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트랜지스터(888)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
TSC5988CT A3G Taiwan Semiconductor Corporation TSC5988CT A3G -
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 ECAD 9354 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 1W TO-92 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. TSC5988CTA3G EAR99 8541.29.0075 2,000 60V 5A 50nA(ICBO) NPN 350mV @ 200mA, 5A 120 @ 2A, 1V 130MHz
TSM070NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NH04LCR RLG 2.4300
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 ECAD 4 0.00000000 대만 건설 PerFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PDFNU(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 15A(Ta), 54A(Tc) 4.5V, 10V 7m옴 @ 27A, 10V 2.2V @ 250μA 23nC @ 10V ±16V 25V에서 1446pF - 46.8W(Tc)
TSM7NC65CF Taiwan Semiconductor Corporation TSM7NC65CF 1.5196
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 ECAD 7017 0.00000000 대만 건설 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 TSM7 MOSFET(금속) ITO-220S 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM7NC65CF EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 650V 7A(TC) 10V 1.35옴 @ 2A, 10V 250μA에서 4.5V 24nC @ 10V ±30V 50V에서 1169pF - 44.6W(Tc)
BC548B B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC548B B1G -
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 ECAD 8060 0.00000000 대만 건설 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC548 500mW TO-92 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 5,000 30V 100mA 15nA(ICBO) NPN - 200 @ 2mA, 5V -
TSM60N750CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N750CH C5G -
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 ECAD 5304 0.00000000 대만 건설 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA TSM60 MOSFET(금속) TO-251(IPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,875 N채널 600V 6A(TC) 10V 750m옴 @ 3A, 10V 4V @ 250μA 10.8nC @ 10V ±30V 100V에서 554pF - 62.5W(Tc)
BC817-40 Taiwan Semiconductor Corporation BC817-40 0.0340
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 ECAD 7035 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 300mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC817-40TR EAR99 8541.21.0075 6,000 45V 500mA 100nA(ICBO) NPN 700mV @ 50mA, 500mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
BC337-16-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-16-B0 A1G -
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 ECAD 8294 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC337-16-B0A1GTB 더 이상 사용하지 않는 경우 1 45V 800mA 100nA(ICBO) NPN 700mV @ 50mA, 500mA 250 @ 100mA, 5V 100MHz
BC846AW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC846AW RFG 0.0368
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 ECAD 1445 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 BC846 200mW SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 65V 100mA 100nA(ICBO) NPN 600mV @ 5mA, 100mA 110 @ 2mA, 5V 100MHz
TSM2NB60CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM2NB60CP 0.8736
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 ECAD 8869 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TSM2 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM2NB60CPTR EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 600V 2A(TC) 10V 4.4옴 @ 1A, 10V 250μA에서 4.5V 10V에서 9.4nC ±30V 25V에서 249pF - 44W(Tc)
TSM15N50CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM15N50CZ C0G -
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 ECAD 2329 0.00000000 대만 건설 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TSM15 MOSFET(금속) TO-220 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 500V 14A(TC) 10V 440m옴 @ 7A, 10V 4V @ 250μA 39nC @ 10V ±30V 2263pF @ 25V - -
TSM040N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM040N03CP ROG 2.0400
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 ECAD 5 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TSM040 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 90A(Tc) 4.5V, 10V 4m옴 @ 24A, 10V 2.5V @ 250μA 53nC @ 4.5V ±20V 2200pF @ 25V - 88W(Tc)
TSM280NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM280NB06LCR RLG 1.4800
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 ECAD 7 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN TSM280 MOSFET(금속) 8-PDFN(5.2x5.75) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 7A(Ta), 28A(Tc) 4.5V, 10V 28m옴 @ 7A, 10V 2.5V @ 250μA 18nC @ 10V ±20V 30V에서 969pF - 3.1W(Ta), 56W(Tc)
TSC5804DCHC5G Taiwan Semiconductor Corporation TSC5804DCHC5G -
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 ECAD 5877 0.00000000 대만 건설 - 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA TSC5804 45W TO-251(IPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 450V 5A 250μA NPN 2V @ 1A, 3.5A 25 @ 200mA, 3V -
TSM160N10LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM160N10LCR RLG 3.8300
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 ECAD 11 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN TSM160 MOSFET(금속) 8-PDFN(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 46A(Tc) 4.5V, 10V 16m옴 @ 8A, 10V 2.5V @ 250μA 73nC @ 10V ±20V 50V에서 4431pF - 83W(Tc)
TSA894CT A3G Taiwan Semiconductor Corporation TSA894CT A3G -
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 ECAD 2204 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 1W TO-92 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,000 500V 150mA 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 10mA, 50mA 150@1mA, 10V 50MHz
