| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSM7ND65CI | 3.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM7 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 7A(TC) | 10V | 1.35옴 @ 1.8A, 10V | 3.8V @ 250μA | 25nC @ 10V | ±30V | 50V에서 1124pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||
![]() | BC848C | 0.0337 | ![]() | 9340 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC848CTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 30V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | BC850CW RFG | 0.0368 | ![]() | 3245 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC850 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM056NH04CV RGG | 2.9000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 대만 건설 | PerFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | MOSFET(금속) | 8-PDFN(3.1x3.1) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM056NH04CVRGGTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 40V | 16A(Ta), 54A(Tc) | 7V, 10V | 5.6m옴 @ 27A, 10V | 3.6V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1828pF | - | 34W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM80N400CF C0G | 5.3552 | ![]() | 4195 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TSM80 | MOSFET(금속) | ITO-220S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 800V | 12A(TC) | 10V | 400m옴 @ 2.7A, 10V | 4V @ 250μA | 51nC @ 10V | ±30V | 100V에서 1848pF | - | 69W(Tc) | |||||||||||
![]() | BC848C RFG | 0.0343 | ![]() | 2199 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
| TSM045NB06CR RLG | 3.8400 | ![]() | 2686 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerLDFN | TSM045 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5.2x5.75) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | TSM045NB06CRRLGTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 60V | 16A(타), 104A(Tc) | 10V | 5m옴 @ 16A, 10V | 4V @ 250μA | 104nC @ 10V | ±20V | 6870pF @ 30V | - | 3.1W(Ta), 136W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM025NH04CR RLG | 5.0500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 대만 건설 | PerFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장, 일부 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PDFNU(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 26A(Ta), 100A(Tc) | 7V, 10V | 2.5m옴 @ 50A, 10V | 3.6V @ 250μA | 59nC @ 10V | ±20V | 3794pF @ 25V | - | 136W(Tc) | ||||||||||||
![]() | TSM60NB260CI | 4.2905 | ![]() | 8831 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM60 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM60NB260CI | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 600V | 13A(티씨) | 10V | 260m옴 @ 3.9A, 10V | 4V @ 250μA | 30nC @ 10V | ±30V | 100V에서 1273pF | - | 32.1W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM4ND60CI C0G | - | ![]() | 5832 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM4ND60 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 4A(TC) | 10V | 2.2옴 @ 1.4A, 10V | 3.8V @ 250μA | 17.2nC @ 10V | ±30V | 582pF @ 50V | - | 41.6W(Tc) | |||||||||||
![]() | MMBT3904L-UA RF | - | ![]() | 3419 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300mW | SOT-23 | - | 1801-MMBT3904L-UARF | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 40V | 200mA | 50nA | NPN | 300mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||
![]() | TSM900N06CP ROG | 1.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSM900 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 60V | 11A(티씨) | 4.5V, 10V | 90m옴 @ 6A, 10V | 2.5V @ 250μA | 9.3nC @ 10V | ±20V | 15V에서 500pF | - | 25W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM2307CX RFG | 0.1576 | ![]() | 5123 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2307 | MOSFET(금속) | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 30V | 3A(TC) | 4.5V, 10V | 95m옴 @ 3A, 10V | 3V @ 250μA | 10nC @ 10V | ±20V | 30V에서 565pF | - | 1.25W(타) | |||||||||||
![]() | MMBT3906 | 0.0288 | ![]() | 3818 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT3906 | 350mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-MMBT3906TR | EAR99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 40V | 200mA | 100nA(ICBO) | PNP | 400mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM60NB600CF | 1.9333 | ![]() | 6500 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TSM60 | MOSFET(금속) | ITO-220S | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM60NB600CF | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 600V | 8A(TC) | 10V | 600m옴 @ 1.7A, 10V | 4V @ 250μA | 16nC @ 10V | ±30V | 100V에서 528pF | - | 41.7W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM10N60CI C0G | - | ![]() | 8807 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | TSM10N60CIC0G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 10A(TC) | 10V | 750m옴 @ 5A, 10V | 4V @ 250μA | 45.8nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1738pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM500P02DCQ RFG | 1.1900 | ![]() | 83 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -50°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-VDFN옆패드 | TSM500 | MOSFET(금속) | 620mW | 6-TDFN(2x2) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 4.7A(Tc) | 50m옴 @ 3A, 4.5V | 250μA에서 800mV | 9.6nC @ 4.5V | 1230pF @ 10V | - | |||||||||||||
