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트랜지스터(888)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	FET 종류	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
TSM60NB900CH C5G	2.9000	보상요청	55	대만 건설	-	튜브	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA	TSM60	MOSFET(금속)		TO-251(IPAK)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	75	N채널	600V	4A(TC)	10V	900m옴 @ 1.2A, 10V	4V @ 250μA	10V에서 9.6nC	±30V	100V에서 315pF	-	36.8W(Tc)
BC807-40W	0.0453	보상요청	9268	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323	BC807		200mW	SOT-323	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-BC807-40WTR	EAR99	8541.21.0095	6,000												45V	500mA	100μA(ICBO)	PNP	700mV @ 50mA, 500mA	250 @ 100mA, 1V	80MHz
TSM056NH04LCV RGG	2.9300	보상요청	9	대만 건설	PerFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN		MOSFET(금속)		8-PDFN(3.1x3.1)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	5,000	N채널	40V	16A(Ta), 54A(Tc)	4.5V, 10V	5.6m옴 @ 27A, 10V	2.2V @ 250μA	33nC @ 10V	±16V	2076pF @ 25V	-	34W(Tc)
TSM052NB03CR	0.7393	보상요청	6740	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	TSM052	MOSFET(금속)		8-PDFN(5x6)	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-TSM052NB03CRTR	EAR99	8541.29.0095	5,000	N채널	30V	17A(타), 90A(Tc)	4.5V, 10V	5.2m옴 @ 17A, 10V	2.5V @ 250μA	41nC @ 10V	±20V	15V에서 2294pF	-	3.1W(Ta), 83W(Tc)
BC848BW	0.0361	보상요청	5870	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323	BC848		200mW	SOT-323	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-BC848BWTR	EAR99	8541.21.0075	18,000												30V	100mA	15nA(ICBO)	NPN	600mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2mA, 5V	100MHz
TSM060NB06LCZ	2.0942	보상요청	6654	대만 건설	-	튜브	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	TSM060	MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-TSM060NB06LCZ	EAR99	8541.29.0095	4,000	N채널	60V	13A(타), 111A(Tc)	4.5V, 10V	6m옴 @ 13A, 10V	2.5V @ 250μA	107nC @ 10V	±20V	30V에서 6273pF	-	2W(Ta), 156W(Tc)
TSM120NA03CR RLG	-	보상요청	7835	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	TSM120	MOSFET(금속)		8-PDFN(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널	30V	39A(Tc)	4.5V, 10V	11.7m옴 @ 11A, 10V	2.5V @ 250μA	9.2nC @ 10V	±20V	15V에서 562pF	-	33W(Tc)
TSM900N06CH X0G	1.7200	보상요청	52	대만 건설	-	튜브	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 스텁 레코드, IPak	TSM900	MOSFET(금속)		TO-251(IPAK)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	75	N채널	60V	11A(티씨)	4.5V, 10V	90m옴 @ 6A, 10V	2.5V @ 250μA	9.3nC @ 10V	±20V	15V에서 500pF	-	25W(Tc)
TSM130NB06LCR	-	보상요청	9671	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	TSM130	MOSFET(금속)		8-PDFN(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널	60V	10A(Ta), 51A(Tc)	4.5V, 10V	13m옴 @ 10A, 10V	2.5V @ 250μA	37nC @ 10V	±20V	30V에서 2175pF	-	3.1W(Ta), 83W(Tc)
TSM240N03CX6	0.3425	보상요청	2360	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	SOT-23-6	TSM240	MOSFET(금속)		SOT-26	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-TSM240N03CX6TR	EAR99	8541.29.0095	12,000	N채널	30V	6.5A(Tc)	4.5V, 10V	24m옴 @ 6A, 10V	2.5V @ 250μA	4.1nC @ 4.5V	±20V	345pF @ 25V	-	1.56W(Tc)
TSM150NB04CR RLG	1.4800	보상요청	5	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8-PowerLDFN	TSM150	MOSFET(금속)		8-PDFN(5.2x5.75)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널	40V	10A(Ta), 41A(Tc)	10V	15m옴 @ 10A, 10V	4V @ 250μA	19nC @ 10V	±20V	20V에서 1092pF	-	3.1W(Ta), 56W(Tc)
KTC3198-BL-M0 B2G	-	보상요청	7384	대만 건설	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			500mW	TO-92	다운로드			REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-KTC3198-BL-M0B2G	더 이상 사용하지 않는 경우		1												50V	150mA	100nA(ICBO)	NPN	250mV @ 10mA, 100mA	3000 @ 150mA, 6V	80MHz
TSM650P03CX	0.2806	보상요청	2315	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TSM650	MOSFET(금속)		SOT-23	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-TSM650P03CXTR	EAR99	8541.29.0095	12,000	P채널	30V	4.1A(Tc)	2.5V, 10V	65m옴 @ 4A, 10V	250μA에서 900mV	8nC @ 4.5V	±12V	15V에서 810pF	-	1.56W(Tc)
TSM4NC50CP ROG	1.8600	보상요청	4	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	TSM4	MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널	500V	4A(TC)	10V	2.7옴 @ 1.7A, 10V	3V @ 250μA	12nC @ 10V	±20V	50V에서 453pF	-	83W(Tc)
BC848AW	0.0357	보상요청	4512	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323	BC848		200mW	SOT-323	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-BC848AWTR	EAR99	8541.21.0075	18,000												30V	100mA	15nA(ICBO)	NPN	600mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2mA, 5V	100MHz
