 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | FET 종류 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | TSM2308CX RFG | 0.8900 |  | 11 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2308 | MOSFET(금속) | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 3A(타) | 4.5V, 10V | 156m옴 @ 3A, 10V | 2.5V @ 250μA | 4.3nC @ 4.5V | ±20V | 15V에서 511pF | - | 1.25W(타) | ||||||||||
|  | TSM60NB900CH | 1.2444 |  | 9004 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | TSM60 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM60NB900CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 15,000 | N채널 | 600V | 4A(TC) | 10V | 900m옴 @ 1.2A, 10V | 4V @ 250μA | 10V에서 9.6nC | ±30V | 100V에서 315pF | - | 36.8W(Tc) | ||||||||||
|  | TSM6N60CP ROG | - |  | 1065 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 600V | 6A(TC) | 10V | 1.25옴 @ 3A, 10V | 4V @ 250μA | 20.7nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1248pF | - | 89W(Tc) | |||||||||||
|  | TSM2312CX RFG | 0.5900 |  | 190 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2312 | MOSFET(금속) | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 20V | 4.9A(Tc) | 1.8V, 4.5V | 33m옴 @ 4.9A, 4.5V | 1V @ 250μA | 11.2nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 500pF | - | 750mW(타) | ||||||||||
|  | BC337-25-B0 A1G | - |  | 8279 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC337-25-B0A1GTB | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 45V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||
|  | TSM5ND50CI | 1.2259 |  | 6096 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM5 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM5ND50CI | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 500V | 5A(Tc) | 1.5옴 @ 1.6A, 10V | 3.8V @ 250μA | 16nC @ 10V | ±30V | 50V에서 603pF | - | 42W(Tc) | |||||||||||
| BC337-40 B1G | - |  | 8486 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 337년 | 625mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 45V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
|  | TSM042N03CS RLG | 1.8300 |  | 16 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | TSM042 | MOSFET(금속) | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 30A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.2m옴 @ 12A, 10V | 2.5V @ 250μA | 24nC @ 4.5V | ±20V | 2200pF @ 25V | - | 7W(Tc) | ||||||||||
|  | TSM70N600CP ROG | 5.1100 |  | 5 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSM70 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 700V | 8A(TC) | 10V | 600m옴 @ 4A, 10V | 4V @ 250μA | 12.6nC @ 10V | ±30V | 100V에서 743pF | - | 83W(Tc) | ||||||||||
|  | TSM3446CX6 RFG | 0.8700 |  | 34 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 | TSM3446 | MOSFET(금속) | SOT-26 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 20V | 5.3A(Tc) | 2.5V, 4.5V | 33m옴 @ 5.3A, 4.5V | 1V @ 250μA | 8.8nC @ 4.5V | ±12V | 10V에서 700pF | - | 2W(타) | ||||||||||
|  | BC549A A1G | - |  | 7750 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC549 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 30V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 110 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||
|  | TSG65N110CE RVG | 15.8300 |  | 9450 | 0.00000000 | 대만 건설 | * | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | TSG65 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | BC548A | 0.0604 |  | 4560 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 활동적인 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC548 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC548ATB | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 30V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 110 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||
|  | TSM60NB041PW C1G | 28.2500 |  | 2 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | TSM60 | MOSFET(금속) | TO-247 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N채널 | 600V | 78A (Tc) | 10V | 41m옴 @ 21.7A, 10V | 4V @ 250μA | 139nC @ 10V | ±30V | 6120pF @ 100V | - | 446W(Tc) | ||||||||||
|  | TSM500N03CP ROG | - |  | 9860 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 12.5A(Tc) | 4.5V, 10V | 50m옴 @ 8A, 10V | 3V @ 250μA | 7nC @ 4.5V | ±20V | 270pF @ 25V | - | 12.5W(Tc) | |||||||||||
|  | BC546B A1G | - |  | 1446 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC546 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 200 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||
|  | BC849AW RFG | 0.0368 |  | 4483 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC849 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||
|  | TSM170N06CH | 0.9530 |  | 9155 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | TSM170 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM170N06CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 15,000 | N채널 | 60V | 38A(Tc) | 4.5V, 10V | 17m옴 @ 20A, 10V | 2.5V @ 250μA | 15nC @ 4.5V | ±20V | 25V에서 900pF | - | 46W(Tc) | ||||||||||
|  | KTC3198-O A1G | - |  | 7951 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | KTC3198 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV @ 10mA, 100mA | 70 @ 2mA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||
|  | BC817-25 RFG | 0.0346 |  | 8588 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC817 | 300mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 500mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||
|  | BC338-25 A1G | - |  | 7385 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 338년 | 625mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 25V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||
| BC549A B1G | - |  | 6458 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC549 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 30V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 110 @ 2mA, 5V | - | |||||||||||||||
|  | TSM10ND65CI | 2.2540 |  | 2350 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM10 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM10ND65CI | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 650V | 10A(TC) | 10V | 800m옴 @ 3A, 10V | 3.8V @ 250μA | 39.6nC @ 10V | ±30V | 50V에서 1863pF | - | 56.8W(Tc) | ||||||||||
| KTC3198-O B1G | - |  | 7703 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | KTC3198 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV @ 10mA, 100mA | 70 @ 2mA, 6V | 80MHz | |||||||||||||||
| BC546C B1G | - |  | 1318 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC546 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 420 @ 2mA, 5V | - | |||||||||||||||
|  | TSM170N06CH C5G | 2.2200 |  | 29 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | TSM170 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 60V | 38A(Tc) | 4.5V, 10V | 17m옴 @ 20A, 10V | 2.5V @ 250μA | 28.5nC @ 10V | ±20V | 25V에서 900pF | - | 46W(Tc) | ||||||||||
|  | TSM80N1R2CL | 3.4316 |  | 3851 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | TSM80 | MOSFET(금속) | I2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM80N1R2CL | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 800V | 5.5A(Tc) | 10V | 1.2옴 @ 1.8A, 10V | 4V @ 250μA | 19.4nC @ 10V | ±30V | 100V에서 685pF | - | 110W(Tc) | ||||||||||
|  | TSM085P03CS | 0.8944 |  | 9117 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | TSM085 | MOSFET(금속) | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM085P03CSTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P채널 | 30V | 34A(티씨) | 4.5V, 10V | 8.5m옴 @ 13A, 10V | 2.5V @ 250μA | 56nC @ 10V | ±20V | 3216pF @ 15V | - | 14W(Tc) | ||||||||||
|  | TSM70N600CI C0G | 3.0142 |  | 9236 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM70 | MOSFET(금속) | ITO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 700V | 8A(TC) | 10V | 600m옴 @ 4A, 10V | 4V @ 250μA | 12.6nC @ 10V | ±30V | 100V에서 743pF | - | 83W(Tc) | ||||||||||
|  | TSG65N190CR RVG | 10.4600 |  | 3826 | 0.00000000 | 대만 건설 | * | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | TSG65 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 3,000 | 

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