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![]() | TSM70NB1R4CP ROG | 1.2804 | ![]() | 9411 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | TSM70 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 700 v | 3A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250µA | 7.4 NC @ 10 v | ± 30V | 317 pf @ 100 v | - | 28W (TC) | |||||||||||
![]() | BC850BW RFG | 0.0368 | ![]() | 8258 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC850 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
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TSM089N08LCR RLG | 4.4200 | ![]() | 1630 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | TSM089 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 80 v | 67A (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 20V | 6119 pf @ 40 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||
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![]() | TSM9N90ECI C0G | - | ![]() | 5411 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | TSM9 | MOSFET (금속 (() | ITO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 9A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 250µA | 72 NC @ 10 v | ± 30V | 2470 pf @ 25 v | - | 89W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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