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트랜지스터 (1315)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SD1013 | - |  | 2080 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | M135 | 13W | M135 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 10db | 35V | 1A | NPN | 10 @ 200ma, 5V | 150MHz | - | |||||||||||||||||||||||
| APTGT75A120TG | - | | 9116 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | 350 w | 기준 | SP4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 100 a | 2.1V @ 15V, 75A | 250 µA | 예 | 5.34 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||
| 23A005 | - | | 5516 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 55BT | 3W | 55BT | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 8.5dB ~ 9.5dB | 22V | 400ma | NPN | 20 @ 100MA, 5V | 4.3GHz | - | |||||||||||||||||||||||
 | MS1409 | - | | 3725 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 7W | To-39 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 10db | 40V | 1A | NPN | 20 @ 100MA, 5V | 175MHz | - | |||||||||||||||||||||||
| jantx2n6764t1 | - | | 6198 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/543 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) | MOSFET (금속 (() | TO-254AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 38A (TC) | 10V | 65mohm @ 38a, 10V | 4V @ 250µA | 125 nc @ 10 v | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||
| APTGF25A120T1G | - | | 9431 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | SP1 | 208 w | 기준 | SP1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | NPT | 1200 v | 40 a | 3.7V @ 15V, 25A | 250 µA | 예 | 1.65 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||
| MS2214 | - | | 1053 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 250 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | M218 | 300W | M218 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 7.5dB | 55V | 8a | NPN | 20 @ 2a, 5V | 960MHz ~ 1.215GHz | - | |||||||||||||||||||||||
 | jantxv2n5013 | - | | 3281 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/727 | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | To-5 | - | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 v | 200 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 30 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | JANSF2N2221AUB | 139.3710 | | 4378 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/255 | 쟁반 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N2221 | 500MW | ub | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
| 1214-30 | - | | 5303 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 55AW | 88W | 55AW | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 7db | 50V | 4a | NPN | 20 @ 500ma, 5V | 1.2GHz ~ 1.4GHz | - | |||||||||||||||||||||||
| MS2575A | - | | 9629 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1014-6A | - | | 1686 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 55LV | 19W | 55LV | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 7dB ~ 7.5dB | 50V | 1A | NPN | - | 1GHz ~ 1.4GHz | - | |||||||||||||||||||||||
 | APT6017LFLLG | 19.2000 | | 15 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | MOSFET (금속 (() | TO-264 [L] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 35A (TC) | 10V | 170mohm @ 17.5a, 10V | 5V @ 2.5MA | 100 nc @ 10 v | ± 30V | 4500 pf @ 25 v | - | 500W (TC) | ||||||||||||||||||
| 68231H | - | | 7101 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 적용 적용 수 할 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF555 | - | | 3320 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 파워 파워 | MRF555 | 3W | 파워 파워 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 500 | 11dB ~ 13dB | 16V | 500ma | NPN | 30 @ 250ma, 5V | - | - | ||||||||||||||||||||||
| MS2176 | - | | 6523 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 2L-FLG | 875W | 2L-FLG | 다운로드 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 9.5dB | 28V | 21.6a | NPN | 10 @ 5a, 5V | - | - | ||||||||||||||||||||||||
 | APT11F80S | - | | 6544 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | MOS 8 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | apt11f80 | MOSFET (금속 (() | d3pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 800 v | 12A (TC) | 10V | 900mohm @ 6a, 10V | 5V @ 1MA | 80 nc @ 10 v | ± 30V | 2471 pf @ 25 v | - | 337W (TC) | |||||||||||||||||
| 75096a | - | | 2812 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantxv2n5013s | - | | 4075 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/727 | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 v | 200 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 30 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
| MS2361 | - | | 9629 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | M115 | 87.5W | M115 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 9db | 65V | 2.6a | NPN | - | 1.025GHz ~ 1.15GHz | - | |||||||||||||||||||||||
| 2N2944AUB | - | | 1334 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N2944 | 400MW | ub | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 10 v | 100 MA | 10µA (ICBO) | PNP | - | 100 @ 1ma, 500mv | - | |||||||||||||||||||||
 | MRF8372GR2 | - | | 5767 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 2.2W | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 8dB ~ 9.5dB | 16V | 200ma | NPN | 30 @ 50MA, 5V | 870MHz | - | ||||||||||||||||||||||||
| 62028 | - | | 8529 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 적용 적용 수 할 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT20N60BC3G | - | | 3471 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 20.7A (TC) | 10V | 190mohm @ 13.1a, 10V | 3.9V @ 1mA | 114 NC @ 10 v | ± 20V | 2440 pf @ 25 v | - | 208W (TC) | |||||||||||||||||||
| jantx2n3251aub | - | | 1639 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/323 | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 2N3251 | 360 MW | ub | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 200 MA | 10µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||
| APTM20SKM05G | - | | 5369 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | MOSFET (금속 (() | SP6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 317A (TC) | 10V | 6ohm @ 158.5a, 10V | 5V @ 10MA | 448 NC @ 10 v | ± 30V | 27400 pf @ 25 v | - | 1136W (TC) | |||||||||||||||||||
 | APT15GF120JCU2 | - | | 1431 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시, 마운트 스터드 | SOT-227-4, 미니 블록 | 156 w | 기준 | SOT-227 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | NPT | 1200 v | 30 a | 3.7V @ 15V, 15a | 250 µA | 아니요 | 1 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||
| JANTX2N5014 | - | | 5390 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/727 | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | To-5 | - | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 900 v | 200 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 30 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
| MS652S | - | | 2612 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | M123 | 25W | M123 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 10db | 16V | 2A | NPN | 10 @ 200ma, 5V | 450MHz ~ 512MHz | - | |||||||||||||||||||||||
| JANTX2N7335 | - | | 9646 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/599 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) | 2N733 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | Mo-036ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 p 채널 | 100V | 750ma | 1.4ohm @ 500ma, 10V | 4V @ 250µA | - | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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