | 2.5W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | irg4rc20ftrpbf | 0.5700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRG4RC20 | 기준 | 66 W. | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 480V, 12A, 50ohm, 15V | - | 600 v | 22 a | 44 a | 2.1V @ 15V, 12a | 190µJ (on), 920µJ (OFF) | 27 NC | 26ns/194ns | ||||||||||||||||||||
![]() | irfr8314trpbf | 0.6500 | ![]() | 8654 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 16 | n 채널 | 30 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2MOHM @ 90A, 10V | 2.2v @ 100µa | 54 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4945 pf @ 15 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3713PBF | - | ![]() | 4040 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 30 v | 260A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 38A, 10V | 2.5V @ 250µA | 110 NC @ 4.5 v | ± 20V | 5890 pf @ 15 v | - | 330W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | irfr1010ztrlpbf | - | ![]() | 1966 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 42a, 10V | 4V @ 100µa | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 2840 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7413TRPBF | - | ![]() | 8428 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 13A (TA) | 11mohm @ 7.3a, 10V | 3V @ 250µA | 79 NC @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | IPD50N04S308ATMA1 | - | ![]() | 1497 | 0.00000000 | 국제 국제 | 최적화 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD50 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 50A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 50a, 10V | 4V @ 40µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2350 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | IRFB4510PBF | 1.0000 | ![]() | 8609 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 62A (TC) | 10V | 13.5mohm @ 37a, 10V | 4V @ 100µa | 87 NC @ 10 v | ± 20V | 3180 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | IRF9952QPBF | - | ![]() | 7036 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF995 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 190 | n 및 p 채널 | 30V | 3.5a, 2.3a | 100mohm @ 2.2a, 10V | 1V @ 250µA | 14NC @ 10V | 190pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7457PBF | 0.5200 | ![]() | 1338 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 435 | n 채널 | 20 v | 15A (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 42 NC @ 4.5 v | ± 20V | 3100 pf @ 10 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | auirfs8407trr | 1.1800 | ![]() | 395 | 0.00000000 | 국제 국제 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 1.8mohm @ 100a, 10V | 4V @ 150µA | 225 NC @ 10 v | ± 20V | 7330 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | auirfr2607ztrl | - | ![]() | 9048 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 3,000 | n 채널 | 75 v | 42A (TC) | 10V | 22mohm @ 30a, 10V | 4V @ 50µA | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 1440 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF2804S | - | ![]() | 5701 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 2MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 6450 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRF362 | 9.1700 | ![]() | 160 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (금속 (() | TO-204AA (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 400 v | 22A | - | - | - | - | - | 300W | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRFZ44NSPBF | - | ![]() | 9935 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 49A (TC) | 10V | 17.5mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1470 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | irg4psh71udpbf | 1.0000 | ![]() | 5303 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-274AA | 기준 | 350 w | Super-247 (TO-274AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 960V, 70A, 5ohm, 15V | 110 ns | - | 1200 v | 99 a | 200a | 2.7V @ 15V, 70A | 8.8mj (on), 9.4mj (OFF) | 570 NC | 46ns/250ns | ||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4069D-EPBF | - | ![]() | 8386 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 268 w | TO-247AD | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 35A, 10ohm, 15V | 120 ns | 도랑 | 600 v | 76 a | 105 a | 1.85V @ 15V, 35A | 390µJ (ON), 632µJ (OFF) | 104 NC | 46NS/105NS | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS4410ZPBF | - | ![]() | 7765 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 97A (TC) | 9mohm @ 58a, 10V | 4V @ 150µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 4820 pf @ 50 v | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | IRFF333 | - | ![]() | 8970 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-205AF af 캔 | MOSFET (금속 (() | TO-205AF (TO-39) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 64 | n 채널 | 350 v | 3A | - | - | - | - | - | 25W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR8256TRPBF | - | ![]() | 4087 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 25 v | 81A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 25a, 10V | 2.35V @ 25µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1470 pf @ 13 v | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRF2804S-7PPBF | - | ![]() | 8303 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 160A (TC) | 10V | 1.6MOHM @ 160A, 10V | 4V @ 250µA | 260 NC @ 10 v | ± 20V | 6930 pf @ 25 v | - | 330W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF2907ZS-7P | - | ![]() | 1959 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 75 v | 180A (TC) | 3.8mohm @ 110a, 10V | 4V @ 250µA | 260 NC @ 10 v | 7580 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | auirfz48z | 0.9100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 55 v | 61A (TC) | 10V | 11mohm @ 37a, 10V | 4V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 1720 pf @ 25 v | - | 91W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Irfauirf540z | 1.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 국제 국제 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-904 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 36A (TC) | 10V | 26.5mohm @ 22a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1770 pf @ 25 v | - | 92W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFS8409 | 2.4500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 10V | 1.2MOHM @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 450 NC @ 10 v | ± 20V | 14240 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF1405ZS-7P | 1.0000 | ![]() | 2820 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-AUIRF1405ZS-7P-600047 | 1 | n 채널 | 55 v | 120A (TC) | 10V | 4.9mohm @ 88a, 10V | 4V @ 150µA | 230 nc @ 10 v | ± 20V | 5360 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF3805S-7P | - | ![]() | 3642 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 160A (TC) | 10V | 2.6mohm @ 140a, 10V | 4V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 7820 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FP30R06W1E3B11BOMA1 | - | ![]() | 9455 | 0.00000000 | 국제 국제 | EasyPIM ™ | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 115 w | 3 정류기 정류기 브리지 | - | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-FP30R06W1E3B11BOMA1-600047 | 1 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 37 a | 2V @ 15V, 30A | 1 MA | 예 | 1650 pf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ika08n65h5xksa1 | - | ![]() | 2861 | 0.00000000 | 국제 국제 | TrenchStop ™ 5 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | 기준 | 31.2 w | PG-to220-3-111 | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-IKA08N65H5XKSA1-600047 | 1 | 400V, 4A, 48ohm, 15V | 40 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 10.8 a | 24 a | 2.1V @ 15V, 8A | 70µJ (on), 30µJ (OFF) | 22 NC | 11ns/115ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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