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트랜지스터(888)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
TSM4953DCS RLG	1.6600	보상요청	23	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	TSM4953	MOSFET(금속)	2.5W	8-SOP	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	2 P채널(듀얼)		30V	4.9A(타)		60m옴 @ 4.9A, 10V	3V @ 250μA	28nC @ 10V		745pF @ 15V	-
BC337-40-B0 B1G	-	보상요청	9333	대만 건설	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625mW	TO-92	다운로드			REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-BC337-40-B0B1G	더 이상 사용하지 않는 경우		1													45V	800mA	100nA(ICBO)	NPN	700mV @ 50mA, 500mA	250 @ 100mA, 5V	100MHz
TSM180N03CS	0.4273	보상요청	1155	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	TSM180	MOSFET(금속)		8-SOP	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-TSM180N03CSTR	EAR99	8541.29.0095	5,000		N채널	30V	9A(TC)	4.5V, 10V	18m옴 @ 8A, 10V	2V @ 250μA	4.1nC @ 4.5V	±20V	345pF @ 25V	-	2.5W(Tc)
TSM4435BCS RLG	-	보상요청	7715	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		MOSFET(금속)		8-SOP	-	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		P채널	30V	9.1A(타)	4.5V, 10V	21m옴 @ 9.1A, 10V	3V @ 250μA	3.2nC @ 10V	±20V	1900pF @ 15V	-	2.5W(타)
TSM033NB04LCR RLG	2.9500	보상요청	5	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8-PowerLDFN	TSM033	MOSFET(금속)		8-PDFN(5.2x5.75)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	40V	21A(타), 121A(Tc)	4.5V, 10V	3.3m옴 @ 21A, 10V	2.5V @ 250μA	79nC @ 10V	±20V	20V에서 4456pF	-	3.1W(Ta), 107W(Tc)
BC548B A1G	-	보상요청	8319	대만 건설	-	테이프 및 박스(TB)	더 이상 사용하지 않는 경우	-65°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	BC548		500mW	TO-92	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	4,000													30V	100mA	15nA(ICBO)	NPN	-	200 @ 2mA, 5V	-
BC817-25	0.0336	보상요청	5583	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC817		300mW	SOT-23	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-BC817-25TR	EAR99	8541.21.0075	6,000													45V	500mA	100nA(ICBO)	NPN	700mV @ 50mA, 500mA	160 @ 100mA, 1V	100MHz
TSM210N06CZ C0G	-	보상요청	1104	대만 건설	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	60V	210A(Tc)	10V	3.1m옴 @ 90A, 10V	4V @ 250μA	160nC @ 10V	±20V	30V에서 7900pF	-	250W(Tc)
TSM4NB60CZ C0G	-	보상요청	5481	대만 건설	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	600V	4A(TC)	10V	2.5옴 @ 2A, 10V	250μA에서 4.5V	14.5nC @ 10V	±30V	25V에서 500pF	-	50W(Tc)
TQM019NH04CR RLG	6.5400	보상요청	5	대만 건설	자동차, AEC-Q101, PerFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장, 일부	8파워TDFN		MOSFET(금속)		8-PDFNU(4.9x5.75)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	5,000		N채널	40V	30A(Ta), 100A(Tc)	7V, 10V	1.9m옴 @ 50A, 10V	3.6V @ 250μA	134nC @ 10V	±20V	25V에서 9044pF	-	150W(Tc)
TSM60N900CI C0G	0.7191	보상요청	5761	대만 건설	-	튜브	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩, 분리형 탭	TSM60	MOSFET(금속)		ITO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	600V	4.5A(Tc)	10V	900m옴 @ 2.3A, 10V	4V @ 250μA	10V에서 9.7nC	±30V	100V에서 480pF	-	50W(Tc)
TSC966CW RPG	0.6500	보상요청	470	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA	TSC966			SOT-223	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	2,500													400V	300mA	1μA	NPN	500mV @ 5mA, 50mA	100 @ 1mA, 5V	-
TSM7ND60CI	3.3700	보상요청	3	대만 건설	-	튜브	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩, 분리형 탭	TSM7	MOSFET(금속)		ITO-220	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	600V	7A(TC)	10V	1.2옴 @ 2A, 10V	3.8V @ 250μA	25nC @ 10V	±30V	50V에서 1108pF	-	50W(Tc)
BC807-25 RFG	0.0342	보상요청	3739	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC807		300mW	SOT-23	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000													45V	500mA	200nA(ICBO)	PNP	700mV @ 50mA, 500mA	160 @ 100mA, 1V	100MHz
KTC3198-O-B0 B1G	-	보상요청	2976년	대만 건설	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			500mW	TO-92	다운로드			REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-KTC3198-O-B0B1G	더 이상 사용하지 않는 경우		1													50V	150mA	100nA(ICBO)	NPN	250mV @ 10mA, 100mA	70 @ 150mA, 6V	80MHz
TQM070NH04CR RLG	2.7600	보상요청	5	대만 건설	자동차, AEC-Q101, PerFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	TQM070	MOSFET(금속)		8-PDFN(5x6)	다운로드		1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	40V	16A(Ta), 54A(Tc)	7V, 10V	7m옴 @ 27A, 10V	3.6V @ 250μA	28.5nC @ 10V	±20V	2006pF @ 25V	-	46.8W(Tc)
