| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSM900N06CP | 0.5530 | ![]() | 1716년 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSM900 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM900N06CPTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 60V | 11A(티씨) | 4.5V, 10V | 90m옴 @ 6A, 10V | 2.5V @ 250μA | 9.3nC @ 10V | ±20V | 15V에서 500pF | - | 25W(Tc) | |||||||||||
![]() | BC850AW RFG | 0.0368 | ![]() | 2689 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC850 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM4N70CP ROG | - | ![]() | 2351 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | - | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 700V | 3.5A(Tc) | 10V | 3.3옴 @ 2A, 10V | 4V @ 250μA | 14nC @ 10V | ±30V | 25V에서 595pF | - | 56W(Tc) | ||||||||||||
![]() | TSM056NH04CR RLG | 3.0100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 대만 건설 | PerFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PDFNU(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 40V | 18A(Ta), 54A(Tc) | 7V, 10V | 5.6m옴 @ 27A, 10V | 3.6V @ 250μA | 27.3nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1942pF | - | 78.9W(Tc) | ||||||||||||
![]() | TSM4953DCS RLG | 1.6600 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | TSM4953 | MOSFET(금속) | 2.5W | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P채널(듀얼) | 30V | 4.9A(타) | 60m옴 @ 4.9A, 10V | 3V @ 250μA | 28nC @ 10V | 745pF @ 15V | - | |||||||||||||
![]() | BC337-40-B0 B1G | - | ![]() | 9333 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC337-40-B0B1G | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 45V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BC550B A1G | - | ![]() | 2741 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC550 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 200 @ 2mA, 5V | - | |||||||||||||||
![]() | TSM190N08CZ | 5.2624 | ![]() | 6909 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM190 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM190N08CZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 75V | 17A(타), 190A(Tc) | 10V | 4.2m옴 @ 90A, 10V | 4V @ 250μA | 160nC @ 10V | ±20V | 30V에서 8600pF | - | 2W(Ta), 250W(Tc) | |||||||||||
![]() | KTC3198-GR-M0 B2G | - | ![]() | 2979 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-KTC3198-GR-M0B2G | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV @ 10mA, 100mA | 200 @ 150mA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TSM7N90CZ C0G | - | ![]() | 9040 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM7N90 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 900V | 7A(TC) | 10V | 1.9옴 @ 3.5A, 10V | 4V @ 250μA | 49nC @ 10V | ±30V | 1969pF @ 25V | - | 40.3W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM040N03CP | 0.8900 | ![]() | 9375 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSM040 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM040N03CPTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 30V | 90A(Tc) | 4.5V, 10V | 4m옴 @ 24A, 10V | 2.5V @ 250μA | 24nC @ 4.5V | ±20V | 2200pF @ 25V | - | 88W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM480P06CI C0G | - | ![]() | 8557 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -50°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | TSM480P06CIC0G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P채널 | 60V | 20A(TC) | 4.5V, 10V | 48m옴 @ 8A, 10V | 2.2V @ 250μA | 22.4nC @ 10V | ±20V | 30V에서 1250pF | - | 27W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM70N750CH C5G | 2.1535 | ![]() | 3741 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | TSM70 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 700V | 6A(TC) | 10V | 750m옴 @ 1.8A, 10V | 4V @ 250μA | 10.7nC @ 10V | ±30V | 100V에서 555pF | - | 62.5W(Tc) | |||||||||||
![]() | BC857A | 0.0334 | ![]() | 7729 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC857ATR | EAR99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 45V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | BC550B B1 | - | ![]() | 2688 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC550BB1 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 200 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
![]() | TSM3401CX RFG | 1.2500 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM3401 | MOSFET(금속) | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 30V | 3A(타) | 4.5V, 10V | 60m옴 @ 3A, 10V | 3V @ 250μA | 2.7nC @ 10V | ±20V | 551.57pF @ 15V | - | 1.25W(타) | |||||||||||
![]() | BC547B A1G | - | ![]() | 3049 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC547 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 200 @ 2mA, 5V | - | |||||||||||||||
![]() | TSM180N03CS | 0.4273 | ![]() | 1155 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | TSM180 | MOSFET(금속) | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM180N03CSTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 30V | 9A(TC) | 4.5V, 10V | 18m옴 @ 8A, 10V | 2V @ 250μA | 4.1nC @ 4.5V | ±20V | 345pF @ 25V | - | 2.5W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM4435BCS RLG | - | ![]() | 7715 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOP | - | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 30V | 9.1A(타) | 4.5V, 10V | 21m옴 @ 9.1A, 10V | 3V @ 250μA | 3.2nC @ 10V | ±20V | 1900pF @ 15V | - | 2.5W(타) | ||||||||||||
| TSM033NB04LCR RLG | 2.9500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerLDFN | TSM033 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5.2x5.75) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 21A(타), 121A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.3m옴 @ 21A, 10V | 2.5V @ 250μA | 79nC @ 10V | ±20V | 20V에서 4456pF | - | 3.1W(Ta), 107W(Tc) | ||||||||||||
![]() | BC548B A1G | - | ![]() | 8319 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC548 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 30V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 200 @ 2mA, 5V | - | |||||||||||||||
![]() | BC817-25 | 0.0336 | ![]() | 5583 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC817 | 300mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC817-25TR | EAR99 | 8541.21.0075 | 6,000 | 45V | 500mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM210N06CZ C0G | - | ![]() | 1104 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 210A(Tc) | 10V | 3.1m옴 @ 90A, 10V | 4V @ 250μA | 160nC @ 10V | ±20V | 30V에서 7900pF | - | 250W(Tc) | ||||||||||||
![]() | TSM4NB60CZ C0G | - | ![]() | 5481 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 4A(TC) | 10V | 2.5옴 @ 2A, 10V | 250μA에서 4.5V | 14.5nC @ 10V | ±30V | 25V에서 500pF | - | 50W(Tc) | ||||||||||||
![]() | TQM019NH04CR RLG | 6.5400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 대만 건설 | 자동차, AEC-Q101, PerFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장, 일부 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PDFNU(4.9x5.75) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 40V | 30A(Ta), 100A(Tc) | 7V, 10V | 1.9m옴 @ 50A, 10V | 3.6V @ 250μA | 134nC @ 10V | ±20V | 25V에서 9044pF | - | 150W(Tc) | |||||||||||||
![]() | TSM60N900CI C0G | 0.7191 | ![]() | 5761 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM60 | MOSFET(금속) | ITO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 4.5A(Tc) | 10V | 900m옴 @ 2.3A, 10V | 4V @ 250μA | 10V에서 9.7nC | ±30V | 100V에서 480pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSC966CW RPG | 0.6500 | ![]() | 470 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | TSC966 | SOT-223 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 400V | 300mA | 1μA | NPN | 500mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 1mA, 5V | - | ||||||||||||||||
![]() | BC546C B1 | - | ![]() | 7110 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC546CB1 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 420 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
![]() | TSM7ND60CI | 3.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM7 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 7A(TC) | 10V | 1.2옴 @ 2A, 10V | 3.8V @ 250μA | 25nC @ 10V | ±30V | 50V에서 1108pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||
![]() | BC807-25 RFG | 0.0342 | ![]() | 3739 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC807 | 300mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 500mA | 200nA(ICBO) | PNP | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz |

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