| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | FET 종류 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSM085NB03CV | 0.5871 | ![]() | 1476 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | TSM085 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(3.15x3.1) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM085NB03CVTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | N채널 | 30V | 11A(Ta), 58A(Tc) | 4.5V, 10V | 8.5m옴 @ 11A, 10V | 2.5V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±20V | 1101pF @ 15V | - | 1.92W(Ta), 52W(Tc) | ||||||||||
![]() | BC550C B1 | - | ![]() | 1335 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC550CB1 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 420 @ 2mA, 5V | - | |||||||||||||||||
![]() | TSM10NC60CF | 1.6128 | ![]() | 3171 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TSM10 | MOSFET(금속) | ITO-220S | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM10NC60CF | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 600V | 10A(TC) | 10V | 750m옴 @ 2.5A, 10V | 250μA에서 4.5V | 33nC @ 10V | ±30V | 50V에서 1652pF | - | 45W(Tc) | ||||||||||
![]() | BC807-16W | 0.0453 | ![]() | 5318 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC807 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC807-16WTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 6,000 | 45V | 500mA | 100nA(ICBO) | PNP | 700mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 100mA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||
![]() | TSA1765CW RPG | - | ![]() | 1290 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | TSA1765 | 2W | SOT-223 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 560V | 150mA | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 10mA, 50mA | 150@1mA, 10V | 50MHz | ||||||||||||||
![]() | TSM036N03PQ56 | 0.8059 | ![]() | 9690 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | TSM036 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM036N03PQ56TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 30V | 22A(Ta), 124A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.6m옴 @ 22A, 10V | 2.5V @ 250μA | 50nC @ 10V | ±20V | 2530pF @ 15V | - | 2.6W(Ta), 83W(Tc) | ||||||||||
![]() | TSC5988CT B0G | - | ![]() | 1195 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1W | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | TSC5988CTB0G | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 60V | 5A | 50nA(ICBO) | NPN | 350mV @ 200mA, 5A | 120 @ 2A, 1V | 130MHz | ||||||||||||||
![]() | TSM80N950CI | 3.3572 | ![]() | 1680 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM80 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM80N950CI | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 800V | 6A(TC) | 10V | 950m옴 @ 2A, 10V | 4V @ 250μA | 19.6nC @ 10V | ±30V | 100V에서 691pF | - | 25W(Tc) | ||||||||||
![]() | TSM3N90CI C0G | - | ![]() | 2448 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM3N90 | MOSFET(금속) | ITO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 900V | 2.5A(Tc) | 10V | 5.1옴 @ 1.25A, 10V | 4V @ 250μA | 17nC @ 10V | ±30V | 25V에서 748pF | - | 94W(Tc) | ||||||||||
![]() | BC546C A1G | - | ![]() | 5925 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC546 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 420 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||
![]() | BC337-25-B0 B1G | - | ![]() | 8513 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC337-25-B0B1G | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 45V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | TSM70N600CI | 3.0142 | ![]() | 8316 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM70 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM70N600CI | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 700V | 8A(TC) | 10V | 600m옴 @ 2.4A, 10V | 4V @ 250μA | 12.6nC @ 10V | ±30V | 100V에서 743pF | - | 32W(Tc) | ||||||||||
| TSM045NA03CR RLG | 0.8000 | ![]() | 102 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | TSM045 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 108A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.5m옴 @ 18A, 10V | 2.5V @ 250μA | 19nC @ 10V | ±20V | 15V에서 1194pF | - | 89W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM60N900CP ROG | 0.5910 | ![]() | 6265 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSM60 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 600V | 4.5A(Tc) | 10V | 900m옴 @ 2.3A, 10V | 4V @ 250μA | 10V에서 9.7nC | ±30V | 100V에서 480pF | - | 50W(Tc) | ||||||||||