TSB772CK C0G	0.1589	보상요청	3138	대만 건설	-	튜브	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	150°C (TJ)	스루홀	TO-225AA, TO-126-3	TSB772		10W	TO-126	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	50													30V	3A	1μA	PNP	500mV @ 200mA, 2A	100 @ 1A, 2V	80MHz
TSA1036CX RFG	-	보상요청	8685	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TSA1036		225mW	SOT-23	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000													60V	600mA	10nA(ICBO)	PNP	400mV @ 15mA, 150mA	100 @ 150mA, 10V	200MHz
TSM4NB65CP	0.9828	보상요청	6816	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	TSM4	MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-TSM4NB65CPTR	EAR99	8541.29.0095	5,000		N채널	650V	4A(TC)	10V	3.37옴 @ 2A, 10V	250μA에서 4.5V	13.46nC @ 10V	±30V	25V에서 549pF	-	50W(Tc)
TSC5302DCP ROG	-	보상요청	8820	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	TSC5302		25W	TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500													400V	2A	1μA(ICBO)	NPN	1.5V @ 250mA, 1A	10 @ 400mA, 5V	-
TQM056NH04LCR RLG	2.9700	보상요청	5	대만 건설	자동차, AEC-Q101, PerFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	TQM056	MOSFET(금속)		8-PDFN(5x6)	다운로드		1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	40V	17A(Ta), 54A(Tc)	4.5V, 10V	5.6m옴 @ 27A, 10V	2.2V @ 250μA	45.6nC @ 10V	±16V		-	78.9W(Tc)
KTC3198-GR-M0 B2G	-	보상요청	2979	대만 건설	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			500mW	TO-92	다운로드			REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-KTC3198-GR-M0B2G	더 이상 사용하지 않는 경우		1													50V	150mA	100nA(ICBO)	NPN	250mV @ 10mA, 100mA	200 @ 150mA, 6V	80MHz
TSM4NB65CI C0G	1907년 1월	보상요청	6549	대만 건설	-	튜브	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩, 분리형 탭	TSM4NB65	MOSFET(금속)		ITO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널	650V	4A(TC)	10V	3.37옴 @ 2A, 10V	250μA에서 4.5V	13.46nC @ 10V	±30V	25V에서 549pF	-	70W(Tc)
TSM038N04LCP	1.5504	보상요청	3715	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	TSM038	MOSFET(금속)		TO-252, (D-박)	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-TSM038N04LCPTR	EAR99	8541.29.0095	5,000		N채널	40V	19A(타), 135A(Tc)	4.5V, 10V	3.8m옴 @ 19A, 10V	2.5V @ 250μA	104nC @ 10V	±20V	5509pF @ 20V	-	2.6W(Ta), 125W(Tc)
BC817-16W	0.0350	보상요청	9715	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323	BC817		200mW	SOT-323	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-BC817-16WTR	EAR99	8541.21.0075	6,000													45V	500mA	100nA(ICBO)	NPN	700mV @ 50mA, 500mA	100 @ 100mA, 1V	100MHz
TSM019NH04CR RLG	6.3000	보상요청	5	대만 건설	PerFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN		MOSFET(금속)		8-PDFNU(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	40V	35A(Ta), 100A(Tc)	7V, 10V	1.9m옴 @ 50A, 10V	3.6V @ 250μA	89nC @ 10V	±20V	6029pF @ 25V	-	150W(Tc)
TSM170N06PQ56	0.9676	보상요청	7242	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	TSM170	MOSFET(금속)		8-PDFN(5x6)	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-TSM170N06PQ56TR	EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	60V	8A(Ta), 44A(Tc)	4.5V, 10V	17m옴 @ 8A, 10V	2.5V @ 250μA	29nC @ 10V	±20V	30V에서 1556pF	-	2.6W(Ta), 73.5W(Tc)
TSM085P03CV	0.8650	보상요청	3740	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN	TSM085	MOSFET(금속)		8-PDFN(3.1x3.1)	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-TSM085P03CVTR	EAR99	8541.29.0095	10,000		P채널	30V	14A(Ta), 64A(Tc)	4.5V, 10V	8.5m옴 @ 14A, 10V	2.5V @ 250μA	55nC @ 10V	±20V	15V에서 3234pF	-	2.4W(Ta), 50W(Tc)
TSM60N600CH C5G	0.7222	보상요청	7903	대만 건설	-	튜브	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA	TSM60	MOSFET(금속)		TO-251(IPAK)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	75		N채널	600V	8A(TC)	10V	600m옴 @ 4A, 10V	4V @ 250μA	13nC @ 10V	±30V	100V에서 743pF	-	83W(Tc)
TSM650N15CR	2.4192	보상요청	5903	대만 건설	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	TSM650	MOSFET(금속)		8-PDFN(5x6)	다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	1801-TSM650N15CRTR	EAR99	8541.29.0095	5,000		N채널	150V	4A(Ta), 24A(Tc)	6V, 10V	65m옴 @ 4A, 10V	4V @ 250μA	36nC @ 10V	±20V	75V에서 1829pF	-	2.6W(Ta), 96W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(888)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²