| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC546A B1G | - | ![]() | 3874 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC546 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 110 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||
![]() | BC338-25 A1 | - | ![]() | 2708 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC338-25A1TB | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 25V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TSM060NB06LCZ C0G | 4.1700 | ![]() | 1146 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM060 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM060NB06LCZC0G | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 60V | 13A(타), 111A(Tc) | 4.5V, 10V | 6m옴 @ 13A, 10V | 2.5V @ 250μA | 107nC @ 10V | ±20V | 30V에서 6273pF | - | 2W(Ta), 156W(Tc) | ||||||||||
![]() | BC338-16 | 0.0661 | ![]() | 7080 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 338년 | 625mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC338-16TB | EAR99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 25V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 100mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM480P06CH | 0.9337 | ![]() | 8510 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -50°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | TSM480 | MOSFET(금속) | TO-251S (아이팩 SL) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM480P06CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 15,000 | P채널 | 60V | 20A(TC) | 4.5V, 10V | 48m옴 @ 8A, 10V | 2.2V @ 250μA | 22.4nC @ 10V | ±20V | 30V에서 1250pF | - | - | |||||||||||
![]() | TSM80N1R2CH C5G | 2.5940 | ![]() | 7637 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | TSM80 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 800V | 5.5A(Tc) | 10V | 1.2옴 @ 2.75A, 10V | 4V @ 250μA | 19.4nC @ 10V | ±30V | 100V에서 685pF | - | 110W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM7ND65CI | 3.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM7 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 7A(TC) | 10V | 1.35옴 @ 1.8A, 10V | 3.8V @ 250μA | 25nC @ 10V | ±30V | 50V에서 1124pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM2323CX RFG | 0.5200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2323 | MOSFET(금속) | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 4.7A(타) | 1.8V, 4.5V | 39m옴 @ 4.7A, 4.5V | 1V @ 250μA | 12.5nC @ 4.5V | ±8V | 1020pF @ 10V | - | 1.25W(타) | |||||||||||
| TSM048NB06LCR RLG | 3.8200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerLDFN | TSM048 | MOSFET(금속) | 8-PDFN(5.2x5.75) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | TSM048NB06LCRRLGTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 60V | 16A(타), 107A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.8m옴 @ 16A, 10V | 2.5V @ 250μA | 105nC @ 10V | ±20V | 30V에서 6253pF | - | 3.1W(Ta), 136W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM4NB65CH | 0.9576 | ![]() | 7165 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | TSM4 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM4NB65CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 15,000 | N채널 | 650V | 4A(TC) | 10V | 3.37옴 @ 2A, 10V | 250μA에서 4.5V | 13.46nC @ 10V | ±30V | 25V에서 549pF | - | 50W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM85N10CZ C0G | - | ![]() | 7131 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM85 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 81A (Tc) | 10V | 10m옴 @ 40A, 10V | 4V @ 250μA | 154nC @ 10V | ±20V | 3900pF @ 30V | - | 210W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM900N06CH | 0.6584 | ![]() | 6981 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | TSM900 | MOSFET(금속) | TO-251S (아이팩 SL) | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM900N06CH | EAR99 | 8541.29.0095 | 15,000 | N채널 | 60V | 11A(티씨) | 4.5V, 10V | 90m옴 @ 6A, 10V | 2.5V @ 250μA | 9.3nC @ 10V | ±20V | 15V에서 500pF | - | 25W(Tc) | |||||||||||
![]() | BC856A RFG | 0.0343 | ![]() | 5220 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | MMBT3906 RFG | 0.2100 | ![]() | 110 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT3906 | 350mW | SOT-23 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200mA | 100nA(ICBO) | PNP | 400mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM019NH04LCR RLG | 6.3000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 대만 건설 | PerFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PDFNU(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 40V | 35A(Ta), 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.9m옴 @ 50A, 10V | 2.2V @ 250μA | 104nC @ 10V | ±16V | 25V에서 6282pF | - | 150W(Tc) | ||||||||||||
![]() | BC850AW | 0.0357 | ![]() | 4498 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC850 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC850AWTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 18,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
| BC550A B1G | - | ![]() | 6891 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC550 | 500mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 110 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||
![]() | BC338-40-B0 B1G | - | ![]() | 6068 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC338-40-B0B1G | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 25V | 800mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 250 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TSM4NB65CI | 1907년 1월 | ![]() | 6270 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM4 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM4NB65CI | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 650V | 4A(TC) | 10V | 3.37옴 @ 2A, 10V | 250μA에서 4.5V | 13.46nC @ 10V | ±30V | 25V에서 549pF | - | 25W(Tc) | |||||||||||
![]() | BC857A RFG | 0.0343 | ![]() | 9208 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 200mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | BC807-25 | 0.0333 | ![]() | 2846 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC807 | 300mW | SOT-23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC807-25TR | EAR99 | 8541.21.0075 | 6,000 | 45V | 500mA | 100nA(ICBO) | PNP | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM056NH04CV RGG | 2.9000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 대만 건설 | PerFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | MOSFET(금속) | 8-PDFN(3.1x3.1) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM056NH04CVRGGTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 40V | 16A(Ta), 54A(Tc) | 7V, 10V | 5.6m옴 @ 27A, 10V | 3.6V @ 250μA | 29nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1828pF | - | 34W(Tc) | |||||||||||
![]() | TSM3N90CZ C0G | - | ![]() | 8691 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TSM3N90 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 900V | 2.5A(Tc) | 10V | 5.1옴 @ 1.25A, 10V | 4V @ 250μA | 17nC @ 10V | ±30V | 25V에서 748pF | - | 94W(Tc) | |||||||||||
![]() | BC549A B1 | - | ![]() | 3106 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500mW | TO-92 | 다운로드 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-BC549AB1 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 30V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | - | 110 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||
![]() | BC846CW RFG | 0.0368 | ![]() | 4536 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC846 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | MMBT3904L-UA RF | - | ![]() | 3419 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300mW | SOT-23 | - | 1801-MMBT3904L-UARF | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 40V | 200mA | 50nA | NPN | 300mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||
![]() | TS13002ACT A3G | - | ![]() | 4091 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 박스(TB) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | TS13002 | 600mW | TO-92 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 400V | 300mA | 1μA | NPN | 1.5V @ 20mA, 200mA | 25 @ 100mA, 10V | 4MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM60NC165CI | 5.0046 | ![]() | 7786 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TSM60 | MOSFET(금속) | ITO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 1801-TSM60NC165CI | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 600V | 24A(TC) | 10V | 165m옴 @ 11.3A, 10V | 5V @ 1mA | 44nC @ 10V | ±30V | 300V에서 1857pF | - | 89W(Tc) | |||||||||||
![]() | TQM250NB06DCR RLG | 3.5800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 대만 건설 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장, 일부 | 8파워TDFN | TQM250 | MOSFET(금속) | 2.5W(Ta), 58W(Tc) | 8-PDFNU(5x6) | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 60V | 6A(Ta), 30A(Tc) | 25m옴 @ 6A, 10V | 3.8V @ 250μA | 24nC @ 10V | 30V에서 1398pF | - | |||||||||||||
![]() | BC848BW RFG | 0.0368 | ![]() | 4368 | 0.00000000 | 대만 건설 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BC848 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

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