전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC337-16 B1G | - | ![]() | 6285 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC337 | 625 MW | To-92 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 45 v | 800 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 100ma, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | BC856A RFG | 0.0343 | ![]() | 5220 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 200 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 125 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | BC807-40 RFG | 0.0445 | ![]() | 8446 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC807 | 300MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 200NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 250 @ 100MA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TQM056NH04CR RLG | 2.9900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powertdfn | TQM056 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFNU (4.9x5.75) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 17A (TA), 54A (TC) | 7V, 10V | 5.6mohm @ 27a, 10V | 3.6V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 2912 pf @ 25 v | - | 78.9W (TC) | |||||||||||
![]() | BC857A RFG | 0.0343 | ![]() | 9208 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 200 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 125 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | BC846B | 0.0337 | ![]() | 5564 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC846 | 200 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-BC846BTR | 귀 99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 65 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM600P03CS RLG | 0.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TSM600 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 4.7A (TC) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 9.6 NC @ 4.5 v | ± 20V | 560 pf @ 15 v | - | 2.1W (TC) | |||||||||||
![]() | TSA874CW | 0.2013 | ![]() | 6190 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | TSA874 | 1 W. | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSA874CWTR | 귀 99 | 8541.29.0075 | 5,000 | 500 v | 150 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10ma, 50ma | 150 @ 1ma, 10V | 50MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM320N03CX | 0.3118 | ![]() | 6160 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM320 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM320N03CXTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 12,000 | n 채널 | 30 v | 4A (TA), 5.5A (TC) | 2.5V, 4.5V | 32mohm @ 4a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 8.9 NC @ 4.5 v | ± 12V | 792 pf @ 15 v | - | 1W (TA), 1.8W (TC) | |||||||||||
![]() | BC850AW | 0.0357 | ![]() | 4498 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC850 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-bc850awtr | 귀 99 | 8541.21.0075 | 18,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 110 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM4NB65CH | 0.9576 | ![]() | 7165 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | TSM4 | MOSFET (금속 (() | TO-251 (IPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM4NB65CH | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15,000 | n 채널 | 650 v | 4A (TC) | 10V | 3.37ohm @ 2a, 10V | 4.5V @ 250µA | 13.46 NC @ 10 v | ± 30V | 549 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||||||||
![]() | TSM2537CQ | 0.5543 | ![]() | 8608 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | TSM2537 | MOSFET (금속 (() | 6.25W | 6-TDFN (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM2537CQTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 12,000 | n 및 p 채널 | 20V | 11.6A (TC), 9A (TC) | 30mohm @ 6.4a, 4.5v, 55mohm @ 5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 9.1nc @ 4.5v, 9.8nc @ 4.5v | 677pf @ 10v, 744pf @ 10v | 로직 로직 게이트 게이트, 1.8V 드라이브 | |||||||||||||
![]() | BC550C A1 | - | ![]() | 9975 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 500MW | To-92 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-BC550CA1TB | 쓸모없는 | 1 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 420 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||||||
![]() | TSM089N08LCR | 2.1142 | ![]() | 5536 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | TSM089 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM089N08LCRTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 80 v | 12A (TA), 67A (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 20V | 6119 pf @ 40 v | - | 2.6W (TA), 83W (TC) | |||||||||||
![]() | TSM480P06CH | 0.9337 | ![]() | 8510 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | TSM480 | MOSFET (금속 (() | TO-251S (I-PAK SL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM480P06CH | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15,000 | p 채널 | 60 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 48mohm @ 8a, 10V | 2.2V @ 250µA | 22.4 NC @ 10 v | ± 20V | 1250 pf @ 30 v | - | - | |||||||||||
![]() | TSM3457CX6 | 0.3881 | ![]() | 6115 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | TSM3457 | MOSFET (금속 (() | SOT-26 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-tsm3457cx6tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 12,000 | p 채널 | 30 v | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 9.52 NC @ 10 v | ± 20V | 551.57 pf @ 15 v | - | 2W (TA) | |||||||||||
TSM1N45CT B0G | - | ![]() | 5598 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MOSFET (금속 (() | To-92 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 450 v | 500MA (TC) | 10V | 4.25ohm @ 250ma, 10V | 4.25V @ 250µA | 6.5 NC @ 10 v | ± 30V | 235 pf @ 25 v | - | 2W (TC) | |||||||||||||
![]() | TSM3443CX6 | 0.3395 | ![]() | 2478 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | TSM3443 | MOSFET (금속 (() | SOT-26 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-tsm3443cx6tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 12,000 | p 채널 | 20 v | 4.7A (TA) | 2.5V, 4.5V | 60mohm @ 4.7a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 9 NC @ 4.5 v | ± 12V | 640 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | |||||||||||
![]() | BC338-40-B0 A1 | - | ![]() | 4614 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 625 MW | To-92 | - | 영향을받지 영향을받지 | 1801-BC338-40-B0A1TB | 쓸모없는 | 1 | 25 v | 800 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50ma, 500ma | 250 @ 100MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BC848A | 0.0334 | ![]() | 7604 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 200 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-BC848AT | 귀 99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 30 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 5ma, 100ma | 110 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | BC848C | 0.0337 | ![]() | 9340 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 200 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-bc848ctr | 귀 99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 30 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 5ma, 100ma | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM2N100CP ROG | - | ![]() | 1954 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | TSM2N100 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 1000 v | 1.85A (TC) | 10V | 8.5ohm @ 900ma, 10V | 5.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 625 pf @ 25 v | - | 77W (TC) | |||||||||||
![]() | TSM60NB099CF C0G | 12.8700 | ![]() | 905 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | TSM60 | MOSFET (금속 (() | ITO-220S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 600 v | 38A (TC) | 10V | 99mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 30V | 2587 pf @ 100 v | - | 69W (TC) | |||||||||||
TSM220NB06LCR RLG | 1.6800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerldfn | TSM220 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (5.2x5.75) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 8A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1314 pf @ 30 v | - | 3.1W (TA), 68W (TC) | ||||||||||||
BC547C B1G | - | ![]() | 6052 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC547 | 500MW | To-92 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | - | 420 @ 2MA, 5V | - | ||||||||||||||||
![]() | TSC5802DCP ROG | - | ![]() | 1747 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | TSC5802 | 30 w | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 450 v | 2.5 a | 250µA | NPN | 3V @ 600MA, 2A | 50 @ 100MA, 5V | - | |||||||||||||||
![]() | BC848B RFG | 0.0343 | ![]() | 4883 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 200 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM6N50CH C5G | - | ![]() | 7205 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | TO-251 (IPAK) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 500 v | 5.6A (TA) | 10V | 1.4ohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 30V | 900 pf @ 25 v | - | 90W (TC) | ||||||||||||
![]() | BC849AW | 0.0361 | ![]() | 6118 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC849 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-bc849awtr | 귀 99 | 8541.21.0075 | 18,000 | 30 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 110 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM043NB04LCZ | 1.7791 | ![]() | 7779 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | TSM043 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM043NB04LCZ | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 16A (TA), 124A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 16a, 10V | 2.5V @ 250µA | 76 NC @ 10 v | ± 20V | 4387 pf @ 20 v | - | 2W (TA), 125W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고