| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC848A | 0.0334 | ![]() | 7604 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC848ATR | EAR99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 30V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM2N7002KCU | 0.3700 | ![]() | 2256 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | MOSFET(금속) | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM2N7002KCUTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 240mA(타) | 4.5V, 10V | 2.5옴 @ 240mA, 10V | 2.5V @ 250μA | 0.91nC @ 4.5V | ±20V | 30pF @ 30V | - | 298mW(타) | |||||||||||
![]() | BC848C RFG | 0.0343 | ![]() | 2199 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM80N400CF C0G | 5.3552 | ![]() | 4195 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TSM80 | MOSFET(금속) | ITO-220S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 800V | 12A(TC) | 10V | 400m옴 @ 2.7A, 10V | 4V @ 250μA | 51nC @ 10V | ±30V | 100V에서 1848pF | - | 69W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM2307CX RFG | 0.1576 | ![]() | 5123 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2307 | MOSFET(금속) | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 30V | 3A(TC) | 4.5V, 10V | 95m옴 @ 3A, 10V | 3V @ 250μA | 10nC @ 10V | ±20V | 30V에서 565pF | - | 1.25W(타) | |||||||||||
![]() | TSM3N90CP ROG | - | ![]() | 3832 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSM3N90 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 900V | 2.5A(Tc) | 10V | 5.1옴 @ 1.25A, 10V | 4V @ 250μA | 17nC @ 10V | ±30V | 25V에서 748pF | - | 94W(Tc) | |||||||||||
| BC338-40 B1G | - | ![]() | 8302 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 338년 | 625mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 25V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | TSM035NB04LCZ C0G | 3.3500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM035 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM035NB04LCZC0G | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 40V | 18A(타), 157A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.5m옴 @ 18A, 10V | 2.5V @ 250μA | 111nC @ 10V | ±20V | 20V에서 6350pF | - | 2W(Ta), 156W(Tc) | ||||||||||
![]() | TSM032NH04LCR RLG | 3.8200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 대만 건설 | PerFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PDFNU(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 25A(Ta), 81A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.2m옴 @ 40A, 10V | 2.2V @ 250μA | 50nC @ 10V | ±16V | 3007pF @ 25V | - | 115W(Tc) | ||||||||||||
![]() | TQM250NB06DCR RLG | 3.5800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 대만 건설 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장, 일부 | 8파워TDFN | TQM250 | MOSFET(금속) | 2.5W(Ta), 58W(Tc) | 8-PDFNU(5x6) | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 60V | 6A(Ta), 30A(Tc) | 25m옴 @ 6A, 10V | 3.8V @ 250μA | 24nC @ 10V | 30V에서 1398pF | - | |||||||||||||
![]() | TSM60NC196CI C0G | 7.8200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM60 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM60NC196CIC0G | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 600V | 20A(TC) | 10V | 196m옴 @ 9.5A, 10V | 5V @ 1mA | 39nC @ 10V | ±30V | 300V에서 1535pF | - | 70W(Tc) | ||||||||||
![]() | TSM60N600CI C0G | 0.9062 | ![]() | 4036 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM60 | MOSFET(금속) | ITO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 8A(TC) | 10V | 600m옴 @ 4A, 10V | 4V @ 250μA | 13nC @ 10V | ±30V | 100V에서 743pF | - | 83W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM4NB60CH | 0.9576 | ![]() | 6893 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | TSM4 | MOSFET(금속) | TO-251S (아이팩 SL) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM4NB60CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,750 | N채널 | 600V | 4A(TC) | 10V | 2.5옴 @ 2A, 10V | 250μA에서 4.5V | 14.5nC @ 10V | ±30V | 25V에서 500pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||
![]() | BC338-40 A1G | - | ![]() | 7817 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 338년 | 625mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 25V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 100MHz | ||||||||||||||||
| TSM061NA03CR RLG | - | ![]() | 7201 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | TSM061 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 88A(Tc) | 4.5V, 10V | 6.1m옴 @ 16A, 10V | 2.5V @ 250μA | 19nC @ 10V | ±20V | 15V에서 1133pF | - | 78W(Tc) | ||||||||||||
