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트랜지스터(888)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
TSM150NB04LCV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04LCV RGG 1.5100
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 ECAD 8805 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN TSM150 MOSFET(금속) 8-PDFN(3.15x3.1) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 8A(Ta), 36A(Tc) 4.5V, 10V 15m옴 @ 8A, 10V 2.5V @ 250μA 19nC @ 10V ±20V 20V에서 1013pF - 1.9W(Ta), 39W(Tc)
TSM301K12CQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM301K12CQ RFG 0.8200
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 ECAD 7 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-VDFN옆패드 TSM301 MOSFET(금속) 6-TDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 4.5A(타) 1.8V, 4.5V 94m옴 @ 2.8A, 4.5V 250μA에서 500mV(최소) 10nC @ 5V ±12V 5.2pF @ 6V - 6.5W(Tc)
TSM180P03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM180P03CS RLG 1.4400
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 ECAD 2 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TSM180 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 10A(TC) 4.5V, 10V 18m옴 @ 8A, 10V 2.5V @ 250μA 23nC @ 4.5V ±20V 1730pF @ 15V - 2.5W(Tc)
BC338-16 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-16 B1G -
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 ECAD 4326 0.00000000 대만 건설 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 338년 625mW TO-92 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 5,000 25V 800mA 100nA(ICBO) NPN 700mV @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
BC847B RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC847B RFG 0.2200
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 ECAD 21 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 200mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 100MHz
TSA1036CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSA1036CX RFG -
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 ECAD 8685 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSA1036 225mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 60V 600mA 10nA(ICBO) PNP 400mV @ 15mA, 150mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
TSM2537CQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2537CQ RFG 1.4300
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 ECAD 22 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-VDFN옆패드 TSM2537 MOSFET(금속) 6.25W 6-TDFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 20V 11.6A(Tc), 9A(Tc) 30m옴 @ 6.4A, 4.5V, 55m옴 @ 5A, 4.5V 1V @ 250μA 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V 677pF @ 10V, 744pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 1.8V 드라이브
BC550A A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC550A A1G -
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 ECAD 1001 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 BC550 500mW TO-92 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 4,000 45V 100mA 15nA(ICBO) NPN - 110 @ 2mA, 5V -
TSM900N06CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW RPG 0.8900
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 ECAD 5107 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA TSM900 MOSFET(금속) SOT-223 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 11A(티씨) 4.5V, 10V 90m옴 @ 6A, 10V 2.5V @ 250μA 9.3nC @ 10V ±20V 15V에서 500pF - 4.17W(Tc)
BC857A Taiwan Semiconductor Corporation BC857A 0.0334
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 ECAD 7729 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 200mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC857ATR EAR99 8541.21.0075 9,000 45V 100mA 100nA(ICBO) PNP 650mV @ 5mA, 100mA 125 @ 2mA, 5V 100MHz
TSM085NB03CV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM085NB03CV RGG 1.5100
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 ECAD 10 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN TSM085 MOSFET(금속) 8-PDFN(3.15x3.1) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 11A(Ta), 58A(Tc) 4.5V, 10V 8.5m옴 @ 11A, 10V 2.5V @ 250μA 20nC @ 10V ±20V 1101pF @ 15V - 1.92W(Ta), 52W(Tc)
TSM9N90ECI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM9N90ECI C0G -
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 ECAD 5411 0.00000000 대만 건설 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 TSM9 MOSFET(금속) ITO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 900V 9A(TC) 10V 1.4옴 @ 4.5A, 10V 4V @ 250μA 72nC @ 10V ±30V 25V에서 2470pF - 89W(Tc)
TSM60N900CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N900CH C5G 0.5685
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 ECAD 3215 0.00000000 대만 건설 - 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA TSM60 MOSFET(금속) TO-251(IPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 600V 4.5A(Tc) 10V 900m옴 @ 2.3A, 10V 4V @ 250μA 10V에서 9.7nC ±30V 100V에서 480pF - 50W(Tc)
TSM10N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM10N06CP ROG -
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 ECAD 9023 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 10A(타) 4V, 10V 65m옴 @ 10A, 10V 3V @ 250μA 10.5nC @ 4.5V ±20V 30V에서 1100pF - 45W(Tc)
TSA884CX Taiwan Semiconductor Corporation TSA884CX 0.1560
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 ECAD 1439 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSA884 300mW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSA884CXTR EAR99 8541.21.0095 12,000 500V 150mA 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 10mA, 50mA 150@1mA, 10V 50MHz
TSM080N03EPQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM080N03EPQ56 RLG 1.5600