![]() | TSM680P06CP | 0.7098 | ![]() | 6313 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSM680 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM680P06CPTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P채널 | 60V | 18A(TC) | 4.5V, 10V | 68m옴 @ 6A, 10V | 2.2V @ 250μA | 16.4nC @ 10V | ±20V | 30V에서 870pF | - | 20W(Tc) | ||||||||||
![]() | TSM8N70CI C0 | - | ![]() | 1981년 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | MOSFET(금속) | ITO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | TSM8N70CIC0 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 700V | 8A(TC) | 10V | 900m옴 @ 4A, 10V | 4V @ 250μA | 32nC @ 10V | ±30V | 2006pF @ 25V | - | 40W(Tc) | ||||||||||
![]() | TSM230N06CP | 0.8845 | ![]() | 3086 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSM230 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM230N06CPTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 60V | 50A(Tc) | 4.5V, 10V | 23m옴 @ 20A, 10V | 2.5V @ 250μA | 28nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1680pF | - | 53W(Tc) | ||||||||||
![]() | TSM2NB60CH C5G | - | ![]() | 4910 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 600V | 2A(TC) | 10V | 4.4옴 @ 1A, 10V | 250μA에서 4.5V | 10V에서 9.4nC | ±30V | 25V에서 249pF | - | 44W(Tc) | |||||||||||
![]() | TQM025NH04LCR-V RLG | 3.0535 | ![]() | 7698 | 0.00000000 | 대만 건설 | 자동차, AEC-Q101, PerFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장, 일부 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PDFNU(4.9x5.75) | - | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 26A(Ta), 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.5m옴 @ 50A, 10V | 2.2V @ 250μA | 95nC @ 10V | ±16V | 25V에서 6228pF | - | 136W(Tc) | |||||||||||||
| BC546B B1G | - | ![]() | 9933 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC546 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 200 @ 2mA, 5V | - | |||||||||||||||
![]() | BC550B A1G | - | ![]() | 2741 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC550 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 200 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||
![]() | TSM190N08CZ | 5.2624 | ![]() | 6909 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM190 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM190N08CZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 75V | 17A(타), 190A(Tc) | 10V | 4.2m옴 @ 90A, 10V | 4V @ 250μA | 160nC @ 10V | ±20V | 30V에서 8600pF | - | 2W(Ta), 250W(Tc) | ||||||||||
![]() | TSM7N90CZ C0G | - | ![]() | 9040 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM7N90 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 900V | 7A(TC) | 10V | 1.9옴 @ 3.5A, 10V | 4V @ 250μA | 49nC @ 10V | ±30V | 1969pF @ 25V | - | 40.3W(Tc) | ||||||||||
![]() | TSM040N03CP | 0.8900 | ![]() | 9375 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSM040 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM040N03CPTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 30V | 90A(Tc) | 4.5V, 10V | 4m옴 @ 24A, 10V | 2.5V @ 250μA | 24nC @ 4.5V | ±20V | 2200pF @ 25V | - | 88W(Tc) | ||||||||||
![]() | TSM480P06CI C0G | - | ![]() | 8557 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -50°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | TSM480P06CIC0G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P채널 | 60V | 20A(TC) | 4.5V, 10V | 48m옴 @ 8A, 10V | 2.2V @ 250μA | 22.4nC @ 10V | ±20V | 30V에서 1250pF | - | 27W(Tc) | ||||||||||
![]() | TSM70N750CH C5G | 2.1535 | ![]() | 3741 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | TSM70 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 700V | 6A(TC) | 10V | 750m옴 @ 1.8A, 10V | 4V @ 250μA | 10.7nC @ 10V | ±30V | 100V에서 555pF | - | 62.5W(Tc) | ||||||||||
![]() | BC857A | 0.0334 | ![]() | 7729 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC857ATR | EAR99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 45V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||
![]() | BC550B B1 | - | ![]() | 2688 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC550BB1 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 200 @ 2mA, 5V | - | |||||||||||||||||
![]() | TSM3401CX RFG | 1.2500 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM3401 | MOSFET(금속) | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 30V | 3A(타) | 4.5V, 10V | 60m옴 @ 3A, 10V | 3V @ 250μA | 2.7nC @ 10V | ±20V | 551.57pF @ 15V | - | 1.25W(타) | ||||||||||
![]() | BC547B A1G | - | ![]() | 3049 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC547 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 200 @ 2mA, 5V | - |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

재고 창고