 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | BC847A RFG | 0.0343 |  | 6411 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC847 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
|  | BC846B RFG | 0.2200 |  | 33 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC846 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
|  | TSC5802DCP ROG | - |  | 1747년 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSC5802 | 30W | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 450V | 2.5A | 250μA | NPN | 3V @ 600mA, 2A | 50 @ 100mA, 5V | - | |||||||||||||||
|  | TSC5304EDCP ROG | - |  | 5632 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSC5304 | 35W | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V | 4A | 250μA | NPN | 1.5V @ 500mA, 2.5A | 17 @ 1A, 5V | - | |||||||||||||||
|  | BC807-16 RFG | 0.0342 |  | 3766 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC807 | 300mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 500mA | 200nA(ICBO) | PNP | 700mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||
|  | MMBT2222A RFG | 0.2400 |  | 8 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 300mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 600mA | 10nA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | |||||||||||||||
|  | TSM4NB60CI C0G | 1907년 1월 |  | 7682 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM4NB60 | MOSFET(금속) | ITO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 4A(TC) | 10V | 2.5옴 @ 2A, 10V | 250μA에서 4.5V | 14.5nC @ 10V | ±30V | 25V에서 500pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||
|  | BC848CW | 0.0357 |  | 8489 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC848 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC848CWTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 18,000 | 30V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
|  | TSM60NB099CF C0G | 12.8700 |  | 905 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TSM60 | MOSFET(금속) | ITO-220S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 600V | 38A(Tc) | 10V | 99m옴 @ 5.3A, 10V | 4V @ 250μA | 62nC @ 10V | ±30V | 100V에서 2587pF | - | 69W(Tc) | |||||||||||
|  | TSM4NB65CI | 1907년 1월 |  | 6270 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM4 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM4NB65CI | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 650V | 4A(TC) | 10V | 3.37옴 @ 2A, 10V | 250μA에서 4.5V | 13.46nC @ 10V | ±30V | 25V에서 549pF | - | 25W(Tc) | |||||||||||
|  | TSC873CW RPG | 0.9200 |  | 15 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | TSC873 | SOT-223 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V | 1A | 1mA | NPN | 1V @ 250mA, 1A | 80 @ 250mA, 10V | - | ||||||||||||||||
| BC550A B1G | - |  | 6891 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC550 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 110 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||
| TSM070NB04CR RLG | 2.0200 |  | 7 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | TSM070 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 15A(Ta), 75A(Tc) | 10V | 7m옴 @ 15A, 10V | 4V @ 250μA | 40nC @ 10V | ±20V | 2403pF @ 20V | - | 3.1W(Ta), 83W(Tc) | ||||||||||||
|  | MMBT3904T RSG | 0.2400 |  | 5 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-523 | MMBT3904 | 150mW | SOT-523 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200mA | 50nA(ICBO) | NPN | 300mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | |||||||||||||||
|  | BC338-25-B0 B1G | - |  | 1839년 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC338-25-B0B1G | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 25V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
|  | TSM085P03CS RLG | 2.0300 |  | 17 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | TSM085 | MOSFET(금속) | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 30V | 34A(티씨) | 4.5V, 10V | 8.5m옴 @ 13A, 10V | 2.5V @ 250μA | 56nC @ 10V | ±20V | 3216pF @ 15V | - | 14W(Tc) | |||||||||||
|  | TSM70N380CP ROG | 6.6600 |  | 14 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSM70 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 700V | 11A(티씨) | 10V | 380m옴 @ 3.3A, 10V | 4V @ 250μA | 18.8nC @ 10V | ±30V | 100V에서 981pF | - | 125W(Tc) | |||||||||||
|  | KTC3198-GR A1G | - |  | 9205 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | KTC3198 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV @ 10mA, 100mA | 70 @ 2mA, 6V | 80MHz | |||||||||||||||
|  | TSM70N750CP | 2.1762 |  | 9537 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSM70 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM70N750CPTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 700V | 6A(TC) | 10V | 750m옴 @ 1.8A, 10V | 4V @ 250μA | 10.7nC @ 10V | ±30V | 100V에서 555pF | - | 62.5W(Tc) | |||||||||||
|  | TSM190N08CZ C0G | 9.6300 |  | 4 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM190 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 75V | 190A(Tc) | 10V | 4.2m옴 @ 90A, 10V | 4V @ 250μA | 160nC @ 10V | ±20V | 30V에서 8600pF | - | 250W(Tc) | |||||||||||
| TSM061NA03CR RLG | - |  | 7201 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | TSM061 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 88A(Tc) | 4.5V, 10V | 6.1m옴 @ 16A, 10V | 2.5V @ 250μA | 19nC @ 10V | ±20V | 15V에서 1133pF | - | 78W(Tc) | ||||||||||||
| BC548A B1G | - |  | 2431 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC548 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 30V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 110 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||
|  | BC547A A1G | - |  | 3073 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC547 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 110 @ 2mA, 5V | - | |||||||||||||||
|  | TSM126CX RFG | 0.2730 |  | 6058 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM126 | MOSFET(금속) | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 600V | 30mA(Tc) | 0V, 10V | 800옴 @ 16mA, 10V | 1V @ 8μA | 1.18nC @ 4.5V | ±20V | 51.42pF @ 25V | 고갈 모드 | 500mW(타) | |||||||||||
|  | BC807-40 RFG | 0.0445 |  | 8446 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC807 | 300mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 500mA | 200nA(ICBO) | PNP | 700mV @ 50mA, 500mA | 250 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||
|  | TSM150NB04LDCR RLG | 2.2400 |  | 2 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | TSM150 | MOSFET(금속) | 2W(Ta), 40W(Tc) | 8-PDFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 40V | 8A(Ta), 37A(Tc) | 15m옴 @ 8A, 10V | 2.5V @ 250μA | 18nC @ 10V | 20V에서 966pF | - | |||||||||||||
|  | TSM6963SDCA RVG | 1.9300 |  | 4 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | TSM6963 | MOSFET(금속) | 1.14W | 8-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 4.5A(Tc) | 30m옴 @ 4.5A, 4.5V | 1V @ 250μA | 20nC @ 4.5V | 1500pF @ 10V | - | |||||||||||||
|  | TSM60N600CP ROG | - |  | 4669 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 컷테이프(CT) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSM60 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 600V | 8A(TC) | 10V | 600m옴 @ 4A, 10V | 4V @ 250μA | 13nC @ 10V | ±30V | 100V에서 743pF | - | 83W(Tc) | |||||||||||
| TSM045NB06CR RLG | 3.8400 |  | 2686 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerLDFN | TSM045 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5.2x5.75) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | TSM045NB06CRRLGTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 60V | 16A(타), 104A(Tc) | 10V | 5m옴 @ 16A, 10V | 4V @ 250μA | 104nC @ 10V | ±20V | 6870pF @ 30V | - | 3.1W(Ta), 136W(Tc) | |||||||||||
|  | TQM032NH04CR RLG | 4.0300 |  | 1619년 | 0.00000000 | 대만 건설 | 자동차, AEC-Q101, PerFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장, 일부 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PDFNU(4.9x5.75) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 40V | 23A(타), 81A(Tc) | 7V, 10V | 3.2m옴 @ 40A, 10V | 3.6V @ 250μA | 67.5nC @ 10V | ±20V | 25V에서 4344pF | - | 115W(Tc) | 

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

재고 창고