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트랜지스터(888)

영상	제품번호	가격(USD)	수량	ECAD	사용 수량 보유	무게(Kg)	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 최대	공급업체 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
	BC549C A1	-	보상요청		1777년	0.00000000	대만 건설	-	테이프 및 박스(TB)	더 이상 사용하지 않는 경우	-65°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			500mW	TO-92	다운로드			REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-BC549CA1TB	더 이상 사용하지 않는 경우		1													30V	100mA	15nA(ICBO)	NPN	-	420 @ 2mA, 5V	-
	TSM8N50CP ROG	-	보상요청		5744	0.00000000	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	500V	7.2A(Tc)	10V	850m옴 @ 3.6A, 10V	4V @ 250μA	26.6nC @ 10V	±30V	25V에서 1595pF	-	89W(Tc)
	TSM1NB60CW RPG	1.5200	보상요청		8	0.00000000	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA	TSM1NB60	MOSFET(금속)		SOT-223	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	600V	1A(Tc)	10V	10옴 @ 500mA, 10V	250μA에서 4.5V	6.1nC @ 10V	±30V	25V에서 138pF	-	39W(Tc)
	BC547B B1G	-	보상요청		7340	0.00000000	대만 건설	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-65°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	BC547		500mW	TO-92	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	5,000													45V	100mA	15nA(ICBO)	NPN	-	200 @ 2mA, 5V	-
	TSC5303DCP ROG	-	보상요청		9095	0.00000000	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	TSC5303		30W	TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500													400V	3A	10μA	NPN	700mV @ 100mA, 400mA	15 @ 1A, 5V	-
	TSM6502CR	1.0450	보상요청		8870	0.00000000	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	TSM6502	MOSFET(금속)	40W	8-PDFN(5x6)	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-TSM6502CRTR	EAR99	8541.29.0095	5,000	N 및 P 채널		60V	24A(Tc), 18A(Tc)		34m옴 @ 5.4A, 10V, 68m옴 @ 4A, 10V	2.5V @ 250μA	10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V		30V에서 1159pF, 30V에서 930pF	-
	TQM110NB04CR RLG	2.5700	보상요청		4	0.00000000	대만 건설	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장, 일부	8파워TDFN	TQM110	MOSFET(금속)		8-PDFNU(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	40V	12A(Ta), 54A(Tc)	7V, 10V	11m옴 @ 12A, 10V	3.8V @ 250μA	25nC @ 10V	±20V	20V에서 1352pF	-	3.1W(Ta), 68W(Tc)
	TSM4424CS RVG	1.0700	보상요청		20	0.00000000	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	TSM4424	MOSFET(금속)		8-SOP	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	20V	8A(TC)	1.8V, 4.5V	30m옴 @ 4.5A, 4.5V	1V @ 250μA	11.2nC @ 4.5V	±8V	10V에서 500pF	-	2.5W(타)
	TSM60NC1R5CP ROG	2.9400	보상요청		4	0.00000000	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	TSM60	MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	600V	3A(TC)	10V	1.5옴 @ 1A, 10V	5.5V @ 1mA	8.1nC @ 10V	±20V	25V에서 242pF	-	55W(Tc)
	TSM4946DCS	0.7284	보상요청		4904	0.00000000	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	TSM4946	MOSFET(금속)	2.4W(타)	8-SOP	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-TSM4946DCSTR	EAR99	8541.29.0095	5,000	2 N채널		60V	4.5A(타)		55m옴 @ 4.5A, 10V	3V @ 250μA	30nC @ 10V		910pF @ 24V	기준
	BC338-16 A1G	-	보상요청		7671	0.00000000	대만 건설	-	테이프 및 박스(TB)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	338년		625mW	TO-92	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	4,000													25V	800mA	100nA(ICBO)	NPN	700mV @ 50mA, 500mA	100 @ 100mA, 5V	100MHz
	TSM2NB65CP ROG	-	보상요청		7824	0.00000000	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	-	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	650V	2A(TC)	10V	5옴 @ 1A, 10V	4V @ 250μA	13nC @ 10V	±20V	390pF @ 25V	-	65W(Tc)
	TSM22P10CI C0G	-	보상요청		8891	0.00000000	대만 건설	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩, 분리형 탭		MOSFET(금속)		ITO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	TSM22P10CIC0G	EAR99	8541.29.0095	1		P채널	100V	22A(TC)	4.5V, 10V	140m옴 @ 20A, 10V	3V @ 250μA	42nC @ 10V	±25V	2250pF @ 30V	-	48W(Tc)
	TSM13N50ACZ C0G	-	보상요청		9596	0.00000000	대만 건설	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	500V	13A(티씨)	10V	480m옴 @ 6.5A, 10V	4V @ 250μA	31nC @ 10V	±30V	1965pF @ 25V	-	52W(Tc)
	BC337-16 B1	-	보상요청		7520	0.00000000	대만 건설	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625mW	TO-92	-			REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-BC337-16B1	더 이상 사용하지 않는 경우		1													45V	800mA	100nA(ICBO)	NPN	700mV @ 50mA, 500mA	250 @ 100mA, 5V	100MHz
	TSM680P06CP ROG	1.6100	보상요청		27	0.00000000	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	TSM680	MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		P채널	60V	18A(TC)	4.5V, 10V	68m옴 @ 6A, 10V	2.2V @ 250μA	16.4nC @ 10V	±20V	30V에서 870pF	-	20W(Tc)
	TSM250N02DCQ RFG	1.0100	보상요청		4	0.00000000	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-VDFN옆패드	TSM250	MOSFET(금속)	620mW(Tc)	6-TDFN(2x2)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 N채널(듀얼)		20V	5.8A(Tc)		25m옴 @ 4A, 4.5V	250μA에서 800mV	11nC @ 4.5V		775pF @ 10V	기준
	BC548A A1G	-	보상요청		5591	0.00000000	대만 건설	-	테이프 및 박스(TB)	더 이상 사용하지 않는 경우	-65°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	BC548		500mW	TO-92	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	4,000													30V	100mA	15nA(ICBO)	NPN	-	110 @ 2mA, 5V	-

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