| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSM032NH04CR RLG | 3.8200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 대만 건설 | PerFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PDFNU(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 25A(Ta), 81A(Tc) | 7V, 10V | 3.2m옴 @ 40A, 10V | 3.6V @ 250μA | 45nC @ 10V | ±20V | 25V에서 2896pF | - | 115W(Tc) | ||||||||||||
![]() | BC857C | 0.0334 | ![]() | 3691 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC857CTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 45V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM500N15CS RLG | 2.9700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOP | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500 | N채널 | 150V | 4A(Ta), 11A(Tc) | 10V | 50m옴 @ 4A, 10V | 4V @ 250μA | 20.5nC @ 10V | ±20V | 80V에서 1123pF | - | 12.7W(타) | ||||||||||||
![]() | TSM060NB06CZ | 2.0942 | ![]() | 9982 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM060 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM060NB06CZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 60V | 13A(타), 111A(Tc) | 7V, 10V | 6m옴 @ 13A, 10V | 4V @ 250μA | 103nC @ 10V | ±20V | 30V에서 6842pF | - | 2W(Ta), 156W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM900N10CH | 0.9822 | ![]() | 7460 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | TSM900 | MOSFET(금속) | TO-251S (아이팩 SL) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM900N10CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 15,000 | N채널 | 100V | 15A(Tc) | 4.5V, 10V | 90m옴 @ 5A, 10V | 2.5V @ 250μA | 9.3nC @ 10V | ±20V | 50V에서 1480pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM150P04LCS | 1.1755 | ![]() | 7311 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | TSM150 | MOSFET(금속) | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM150P04LCSTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P채널 | 40V | 9A(Ta), 22A(Tc) | 4.5V, 10V | 15m옴 @ 9A, 10V | 2.5V @ 250μA | 48nC @ 10V | ±20V | 2783pF @ 20V | - | 2.2W(Ta), 12.5W(Tc) | |||||||||||
![]() | BC337-16-B0 B1 | - | ![]() | 5258 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92 | - | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC337-16-B0B1 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 45V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TSM018NB03CR | 1.8542 | ![]() | 9217 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | TSM018 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM018NB03CRTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 30V | 29A(타), 194A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.8m옴 @ 29A, 10V | 2.5V @ 250μA | 120nC @ 10V | ±20V | 7252pF @ 15V | - | 3.1W(Ta), 136W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM4806CS | 0.3866 | ![]() | 9557 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | TSM4806 | MOSFET(금속) | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM4806CSTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 20V | 28A(타) | 1.8V, 4.5V | 20m옴 @ 20A, 4.5V | 1V @ 250μA | 12.3nC @ 4.5V | ±8V | 15V에서 961pF | - | 2W(타) | |||||||||||
![]() | TSM6968DCA | 0.7714 | ![]() | 7202 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비) | TSM6968 | MOSFET(금속) | 1.04W(타) | 8-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM6968DCATR | EAR99 | 8541.29.0095 | 12,000 | 2 N채널 | 20V | 6.5A(타) | 22m옴 @ 6A, 4.5V | 1V @ 250μA | 20nC @ 4.5V | 950pF @ 10V | 기준 | |||||||||||||
![]() | TSM2N60ECH C5G | - | ![]() | 4618 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | TSM2 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,750 | N채널 | 600V | 2A(TC) | 10V | 4옴 @ 1A, 10V | 5V @ 250μA | 9.5nC @ 10V | ±30V | 25V에서 362pF | - | 52.1W(Tc) | |||||||||||
![]() | MMBT3904L-UA RFG | - | ![]() | 4856 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300mW | SOT-23 | - | 1801-MMBT3904L-UARFG | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 40V | 200mA | 50nA | NPN | 300mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MMBT3906T RSG | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-523 | 150mW | SOT-523 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200mA | 50nA(ICBO) | PNP | 400mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||
![]() | BC847C | 0.0337 | ![]() | 5870 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC847 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC847CTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 45V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM4936DCS | 0.6485 | ![]() | 7799 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | TSM4936 | MOSFET(금속) | 3W(타) | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM4936DCSTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 N채널 | 30V | 5.9A(타) | 36m옴 @ 5.9A, 10V | 3V @ 250μA | 13nC @ 10V | 610pF @ 15V | 기준 | |||||||||||||
![]() | TSM60NB099CZ | 7.8920 | ![]() | 8258 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM60 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM60NB099CZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 600V | 38A(Tc) | 10V | 99m옴 @ 11.3A, 10V | 4V @ 250μA | 62nC @ 10V | ±30V | 100V에서 2587pF | - | 298W(Tc) | |||||||||||
![]() | BC846AW | 0.0357 | ![]() | 8712 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC846 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC846AWTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 18,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM900N06CW | 0.3581 | ![]() | 5045 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | TSM900 | MOSFET(금속) | SOT-223 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM900N06CWTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 60V | 11A(티씨) | 4.5V, 10V | 90m옴 @ 6A, 10V | 2.5V @ 250μA | 9.3nC @ 10V | ±20V | 15V에서 500pF | - | 4.17W(Tc) | |||||||||||
| TSM070NB04LCR RLG | 2.0200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerLDFN | TSM070 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 15A(Ta), 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 7m옴 @ 15A, 10V | 2.5V @ 250μA | 39nC @ 10V | ±20V | 2151pF @ 20V | - | 3.1W(Ta), 83W(Tc) | ||||||||||||
![]() | TSM1N45CW RPG | - | ![]() | 9504 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET(금속) | SOT-223 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 450V | 500mA(Tc) | 10V | 4.25옴 @ 250mA, 10V | 250μA에서 4.25V | 6.5nC @ 10V | ±30V | 25V에서 235pF | - | 2W(Tc) | ||||||||||||
![]() | BC846BW | 0.0361 | ![]() | 5103 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC846 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC846BWTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 18,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | BC546B B1 | - | ![]() | 5949 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC546BB1 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 200 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
![]() | BC547C A1G | - | ![]() | 1886년 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC547 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 420 @ 2mA, 5V | - | |||||||||||||||
![]() | TSM2302CX RFG | 0.8700 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2302 | MOSFET(금속) | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 20V | 3.9A(Tc) | 2.5V, 4.5V | 65m옴 @ 3.2A, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 7.8nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 587pF | - | 1.5W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSC5303DCHC5G | - | ![]() | 5752 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | TSC5303 | 30W | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | 400V | 3A | 10μA | NPN | 700mV @ 100mA, 400mA | 15 @ 1A, 5V | - | |||||||||||||||
![]() | BC807-25 RFG | 0.0342 | ![]() | 3739 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC807 | 300mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 500mA | 200nA(ICBO) | PNP | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM4NB60CH X0G | 0.9576 | ![]() | 2750 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | TSM4NB60 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 600V | 4A(TC) | 10V | 2.5옴 @ 2A, 10V | 250μA에서 4.5V | 14.5nC @ 10V | ±30V | 25V에서 500pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||
![]() | BC848A RFG | 0.0343 | ![]() | 8465 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TS13005CK B0G | - | ![]() | 1228 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-225AA, TO-126-3 | TS13005 | 20W | TO-126 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V | 3A | 10μA | NPN | 1.5V @ 500mA, 2.5A | 24 @ 425mA, 2V | - | |||||||||||||||
![]() | KTC3198-GR-B0 A1G | - | ![]() | 2951 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-KTC3198-GR-B0A1GTB | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV @ 10mA, 100mA | 200 @ 150mA, 6V | 80MHz |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

재고 창고