![]() | TSM80N400CF | 5.4062 | ![]() | 6681 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TSM80 | MOSFET(금속) | ITO-220S | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM80N400CF | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 800V | 12A(TC) | 10V | 400m옴 @ 2.7A, 10V | 4V @ 250μA | 51nC @ 10V | ±30V | 100V에서 1848pF | - | 69W(Tc) | |||||||||||
![]() | KTC3198-Y | 0.0583 | ![]() | 2280 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | KTC3198 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-KTC3198-YTB | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV @ 10mA, 100mA | 70 @ 2mA, 6V | 80MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM180N03CS RLG | 0.4314 | ![]() | 1516 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | TSM180 | MOSFET(금속) | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 9A(TC) | 4.5V, 10V | 18m옴 @ 8A, 10V | 2V @ 250μA | 14nC @ 4.5V | ±20V | 345pF @ 25V | - | 2.5W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM60NB260CI | 4.2905 | ![]() | 8831 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM60 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM60NB260CI | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 600V | 13A(티씨) | 10V | 260m옴 @ 3.9A, 10V | 4V @ 250μA | 30nC @ 10V | ±30V | 100V에서 1273pF | - | 32.1W(Tc) | |||||||||||
| TSM052N06PQ56 RLG | - | ![]() | 6174 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5x6) | - | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 60V | 100A(Tc) | 10V | 5.2m옴 @ 20A, 10V | 4V @ 250μA | 50nC @ 10V | ±25V | 3686pF @ 30V | - | 83W(Tc) | |||||||||||||
![]() | TSM80N1R2CP | 2.6213 | ![]() | 5239 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSM80 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM80N1R2CPTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 800V | 5.5A(Tc) | 10V | 1.2옴 @ 2.75A, 10V | 4V @ 250μA | 19.4nC @ 10V | ±30V | 100V에서 685pF | - | 110W(Tc) | |||||||||||
![]() | BC846B RFG | 0.2200 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC846 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM230N06CI C0G | - | ![]() | 7078 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | TSM230N06CIC0G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 60V | 50A(Tc) | 4.5V, 10V | 23m옴 @ 20A, 10V | 2.5V @ 250μA | 28nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1680pF | - | 42W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM60N1R4CH C5G | 0.4419 | ![]() | 5995 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | TSM60 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 600V | 3.3A(Tc) | 10V | 1.4옴 @ 2A, 10V | 4V @ 250μA | 7.7nC @ 10V | ±30V | 100V에서 370pF | - | 38W(Tc) | |||||||||||
| TSM110NB04LCR RLG | 1.6800 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | TSM110 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 12A(Ta), 54A(Tc) | 4.5V, 10V | 11m옴 @ 12A, 10V | 2.5V @ 250μA | 23nC @ 10V | ±20V | 20V에서 1269pF | - | 3.1W(Ta), 68W(Tc) | ||||||||||||
| TSM045NB06CR RLG | 3.8400 | ![]() | 2686 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerLDFN | TSM045 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5.2x5.75) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | TSM045NB06CRRLGTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 60V | 16A(타), 104A(Tc) | 10V | 5m옴 @ 16A, 10V | 4V @ 250μA | 104nC @ 10V | ±20V | 6870pF @ 30V | - | 3.1W(Ta), 136W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM70N750CP ROG | 4.2900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSM70 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 700V | 6A(TC) | 10V | 750m옴 @ 1.8A, 10V | 4V @ 250μA | 10.7nC @ 10V | ±30V | 100V에서 555pF | - | 62.5W(Tc) | |||||||||||
![]() | BC858C RFG | 0.0343 | ![]() | 4999 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC858 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | KTC3198-GR-M0 A2G | - | ![]() | 1916년 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-KTC3198-GR-M0A2GTB | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV @ 10mA, 100mA | 200 @ 150mA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TSM060N03PQ33 | 0.6306 | ![]() | 5227 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | TSM060 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(3.1x3.1) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM060N03PQ33TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | N채널 | 30V | 15A(Ta), 62A(Tc) | 4.5V, 10V | 6m옴 @ 15A, 10V | 2.5V @ 250μA | 25.4nC @ 10V | ±20V | 15V에서 1342pF | - | 2.3W(Ta), 40W(Tc) |

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