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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
TSM3443CX6 Taiwan Semiconductor Corporation TSM3443CX6 0.3395
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ECAD 2478 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 TSM3443 MOSFET(금속) SOT-26 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM3443CX6TR EAR99 8541.29.0095 12,000 P채널 20V 4.7A(타) 2.5V, 4.5V 60m옴 @ 4.7A, 4.5V 250μA에서 1.4V 9nC @ 4.5V ±12V 10V에서 640pF - 2W(타)
BC547C A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC547C A1 -
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ECAD 5767 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 500mW TO-92 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC547CA1TB 더 이상 사용하지 않는 경우 1 45V 100mA 15nA(ICBO) NPN - 420 @ 2mA, 5V -
MMBT3906 Taiwan Semiconductor Corporation MMBT3906 0.0288
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ECAD 3818 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906 350mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-MMBT3906TR EAR99 8541.21.0075 9,000 40V 200mA 100nA(ICBO) PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
TSM300NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06DCR RLG 2.2400
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ECAD 4 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN TSM300 MOSFET(금속) 2W(Ta), 40W(Tc) 8-PDFN(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 60V 6A(Ta), 25A(Tc) 30m옴 @ 6A, 10V 250μA에서 4.5V 17nC @ 10V 1079pF @ 30V -
TSM2328CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM2328CX 0.4171
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ECAD 7755 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2328 MOSFET(금속) SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM2328CXTR EAR99 8541.29.0095 12,000 N채널 100V 1.5A(타) 10V 250m옴 @ 1.5A, 10V 2.5V @ 250μA 11.1nC @ 5V ±20V 25V에서 975pF - 1.38W(타)
TSM10NC60CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NC60CF C0G 1.6128
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ECAD 9015 0.00000000 대만 건설 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TSM10 MOSFET(금속) ITO-220S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 10A(TC) 10V 750m옴 @ 2.5A, 10V 250μA에서 4.5V 33nC @ 10V ±30V 50V에서 1652pF - 45W(Tc)
TSM2311CX-01 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2311CX-01 RFG -
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ECAD 5218 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET(금속) SOT-23 - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. TSM2311CX-01RFG EAR99 8541.21.0095 1 P채널 20V 4A(타) 2.5V, 4.5V 55m옴 @ 4A, 4.5V 250μA에서 1.4V 9nC @ 4.5V ±8V 640pF @ 6V - 900mW(타)
BC807-25 Taiwan Semiconductor Corporation BC807-25 0.0333
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ECAD 2846 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC807-25TR EAR99 8541.21.0075 6,000 45V 500mA 100nA(ICBO) PNP 700mV @ 50mA, 500mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
TSM7P06CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM7P06CP 0.4877
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ECAD 9946 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TSM7 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM7P06CPTR EAR99 8541.29.0095 5,000 P채널 60V 7A(TC) 4.5V, 10V 180m옴 @ 3A, 10V 2.5V @ 250μA 8.2nC @ 10V ±20V 30V에서 425pF - 15.6W(Tc)
TSM60NB380CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB380CH 2.1663
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ECAD 8075 0.00000000 대만 건설 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA TSM60 MOSFET(금속) TO-251(IPAK) 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM60NB380CH EAR99 8541.29.0095 15,000 N채널 600V 9.5A(Tc) 10V 380m옴 @ 2.85A, 10V 4V @ 250μA 19.4nC @ 10V ±30V 100V에서 795pF - 83W(Tc)
TSM10NC65CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NC65CF C0G 3.3400
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ECAD 2 0.00000000 대만 건설 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TSM10 MOSFET(금속) ITO-220S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 10A(TC) 10V 900m옴 @ 2A, 10V 250μA에서 4.5V 34nC @ 10V ±30V 50V에서 1650pF - 45W(Tc)
TSM300NB06LCV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06LCV RGG 1.5100
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ECAD 10 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN TSM300 MOSFET(금속) 8-PDFN(3.15x3.1) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 5A(Ta), 24A(Tc) 4.5V, 10V 30m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 250μA 17nC @ 10V ±20V 30V에서 962pF - 1.9W(Ta), 39W(Tc)
TSM500P02DCQ Taiwan Semiconductor Corporation TSM500P02DCQ 0.4623
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ECAD 7294 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-VDFN옆패드 TSM500 MOSFET(금속) 620mW(Tc) 6-TDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM500P02DCQTR EAR99 8541.21.0095 12,000 2P채널 20V 4.7A(Tc) 50m옴 @ 3A, 4.5V 250μA에서 0.8V 13nC @ 4.5V 1230pF @ 10V 기준
BC337-25 B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-25 B1 -
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ECAD 9978 0.00000000 대만 건설 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92 - REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC337-25B1 더 이상 사용하지 않는 경우 1 45V 800mA 100nA(ICBO) NPN 700mV @ 50mA, 500mA 250 @ 100mA, 5V 100MHz
TSM052NB03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM052NB03CR RLG 0.8200
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ECAD 4 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN TSM052 MOSFET(금속) 8-PDFN(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 17A(타), 90A(Tc) 4.5V, 10V 5.2m옴 @ 17A, 10V 2.5V @ 250μA 41nC @ 10V ±20V 15V에서 2294pF - 3.1W(Ta), 83W(Tc)
