| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]()  |                                                           TSM190N08CZ C0G | 9.6300 | ![]()  |                              4 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM190 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 75V | 190A(Tc) | 10V | 4.2m옴 @ 90A, 10V | 4V @ 250μA | 160nC @ 10V | ±20V | 30V에서 8600pF | - | 250W(Tc) | |||||||||||
![]()  |                                                           TSM70N900CP | 1.9252 | ![]()  |                              4507 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSM70 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM70N900CPTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 700V | 4.5A(Tc) | 10V | 900m옴 @ 1.5A, 10V | 4V @ 250μA | 10V에서 9.7nC | ±30V | 100V에서 482pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||
![]()  |                                                           BC858B RFG | 0.0343 | ![]()  |                              7245 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC858 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 220 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]()  |                                                           TSC5802DCP ROG | - | ![]()  |                              1747년 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | TSC5802 | 30W | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 450V | 2.5A | 250μA | NPN | 3V @ 600mA, 2A | 50 @ 100mA, 5V | - | |||||||||||||||
![]()  |                                                           BC850CW RFG | 0.0368 | ![]()  |                              3245 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC850 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]()  |                                                           KTC3198-GR A1G | - | ![]()  |                              9205 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | KTC3198 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV @ 10mA, 100mA | 70 @ 2mA, 6V | 80MHz | |||||||||||||||
![]()  |                                                           MMBT2222A RFG | 0.2400 | ![]()  |                              8 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2222 | 300mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 600mA | 10nA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | |||||||||||||||
![]()  |                                                           TSM035NB04CZ | 4.1700 | ![]()  |                              3 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM035 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 18A(타), 157A(Tc) | 3.5m옴 @ 18A, 10V | 4V @ 250μA | 110nC @ 10V | ±20V | 6990pF @ 20V | - | 2W(Ta), 156W(Tc) | ||||||||||||
![]()  |                                                           TSM10NC60CF C0G | 1.6128 | ![]()  |                              9015 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | TSM10 | MOSFET(금속) | ITO-220S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 10A(TC) | 10V | 750m옴 @ 2.5A, 10V | 250μA에서 4.5V | 33nC @ 10V | ±30V | 50V에서 1652pF | - | 45W(Tc) | |||||||||||
![]()  |                                                           TSM6963SDCA RVG | 1.9300 | ![]()  |                              4 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비) | TSM6963 | MOSFET(금속) | 1.14W | 8-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 4.5A(Tc) | 30m옴 @ 4.5A, 4.5V | 1V @ 250μA | 20nC @ 4.5V | 1500pF @ 10V | - | |||||||||||||
| TSM036N03PQ56 RLG | 1.7400 | ![]()  |                              438 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | TSM036 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 124A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.6m옴 @ 22A, 10V | 2.5V @ 250μA | 50nC @ 10V | ±20V | 2530pF @ 15V | - | 83W(Tc) | ||||||||||||
![]()  |                                                           TSM250NB06DCR RLG | 2.6000 | ![]()  |                              17 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | TSM250 | MOSFET(금속) | 2W(Ta), 48W(Tc) | 8-PDFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 60V | 7A(Ta), 30A(Tc) | 25m옴 @ 7A, 10V | 4V @ 250μA | 22nC @ 10V | 30V에서 1461pF | - | |||||||||||||
![]()  |                                                           BC848C RFG | 0.0343 | ![]()  |                              2199 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]()  |                                                           TSM9933DCS RLG | - | ![]()  |                              5092 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | TSM9933 | MOSFET(금속) | 2W | 8-SOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 4.7A(Tc) | 60m옴 @ 4.7A, 4.5V | 250μA에서 1.4V | 8.5nC @ 4.5V | 640pF @ 10V | - | |||||||||||||
![]()  |                                                           BC847A RFG | 0.0343 | ![]()  |                              6411 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC847 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]()  |                                                           TSM260P02CX RFG | 1.1500 | ![]()  |                              10 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | MOSFET(금속) | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 6.5A(Tc) | 1.8V, 2.5V, 4.5V | 26m옴 @ 5A, 4.5V | 1V @ 250μA | 19.5nC @ 4.5V | ±10V | 15V에서 1670pF | 기준 | 1.56W(Tc) | |||||||||||||