TSM051N04LCP ROG	2.3100	보상요청	5	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	TSM051	MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널	40V	16A(타), 96A(Tc)	4.5V, 10V	5.1m옴 @ 16A, 10V	2.5V @ 250μA	44.5nC @ 10V	±20V	2456pF @ 20V	-	2.6W(Ta), 89W(Tc)
TSM4NC50CP	0.8190	보상요청	6074	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	TSM4	MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-TSM4NC50CPTR	EAR99	8541.29.0095	5,000	N채널	500V	4A(TC)	10V	2.7옴 @ 1.7A, 10V	3V @ 250μA	12nC @ 10V	±20V	50V에서 453pF	-	83W(Tc)
MMBT3906L	0.0247	보상요청	5617	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT3906L		350mW	SOT-23	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-MMBT3906LTR	EAR99	8541.21.0075	9,000												40V	200mA	100nA(ICBO)	PNP	400mV @ 5mA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	250MHz
TSM60NC1R5CH C5G	2.9400	보상요청	14	대만 건설	-	튜브	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA	TSM60	MOSFET(금속)		TO-251(IPAK)	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	75	N채널	600V	3A(TC)	10V	1.5옴 @ 1A, 10V	5V @ 1mA	7.6nC @ 10V	±20V	25V에서 242pF	-	39W(Tc)
TQM130NB06CR RLG	2.9100	보상요청	3	대만 건설	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장, 일부	8파워TDFN	TQM130	MOSFET(금속)		8-PDFNU(5x6)	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널	60V	10A(Ta), 50A(Tc)	7V, 10V	13m옴 @ 10A, 10V	3.8V @ 250μA	40nC @ 10V	±20V	30V에서 2234pF	-	3.1W(Ta), 83W(Tc)
KTC3198-Y A1G	-	보상요청	7037	대만 건설	-	테이프 및 박스(TB)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	KTC3198		500mW	TO-92	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	4,000												50V	150mA	100nA(ICBO)	NPN	250mV @ 10mA, 100mA	70 @ 2mA, 6V	80MHz
TSM250NB06LCV	0.6661	보상요청	7458	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN	TSM250	MOSFET(금속)		8-PDFN(3.15x3.1)	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-TSM250NB06LCVTR	EAR99	8541.29.0095	10,000	N채널	60V	6A(Ta), 27A(Tc)	4.5V, 10V	25m옴 @ 6A, 10V	2.5V @ 250μA	23nC @ 10V	±20V	30V에서 1307pF	-	1.9W(Ta), 42W(Tc)
TSM060N03ECP	0.7524	보상요청	6182	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	TSM060	MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-TSM060N03ECPTR	EAR99	8541.29.0095	5,000	N채널	30V	70A(Tc)	4.5V, 10V	6m옴 @ 20A, 10V	2.5V @ 250μA	11.1nC @ 4.5V	±20V	25V에서 1210pF	-	54W(Tc)
TSM033NB04CR RLG	2.9400	보상요청	3	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	TSM033	MOSFET(금속)		8-PDFN(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널	40V	21A(타), 121A(Tc)	10V	3.3m옴 @ 21A, 10V	4V @ 250μA	77nC @ 10V	±20V	5022pF @ 20V	-	3.1W(Ta), 107W(Tc)
TSC5302DCHC5G	-	보상요청	2426	대만 건설	-	튜브	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA	TSC5302		25W	TO-251(IPAK)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	75												400V	2A	1μA(ICBO)	NPN	1.5V @ 250mA, 1A	10 @ 400mA, 5V	-
TQM300NB06CR RLG	2.2400	보상요청	4	대만 건설	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장, 일부	8파워TDFN	TQM300	MOSFET(금속)		8-PDFNU(5x6)	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	N채널	60V	6A(Ta), 27A(Tc)	7V, 10V	30m옴 @ 6A, 10V	3.8V @ 250μA	20nC @ 10V	±20V	30V에서 1009pF	-	3.1W(Ta), 56W(Tc)
MMBT2907A	0.0336	보상요청	6801	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2907		350mW	SOT-23	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-MMBT2907ATR	EAR99	8541.21.0075	6,000												60V	600mA	50nA	PNP	1.6V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	200MHz
TSM10N80CI C0G	-	보상요청	8795	대만 건설	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩, 분리형 탭	TSM10	MOSFET(금속)		ITO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,000	N채널	800V	9.5A(Tc)	10V	1.05옴 @ 4.75A, 10V	4V @ 250μA	53nC @ 10V	±30V	2336pF @ 25V	-	48W(Tc)
BC550B A1	-	보상요청	6216	대만 건설	-	테이프 및 박스(TB)	더 이상 사용하지 않는 경우	-65°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록			500mW	TO-92	다운로드			REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-BC550BA1TB	더 이상 사용하지 않는 경우		1												45V	100mA	15nA(ICBO)	NPN	-	200 @ 2mA, 5V	-
TSM4N90CZ C0G	1.7900	보상요청	977	대만 건설	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	TSM4N90	MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,000	N채널	900V	4A(TC)	10V	4옴 @ 2A, 10V	4V @ 250μA	25nC @ 10V	±30V	25V에서 955pF	-	38.7W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(888)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²