 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM070NA04LCR RLG | - |  | 8379 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | TSM070 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 91A (Tc) | 4.5V, 10V | 7m옴 @ 14A, 10V | 2.5V @ 250μA | 23.5nC @ 10V | ±20V | 20V에서 1469pF | - | 113W(Tc) | ||||||||||||
|  | TSM3N80CZ C0G | - |  | 7386 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM3N80 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 800V | 3A(TC) | 10V | 4.2옴 @ 1.5A, 10V | 4V @ 250μA | 19nC @ 10V | ±30V | 25V에서 696pF | - | 94W(Tc) | |||||||||||
|  | TSM3N90CZ C0G | - |  | 8691 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM3N90 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 900V | 2.5A(Tc) | 10V | 5.1옴 @ 1.25A, 10V | 4V @ 250μA | 17nC @ 10V | ±30V | 25V에서 748pF | - | 94W(Tc) | |||||||||||
|  | TSM60NB099PW C1G | 15.1800 |  | 2 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | TSM60 | MOSFET(금속) | TO-247 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N채널 | 600V | 38A(Tc) | 10V | 99m옴 @ 11.7A, 10V | 4V @ 250μA | 62nC @ 10V | ±30V | 100V에서 2587pF | - | 329W(Tc) | |||||||||||
|  | BC338-25-B0 A1 | - |  | 6810 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92 | - | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC338-25-B0A1TB | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 25V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
|  | TSM060NB06LCZ C0G | 4.1700 |  | 1146 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM060 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM060NB06LCZC0G | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 60V | 13A(타), 111A(Tc) | 4.5V, 10V | 6m옴 @ 13A, 10V | 2.5V @ 250μA | 107nC @ 10V | ±20V | 30V에서 6273pF | - | 2W(Ta), 156W(Tc) | ||||||||||
|  | TSM60NB380CH C5G | 2.1663 |  | 3692 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -50°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | TSM60 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 600V | 9.5A(Tc) | 10V | 380m옴 @ 2.85A, 10V | 4V @ 250μA | 19.4nC @ 10V | ±30V | 100V에서 795pF | - | 83W(Tc) | |||||||||||
|  | BC338-16 | 0.0661 |  | 7080 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 338년 | 625mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC338-16TB | EAR99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 25V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 100mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
|  | TSM480P06CH | 0.9337 |  | 8510 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -50°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | TSM480 | MOSFET(금속) | TO-251S (아이팩 SL) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM480P06CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 15,000 | P채널 | 60V | 20A(TC) | 4.5V, 10V | 48m옴 @ 8A, 10V | 2.2V @ 250μA | 22.4nC @ 10V | ±20V | 30V에서 1250pF | - | - | |||||||||||
|  | TSM80N1R2CH C5G | 2.5940 |  | 7637 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | TSM80 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 800V | 5.5A(Tc) | 10V | 1.2옴 @ 2.75A, 10V | 4V @ 250μA | 19.4nC @ 10V | ±30V | 100V에서 685pF | - | 110W(Tc) | |||||||||||
|  | TSM600P03CS RLG | 0.9400 |  | 2 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | TSM600 | MOSFET(금속) | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 30V | 4.7A(Tc) | 4.5V, 10V | 60m옴 @ 3A, 10V | 2.5V @ 250μA | 9.6nC @ 4.5V | ±20V | 15V에서 560pF | - | 2.1W(Tc) | |||||||||||
|  | BC848BW RFG | 0.0368 |  | 4368 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC848 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
|  | TSM70N900CI | 2.3232 |  | 4666 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM70 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM70N900CI | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 700V | 4.5A(Tc) | 10V | 900m옴 @ 1.5A, 10V | 4V @ 250μA | 10V에서 9.7nC | ±30V | 100V에서 482pF | - | 20W(Tc) | |||||||||||
|  | BC857A RFG | 0.0343 |  | 9208 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
| BC550B B1G | - |  | 6676 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC550 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 200 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||
|  | TSM60N1R4CH C5G | 0.4419 |  | 5995 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | TSM60 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 600V | 3.3A(Tc) | 10V | 1.4옴 @ 2A, 10V | 4V @ 250μA | 7.7nC @ 10V | ±30V | 100V에서 370pF | - | 38W(Tc) | |||||||||||
|  | TSM80N08CZ C0G | - |  | 3900 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM80 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 75V | 80A(Tc) | 10V | 8m옴 @ 40A, 10V | 4V @ 250μA | 91.5nC @ 10V | ±20V | 3905pF @ 30V | - | 113.6W(Tc) | |||||||||||
|  | BC849AW | 0.0361 |  | 6118 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC849 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC849AWTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 18,000 | 30V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
|  | TSM9933DCS RLG | - |  | 5092 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | TSM9933 | MOSFET(금속) | 2W | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 4.7A(Tc) | 60m옴 @ 4.7A, 4.5V | 250μA에서 1.4V | 8.5nC @ 4.5V | 640pF @ 10V | - | |||||||||||||
|  | BC549C A1G | - |  | 6045 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC549 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 30V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 420 @ 2mA, 5V | - | |||||||||||||||
|  | TSM6866SDCA RVG | 0.7448 |  | 4416 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | TSM6866 | MOSFET(금속) | 1.6W | 8-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 20V | 6A(타) | 30m옴 @ 6A, 4.5V | 250μA에서 600mV | 5nC @ 4.5V | 565pF @ 8V | - | |||||||||||||
|  | TSC4505CX RFG | 1.2300 |  | 12 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSC4505 | 225mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 400V | 300mA | 10μA(ICBO) | NPN | 500mV @ 1mA, 10mA | 100 @ 10mA, 10V | 20MHz | |||||||||||||||
|  | BC846CW RFG | 0.0368 |  | 4536 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC846 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
| TSM088NA03CR RLG | - |  | 1070 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | TSM088 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 61A (Tc) | 4.5V, 10V | 8.8m옴 @ 13A, 10V | 2.5V @ 250μA | 12.6nC @ 10V | ±20V | 15V에서 750pF | - | 56W(Tc) | ||||||||||||
|  | BC807-25W RFG | 0.0466 |  | 4986 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC807 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45V | 500mA | 100nA(ICBO) | PNP | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 80MHz | |||||||||||||||
| TSM055N03PQ56 RLG | 1.5100 |  | 110 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | TSM055 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 80A(Tc) | 4.5V, 10V | 5.5m옴 @ 20A, 10V | 2.5V @ 250μA | 11.1nC @ 4.5V | ±20V | 25V에서 1160pF | - | 74W(Tc) | ||||||||||||
|  | BC847A RFG | 0.0343 |  | 6411 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC847 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
|  | BC846B RFG | 0.2200 |  | 33 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC846 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
|  | TSC5802DCP ROG | - |  | 1747년 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSC5802 | 30W | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 450V | 2.5A | 250μA | NPN | 3V @ 600mA, 2A | 50 @ 100mA, 5V | - | |||||||||||||||
|  | TSC5304EDCP ROG | - |  | 5632 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSC5304 | 35W | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V | 4A | 250μA | NPN | 1.5V @ 500mA, 2.5A | 17 @ 1A, 5V | - | 

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