TSM2311CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2311CX RFG -
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 ECAD 3331 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET(금속) SOT-23 - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 4A(타) 2.5V, 4.5V 55m옴 @ 4A, 4.5V 250μA에서 1.4V 6nC @ 4.5V ±8V 640pF @ 6V - 900mW(타)
TSM80N950CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N950CI C0G 6.6900
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 ECAD 6025 0.00000000 대만 건설 - 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 TSM80 MOSFET(금속) ITO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 800V 6A(TC) 10V 950m옴 @ 2A, 10V 4V @ 250μA 19.6nC @ 10V ±30V 100V에서 691pF - 25W(Tc)
KTC3198-BL-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-BL-B0 A1G -
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 ECAD 8751 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 500mW TO-92 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-KTC3198-BL-B0A1GTB 더 이상 사용하지 않는 경우 1 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 3000 @ 150mA, 6V 80MHz
BC846A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC846A RFG 0.0343
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 ECAD 5008 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 200mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 65V 100mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 5mA, 100mA 110 @ 2mA, 5V 100MHz
BC548C A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC548C A1G -
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 ECAD 9171 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 BC548 500mW TO-92 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 4,000 30V 100mA 15nA(ICBO) NPN - 420 @ 2mA, 5V -
TSM3N90CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N90CH C5G -
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 ECAD 8127 0.00000000 대만 건설 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA TSM3N90 MOSFET(금속) TO-251(IPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,750 N채널 900V 2.5A(Tc) 10V 5.1옴 @ 1.25A, 10V 4V @ 250μA 17nC @ 10V ±30V 25V에서 748pF - 94W(Tc)
BC858A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC858A RFG 0.0343
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 ECAD 4215 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 200mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 100mA 100nA(ICBO) PNP 650mV @ 5mA, 100mA 125 @ 2mA, 5V 100MHz
TSM650P03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM650P03CX RFG 0.8100
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 ECAD 2 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM650 MOSFET(금속) SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 4.1A(Tc) 2.5V, 10V 65m옴 @ 4A, 10V 250μA에서 900mV 6.4nC @ 4.5V ±12V 15V에서 810pF - 1.56W(Tc)
TSM6968SDCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSM6968SDCA RVG 1.5300
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 ECAD 136 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) TSM6968 MOSFET(금속) 1.04W 8-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 6.5A(타) 22m옴 @ 6.5A, 4.5V 1V @ 250μA 15nC @ 4.5V 950pF @ 10V -
BC817-40 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC817-40 RFG 0.0346
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 ECAD 2983년 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 300mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 500mA 100nA(ICBO) NPN 700mV @ 50mA, 500mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
TSM070NH04LCV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NH04LCV RGG 2.2500
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 ECAD 9 0.00000000 대만 건설 PerFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN MOSFET(금속) 8-PDFN(3.1x3.1) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 14A(Ta), 54A(Tc) 4.5V, 10V 7m옴 @ 27A, 10V 2.2V @ 250μA 24nC @ 10V ±16V 25V에서 1376pF - 36W(Tc)
BC548B A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC548B A1 -
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 ECAD 2833 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 500mW TO-92 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC548BA1TB 더 이상 사용하지 않는 경우 1 30V 100mA 15nA(ICBO) NPN - 200 @ 2mA, 5V -
TSM024NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM024NA04LCR RLG 1.5500
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 ECAD 27 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN TSM024 MOSFET(금속) 8-PDFN(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 170A(Tc) 4.5V, 10V 2.4m옴 @ 25A, 10V 2.5V @ 250μA 67nC @ 10V ±20V 20V에서 4224pF - 125W(Tc)
TSM033NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NA03CR RLG 0.8500
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 ECAD 20 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN TSM033 MOSFET(금속) 8-PDFN(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 129A(Tc) 4.5V, 10V 3.3m옴 @ 21A, 10V 2.5V @ 250μA 31nC @ 10V ±20V 15V에서 1850pF - 96W(Tc)
TSM60NB380CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB380CP 2.2100
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 ECAD 7950 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TSM60 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM60NB380CPTR EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 600V 9.5A(Tc) 10V 380m옴 @ 2.85A, 10V 4V @ 250μA 19.4nC @ 10V ±30V 100V에서 795pF - 83W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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