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트랜지스터(888)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
TSM120N06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCR RLG 1.5122
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 ECAD 4314 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN TSM120 MOSFET(금속) 8-PDFN(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 54A(티씨) 4.5V, 10V 12m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 250μA 36.5nC @ 10V ±20V 30V에서 2116pF - 69W(Tc)
TSM200N03DPQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM200N03DPQ33 0.6553
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 ECAD 5162 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN TSM200 MOSFET(금속) 20W(Tc) 8-PDFN(3x3) 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM200N03DPQ33TR EAR99 8541.29.0095 15,000 2 N채널 30V 20A(TC) 20m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 250μA 4.1nC @ 4.5V 345pF @ 25V 기준
BC337-40 B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-40 B1 -
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 ECAD 3889 0.00000000 대만 건설 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92 - REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC337-40B1 더 이상 사용하지 않는 경우 1 45V 800mA 100nA(ICBO) NPN 700mV @ 50mA, 500mA 250 @ 100mA, 5V 100MHz
TSM080N03PQ56 Taiwan Semiconductor Corporation TSM080N03PQ56 0.5916
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 ECAD 3960 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN TSM080 MOSFET(금속) 8-PDFN(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM080N03PQ56TR EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 14A(Ta), 73A(Tc) 4.5V, 10V 8m옴 @ 14A, 10V 2.5V @ 250μA 14.4nC @ 10V ±20V 15V에서 843pF - 2.6W(Ta), 69W(Tc)
KTC3198-BL-M0 A2G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-BL-M0 A2G -
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 ECAD 7823 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 500mW TO-92 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-KTC3198-BL-M0A2GTB 더 이상 사용하지 않는 경우 1 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 3000 @ 150mA, 6V 80MHz
TSM150P03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150P03PQ33 RGG 1.6100
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 ECAD 9 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN TSM150 MOSFET(금속) 8-PDFN(3.1x3.1) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 P채널 30V 36A(티씨) 4.5V, 10V 15m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 250μA 29.3nC @ 10V ±20V 15V에서 1829pF - 27.8W(Tc)
TSM60NC390CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC390CI C0G 6.8200
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 ECAD 3 0.00000000 대만 건설 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 TSM60 MOSFET(금속) ITO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 11A(티씨) 10V 390m옴 @ 3.8A, 10V 5V @ 1mA 21.3nC @ 10V ±20V 25V에서 832pF - 78W(Tc)
TSM60NB600CF Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB600CF 1.9333
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 ECAD 6500 0.00000000 대만 건설 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TSM60 MOSFET(금속) ITO-220S 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM60NB600CF EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 600V 8A(TC) 10V 600m옴 @ 1.7A, 10V 4V @ 250μA 16nC @ 10V ±30V 100V에서 528pF - 41.7W(Tc)
TSM230N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM230N06CP ROG 2.0100
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 ECAD 105 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TSM230 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 34A(티씨) 4.5V, 10V 23m옴 @ 20A, 10V 2.5V @ 250μA 28nC @ 10V ±20V 25V에서 1680pF - 104W(Tc)
TSM035NB04CZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM035NB04CZ 4.1700
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 ECAD 3 0.00000000 대만 건설 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TSM035 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 18A(타), 157A(Tc) 3.5m옴 @ 18A, 10V 4V @ 250μA 110nC @ 10V ±20V 6990pF @ 20V - 2W(Ta), 156W(Tc)
BC817-16 Taiwan Semiconductor Corporation BC817-16 0.0336
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 ECAD 8345 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 300mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC817-16TR EAR99 8541.21.0075 6,000 45V 500mA 100nA(ICBO) NPN 700mV @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 1V 100MHz
BC847C RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC847C RFG 0.0337
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 ECAD 8417 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 200mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2mA, 5V 100MHz
BC550B Taiwan Semiconductor Corporation BC550B 0.0447
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 ECAD 2702 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC550 500mW TO-92 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC550BTB EAR99 8541.21.0095 5,000 45V 100mA 15nA(ICBO) NPN - 200 @ 2mA, 5V -
BC337-40-B0 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-40-B0 A1 -
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 ECAD 8251 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92 - REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC337-40-B0A1TB 더 이상 사용하지 않는 경우 1 45V 800mA 100nA(ICBO) NPN 700mV @ 50mA, 500mA 250 @ 100mA, 5V 100MHz
TSM60NC196CM2 RNG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC196CM2 RNG 9.1600
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 ECAD 2 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB TSM60 MOSFET(금속) TO-263AB(D²PAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 600V 28A(TC) 10V 196m옴 @ 9.5A, 10V 5V @ 1mA 39nC @ 10V ±20V 300V에서 1566pF - 152W(Tc)
TSM085N03PQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM085N03PQ33 0.5699