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 ECAD 4 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN TSM080 MOSFET(금속) 8-PDFN(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 55A(Tc) 4.5V, 10V 8m옴 @ 16A, 10V 2.5V @ 250μA 7.5nC @ 4.5V ±20V 25V에서 750pF - 54W(Tc)
TSM9435CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM9435CS RLG 1.2100
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 ECAD 1 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TSM9435 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 5.3A(Tc) 4.5V, 10V 60m옴 @ 5.3A, 10V 3V @ 250μA 27nC @ 10V ±20V 551.57pF @ 15V - 5.3W(Tc)
TSM076NH04DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM076NH04DCR RLG 2.5200
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 ECAD 4 0.00000000 대만 건설 PerFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN TSM076N MOSFET(금속) 55.6W(Tc) 8-PDFNU(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 2 N채널(듀얼) 40V 14A(Ta), 34A(Tc) 7.6m옴 @ 17A, 10V 3.6V @ 250μA 19nC @ 10V 25V에서 1217pF -
TSA894CT A3 Taiwan Semiconductor Corporation TSA894CT A3 -
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 ECAD 9523 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 1W TO-92 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. TSA894CTA3 EAR99 8541.29.0075 2,000 500V 150mA 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 10mA, 50mA 150@1mA, 10V 50MHz
BC546A A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC546A A1G -
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 ECAD 7834 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 BC546 500mW TO-92 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 4,000 65V 100mA 15nA(ICBO) NPN - 110 @ 2mA, 5V -
TSM250NB06CV Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06CV 0.6661
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 ECAD 1841년 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN TSM250 MOSFET(금속) 8-PDFN(3.15x3.1) 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM250NB06CVTR EAR99 8541.29.0095 10,000 N채널 60V 6A(Ta), 28A(Tc) 7V, 10V 25m옴 @ 6A, 10V 4V @ 250μA 23nC @ 10V ±20V 30V에서 1440pF - 1.9W(Ta), 42W(Tc)
BC850BW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC850BW RFG 0.0368
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 ECAD 8258 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 BC850 200mW SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100mA 100nA(ICBO) NPN 600mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 100MHz
TSM150NB04LCV Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04LCV 0.5871
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 ECAD 9527 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN TSM150 MOSFET(금속) 8-PDFN(3.15x3.1) 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM150NB04LCVTR EAR99 8541.29.0095 10,000 N채널 40V 8A(Ta), 36A(Tc) 4.5V, 10V 15m옴 @ 8A, 10V 2.5V @ 250μA 19nC @ 10V ±20V 20V에서 1013pF - 1.9W(Ta), 39W(Tc)
BC849BW Taiwan Semiconductor Corporation BC849BW 0.0357
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 ECAD 3344 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 BC849 200mW SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC849BWTR EAR99 8541.21.0075 18,000 30V 100mA 15nA(ICBO) NPN 600mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 100MHz
TSM650N15CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM650N15CR RLG 5.0100
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 ECAD 1475 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN TSM650 MOSFET(금속) 8-PDFN(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 150V 24A(TC) 6V, 10V 65m옴 @ 4A, 10V 4V @ 250μA 36nC @ 10V ±20V 75V에서 1829pF - 96W(Tc)
TSM051N04LCP Taiwan Semiconductor Corporation TSM051N04LCP 1.0258
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 ECAD 8075 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 TSM051 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM051N04LCPTR EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 16A(타), 96A(Tc) 4.5V, 10V 5.1m옴 @ 16A, 10V 2.5V @ 250μA 44.5nC @ 10V ±20V 2456pF @ 20V - 2.6W(Ta), 89W(Tc)
BC549C B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC549C B1G -
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 ECAD 8163 0.00000000 대만 건설 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC549 500mW TO-92 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 5,000 30V 100mA 15nA(ICBO) NPN - 420 @ 2mA, 5V -
BC547C B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC547C B1 -
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 ECAD 6204 0.00000000 대만 건설 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500mW TO-92 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-BC547CB1 더 이상 사용하지 않는 경우 1 45V 100mA 15nA(ICBO) NPN - 420 @ 2mA, 5V -
KTC3198-O-M0 A2G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-O-M0 A2G -
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 ECAD 2333 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 500mW TO-92 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-KTC3198-O-M0A2GTB 더 이상 사용하지 않는 경우 1 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 70 @ 150mA, 6V 80MHz
TSM085NB03CV Taiwan Semiconductor Corporation TSM085NB03CV 0.5871
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 ECAD 1476 0.00000000 대만 건설 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN TSM085 MOSFET(금속) 8-PDFN(3.15x3.1) 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 1801-TSM085NB03CVTR EAR99 8541.29.0095 10,000 N채널 30V 11A(Ta), 58A(Tc) 4.5V, 10V 8.5m옴 @ 11A, 10V 2.5V @ 250μA 20nC @ 10V ±20V 15V에서 1101pF - 1.92W(Ta), 52W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

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