![]() | TSM160N10CZ C0G | 2.6900 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM160 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 160A(Tc) | 10V | 5.5m옴 @ 30A, 10V | 4V @ 250μA | 154nC @ 10V | ±20V | 30V에서 9840pF | - | 300W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM60NB150CF C0G | 10.4800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TSM60 | MOSFET(금속) | ITO-220S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 600V | 24A(TC) | 10V | 150m옴 @ 4.3A, 10V | 4V @ 250μA | 43nC @ 10V | ±30V | 100V에서 1765pF | - | 62.5W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM60NB380CH C5G | 2.1663 | ![]() | 3692 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -50°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | TSM60 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 600V | 9.5A(Tc) | 10V | 380m옴 @ 2.85A, 10V | 4V @ 250μA | 19.4nC @ 10V | ±30V | 100V에서 795pF | - | 83W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM4NB60CH | 0.9576 | ![]() | 6893 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | TSM4 | MOSFET(금속) | TO-251S (아이팩 SL) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM4NB60CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,750 | N채널 | 600V | 4A(TC) | 10V | 2.5옴 @ 2A, 10V | 250μA에서 4.5V | 14.5nC @ 10V | ±30V | 25V에서 500pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM80N400CF | 5.4062 | ![]() | 6681 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TSM80 | MOSFET(금속) | ITO-220S | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM80N400CF | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 800V | 12A(TC) | 10V | 400m옴 @ 2.7A, 10V | 4V @ 250μA | 51nC @ 10V | ±30V | 100V에서 1848pF | - | 69W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM3481CX6 | 0.4844 | ![]() | 3551 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 | TSM3481 | MOSFET(금속) | SOT-26 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM3481CX6TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 12,000 | P채널 | 30V | 5.7A(타) | 4.5V, 10V | 48m옴 @ 5.3A, 10V | 3V @ 250μA | 18.09nC @ 10V | ±20V | 1047.98pF @ 15V | - | 1.6W(타) | |||||||||||
![]() | TSM60N600CI C0G | 0.9062 | ![]() | 4036 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM60 | MOSFET(금속) | ITO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 8A(TC) | 10V | 600m옴 @ 4A, 10V | 4V @ 250μA | 13nC @ 10V | ±30V | 100V에서 743pF | - | 83W(Tc) | |||||||||||
![]() | BC338-16-B0 B1G | - | ![]() | 2392 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC338-16-B0B1G | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 25V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
| TSM110NB04LCR RLG | 1.6800 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | TSM110 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 12A(Ta), 54A(Tc) | 4.5V, 10V | 11m옴 @ 12A, 10V | 2.5V @ 250μA | 23nC @ 10V | ±20V | 20V에서 1269pF | - | 3.1W(Ta), 68W(Tc) | ||||||||||||
![]() | BC338-40 A1G | - | ![]() | 7817 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 338년 | 625mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 25V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | TSM090N03CP ROG | 1.5900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSM090 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 50A(Tc) | 4.5V, 10V | 9m옴 @ 16A, 10V | 2.5V @ 250μA | 45nC @ 4.5V | ±20V | 25V에서 750pF | - | 40W(Tc) | |||||||||||
![]() | BC849AW | 0.0361 | ![]() | 6118 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC849 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC849AWTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 18,000 | 30V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM600P03CS RLG | 0.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | TSM600 | MOSFET(금속) | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 30V | 4.7A(Tc) | 4.5V, 10V | 60m옴 @ 3A, 10V | 2.5V @ 250μA | 9.6nC @ 4.5V | ±20V | 15V에서 560pF | - | 2.1W(Tc) |

일일 평균 견적 요청량

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