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 ECAD 2961 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN TSM085 MOSFET(금속) 8-PDFN(3.1x3.1) 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM085N03PQ33TR EAR99 8541.29.0095 10,000 N채널 30V 13A(Ta), 52A(Tc) 4.5V, 10V 8.5m옴 @ 13A, 10V 2.5V @ 250μA 14.3nC @ 10V ±20V 15V에서 817pF - 2.3W(Ta), 37W(Tc)
TSM056NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM056NH04LCR RLG 3.0100
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 ECAD 5 0.00000000 대만 건설 PerFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PDFNU(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 18A(Ta), 54A(Tc) 4.5V, 10V 5.6m옴 @ 27A, 10V 2.2V @ 250μA 30.4nC @ 10V ±16V 25V에서 1940pF - 78.9W(Tc)
KTC3198-Y-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-Y-B0 A1G -
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 ECAD 5430 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 500mW TO-92 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-KTC3198-Y-B0A1GTB 더 이상 사용하지 않는 경우 1 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 150mA, 6V 80MHz
BC547C B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC547C B1G -
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 ECAD 6052 0.00000000 대만 건설 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC547 500mW TO-92 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 5,000 45V 100mA 15nA(ICBO) NPN - 420 @ 2mA, 5V -
TSM2311CX-01 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2311CX-01 RFG -
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 ECAD 5218 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET(금속) SOT-23 - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. TSM2311CX-01RFG EAR99 8541.21.0095 1 P채널 20V 4A(타) 2.5V, 4.5V 55m옴 @ 4A, 4.5V 250μA에서 1.4V 9nC @ 4.5V ±8V 640pF @ 6V - 900mW(타)
BC807-25 Taiwan Semiconductor Corporation BC807-25 0.0333
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 ECAD 2846 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 300mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC807-25TR EAR99 8541.21.0075 6,000 45V 500mA 100nA(ICBO) PNP 700mV @ 50mA, 500mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
TSM10NC60CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NC60CF C0G 1.6128
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 ECAD 9015 0.00000000 대만 건설 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TSM10 MOSFET(금속) ITO-220S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 10A(TC) 10V 750m옴 @ 2.5A, 10V 250μA에서 4.5V 33nC @ 10V ±30V 50V에서 1652pF - 45W(Tc)
TSM7P06CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM7P06CP 0.4877
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 ECAD 9946 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TSM7 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM7P06CPTR EAR99 8541.29.0095 5,000 P채널 60V 7A(TC) 4.5V, 10V 180m옴 @ 3A, 10V 2.5V @ 250μA 8.2nC @ 10V ±20V 30V에서 425pF - 15.6W(Tc)
BC337-25 B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-25 B1 -
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 ECAD 9978 0.00000000 대만 건설 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92 - REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC337-25B1 더 이상 사용하지 않는 경우 1 45V 800mA 100nA(ICBO) NPN 700mV @ 50mA, 500mA 250 @ 100mA, 5V 100MHz
TSM2328CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM2328CX 0.4171
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 ECAD 7755 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2328 MOSFET(금속) SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM2328CXTR EAR99 8541.29.0095 12,000 N채널 100V 1.5A(타) 10V 250m옴 @ 1.5A, 10V 2.5V @ 250μA 11.1nC @ 5V ±20V 25V에서 975pF - 1.38W(타)
TSM60NB380CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB380CH 2.1663
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 ECAD 8075 0.00000000 대만 건설 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA TSM60 MOSFET(금속) TO-251(IPAK) 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM60NB380CH EAR99 8541.29.0095 15,000 N채널 600V 9.5A(Tc) 10V 380m옴 @ 2.85A, 10V 4V @ 250μA 19.4nC @ 10V ±30V 100V에서 795pF - 83W(Tc)
TSM3443CX6 Taiwan Semiconductor Corporation TSM3443CX6 0.3395
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 ECAD 2478 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 TSM3443 MOSFET(금속) SOT-26 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM3443CX6TR EAR99 8541.29.0095 12,000 P채널 20V 4.7A(타) 2.5V, 4.5V 60m옴 @ 4.7A, 4.5V 250μA에서 1.4V 9nC @ 4.5V ±12V 10V에서 640pF - 2W(타)
TSM10NC65CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NC65CF C0G 3.3400
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 ECAD 2 0.00000000 대만 건설 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TSM10 MOSFET(금속) ITO-220S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 10A(TC) 10V 900m옴 @ 2A, 10V 250μA에서 4.5V 34nC @ 10V ±30V 50V에서 1650pF - 45W(Tc)
TSM500P02DCQ Taiwan Semiconductor Corporation TSM500P02DCQ 0.4623
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 ECAD 7294 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-VDFN옆패드 TSM500 MOSFET(금속) 620mW(Tc) 6-TDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM500P02DCQTR EAR99 8541.21.0095 12,000 2P채널 20V 4.7A(Tc) 50m옴 @ 3A, 4.5V 250μA에서 0.8V 13nC @ 4.5V 1230pF @ 10V 기준
TSM300NB06LCV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06LCV RGG 1.5100
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 ECAD 10 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN TSM300 MOSFET(금속) 8-PDFN(3.15x3.1) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 5A(Ta), 24A(Tc) 4.5V, 10V 30m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 250μA 17nC @ 10V ±20V 30V에서 962pF - 1.9W(Ta), 39W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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  • Standard Product Unit

    30,000,000

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  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

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