| BC546A B1G | - | ![]()  |                              3874 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC546 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 110 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||
![]()  |                                                           BC338-25 A1 | - | ![]()  |                              2708 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC338-25A1TB | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 25V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]()  |                                                           TSM060NB06LCZ C0G | 4.1700 | ![]()  |                              1146 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM060 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM060NB06LCZC0G | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 60V | 13A(타), 111A(Tc) | 4.5V, 10V | 6m옴 @ 13A, 10V | 2.5V @ 250μA | 107nC @ 10V | ±20V | 30V에서 6273pF | - | 2W(Ta), 156W(Tc) | ||||||||||
![]()  |                                                           BC338-16 | 0.0661 | ![]()  |                              7080 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 338년 | 625mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC338-16TB | EAR99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 25V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 100mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]()  |                                                           TSM480P06CH | 0.9337 | ![]()  |                              8510 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -50°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | TSM480 | MOSFET(금속) | TO-251S (아이팩 SL) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM480P06CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 15,000 | P채널 | 60V | 20A(TC) | 4.5V, 10V | 48m옴 @ 8A, 10V | 2.2V @ 250μA | 22.4nC @ 10V | ±20V | 30V에서 1250pF | - | - | |||||||||||
![]()  |                                                           TSM80N1R2CH C5G | 2.5940 | ![]()  |                              7637 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | TSM80 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 800V | 5.5A(Tc) | 10V | 1.2옴 @ 2.75A, 10V | 4V @ 250μA | 19.4nC @ 10V | ±30V | 100V에서 685pF | - | 110W(Tc) | |||||||||||
![]()  |                                                           BC848BW RFG | 0.0368 | ![]()  |                              4368 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC848 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]()  |                                                           TSM7ND65CI | 3.3700 | ![]()  |                              4 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM7 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 7A(TC) | 10V | 1.35옴 @ 1.8A, 10V | 3.8V @ 250μA | 25nC @ 10V | ±30V | 50V에서 1124pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||
![]()  |                                                           TSM2323CX RFG | 0.5200 | ![]()  |                              14 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2323 | MOSFET(금속) | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 4.7A(타) | 1.8V, 4.5V | 39m옴 @ 4.7A, 4.5V | 1V @ 250μA | 12.5nC @ 4.5V | ±8V | 1020pF @ 10V | - | 1.25W(타) | |||||||||||
| TSM048NB06LCR RLG | 3.8200 | ![]()  |                              2 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerLDFN | TSM048 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5.2x5.75) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | TSM048NB06LCRRLGTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 60V | 16A(타), 107A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.8m옴 @ 16A, 10V | 2.5V @ 250μA | 105nC @ 10V | ±20V | 30V에서 6253pF | - | 3.1W(Ta), 136W(Tc) | |||||||||||
![]()  |                                                           TSM4NB65CH | 0.9576 | ![]()  |                              7165 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | TSM4 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM4NB65CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 15,000 | N채널 | 650V | 4A(TC) | 10V | 3.37옴 @ 2A, 10V | 250μA에서 4.5V | 13.46nC @ 10V | ±30V | 25V에서 549pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||
![]()  |                                                           TSM85N10CZ C0G | - | ![]()  |                              7131 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM85 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 81A (Tc) | 10V | 10m옴 @ 40A, 10V | 4V @ 250μA | 154nC @ 10V | ±20V | 3900pF @ 30V | - | 210W(Tc) | |||||||||||
![]()  |                                                           TSM900N06CH | 0.6584 | ![]()  |                              6981 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | TSM900 | MOSFET(금속) | TO-251S (아이팩 SL) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM900N06CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 15,000 | N채널 | 60V | 11A(티씨) | 4.5V, 10V | 90m옴 @ 6A, 10V | 2.5V @ 250μA | 9.3nC @ 10V | ±20V | 15V에서 500pF | - | 25W(Tc) | |||||||||||
![]()  |                                                           BC856A RFG | 0.0343 | ![]()  |                              5220 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | 

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

재고 창고