TSM60NC165CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC165CI 5.0046
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ECAD 7786 0.00000000 대만 건설 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 TSM60 MOSFET(금속) ITO-220 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM60NC165CI EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 600V 24A(TC) 10V 165m옴 @ 11.3A, 10V 5V @ 1mA 44nC @ 10V ±30V 300V에서 1857pF - 89W(Tc)
TSM180P03CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM180P03CS 0.6100
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ECAD 5273 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TSM180 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM180P03CSTR EAR99 8541.29.0095 5,000 P채널 30V 10A(TC) 4.5V, 10V 18m옴 @ 8A, 10V 2.5V @ 250μA 14.6nC @ 4.5V ±20V 1730pF @ 15V - 2.5W(Tc)
TSM026NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM026NA03CR RLG -
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ECAD 1041 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN TSM026 MOSFET(금속) 8-PDFN(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 168A(Tc) 4.5V, 10V 2.6m옴 @ 24A, 10V 2.5V @ 250μA 41nC @ 10V ±20V 15V에서 2540pF - 125W(Tc)
TSM042N03CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS 0.8059
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ECAD 8384 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TSM042 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM042N03CSTR EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 30A(Tc) 4.5V, 10V 4.2m옴 @ 12A, 10V 2.5V @ 250μA 24nC @ 4.5V ±20V 2200pF @ 25V - 7W(Tc)
BC550C A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC550C A1 -
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ECAD 9975 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 500mW TO-92 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC550CA1TB 더 이상 사용하지 않는 경우 1 45V 100mA 15nA(ICBO) NPN - 420 @ 2mA, 5V -
BC847C RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC847C RFG 0.0337
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ECAD 8417 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 200mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2mA, 5V 100MHz
BC817-16 Taiwan Semiconductor Corporation BC817-16 0.0336
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ECAD 8345 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 300mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC817-16TR EAR99 8541.21.0075 6,000 45V 500mA 100nA(ICBO) NPN 700mV @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
BC337-40-B0 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-40-B0 A1 -
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ECAD 8251 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92 - REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC337-40-B0A1TB 더 이상 사용하지 않는 경우 1 45V 800mA 100nA(ICBO) NPN 700mV @ 50mA, 500mA 250 @ 100mA, 5V 100MHz
BC550B Taiwan Semiconductor Corporation BC550B 0.0447
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ECAD 2702 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC550 500mW TO-92 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC550BTB EAR99 8541.21.0095 5,000 45V 100mA 15nA(ICBO) NPN - 200 @ 2mA, 5V -
TSM60NC196CM2 RNG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC196CM2 RNG 9.1600
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ECAD 2 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB TSM60 MOSFET(금속) TO-263AB(D²PAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 600V 28A(TC) 10V 196m옴 @ 9.5A, 10V 5V @ 1mA 39nC @ 10V ±20V 300V에서 1566pF - 152W(Tc)
KTC3198-Y-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-Y-B0 A1G -
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ECAD 5430 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 500mW TO-92 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-KTC3198-Y-B0A1GTB 더 이상 사용하지 않는 경우 1 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 150mA, 6V 80MHz
TSM085N03PQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM085N03PQ33 0.5699
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ECAD 2961 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN TSM085 MOSFET(금속) 8-PDFN(3.1x3.1) 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM085N03PQ33TR EAR99 8541.29.0095 10,000 N채널 30V 13A(Ta), 52A(Tc) 4.5V, 10V 8.5m옴 @ 13A, 10V 2.5V @ 250μA 14.3nC @ 10V ±20V 15V에서 817pF - 2.3W(Ta), 37W(Tc)
TSM056NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM056NH04LCR RLG 3.0100
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ECAD 5 0.00000000 대만 건설 PerFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PDFNU(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 18A(Ta), 54A(Tc) 4.5V, 10V 5.6m옴 @ 27A, 10V 2.2V @ 250μA 30.4nC @ 10V ±16V 25V에서 1940pF - 78.9W(Tc)
TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02CX RFG 0.8000
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ECAD 409 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM250 MOSFET(금속) SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 5.8A(Tc) 1.8V, 4.5V 25m옴 @ 4A, 4.5V 250μA에서 800mV 7.7nC @ 4.5V ±10V 10V에서 535pF - 1.56W(Tc)
BC546A B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC546A B1 -
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ECAD 2238 0.00000000 대만 건설 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500mW TO-92 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC546AB1 더 이상 사용하지 않는 경우 1 65V 100mA 15nA(ICBO) NPN - 110 @ 2mA, 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고