SIC
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트랜지스터 (1315)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
APTGT100DA120D1G Microsemi Corporation APTGT100DA120D1G -
RFQ
 ECAD 3012 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 D1 520 w 기준 D1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 트렌치 트렌치 정지 1200 v 150 a 2.1V @ 15V, 100A 3 MA 아니요 7 nf @ 25 v
APTM20DHM08G Microsemi Corporation APTM20DHM08G -
RFQ
 ECAD 8885 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM20 MOSFET (금속 (() 781W SP6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 비대칭 200V 208a 10MOHM @ 104A, 10V 5V @ 5MA 280NC @ 10V 14400pf @ 25v -
JANTXV2N3251AUB Microsemi Corporation jantxv2n3251aub -
RFQ
 ECAD 7093 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/323 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 2N3251 360 MW ub 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 60 v 200 MA 10µA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v -
APTM20TDUM16PG Microsemi Corporation APTM20TDUM16PG -
RFQ
 ECAD 6102 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP6 APTM20 MOSFET (금속 (() 390W SP6-P 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 6 n 채널 (3 채널 교량) 200V 104a 19mohm @ 52a, 10V 5V @ 2.5MA 140NC @ 10V 7220pf @ 25v -
APT130SM70J Microsemi Corporation APT130SM70J -
RFQ
 ECAD 8699 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 sicfet ((카바이드) SOT-227 (ISOTOP®) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 700 v 78A (TC) 20V 45mohm @ 60a, 20V 2.4V @ 1mA 270 NC @ 20 v +25V, -10V 3950 pf @ 700 v - 273W (TC)
APT8075BN Microsemi Corporation APT8075BN -
RFQ
 ECAD 6466 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos IV® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 800 v 13A (TC) 10V 750mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 v ± 30V 2950 pf @ 25 v - 310W (TC)
2N6760 Microsemi Corporation 2N6760 -
RFQ
 ECAD 7171 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-204AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1.22ohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 75W (TC)
JANTXV2N6800U Microsemi Corporation jantxv2n6800u -
RFQ
 ECAD 3086 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/557 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 18-CLCC MOSFET (금속 (() 18-ULCC (9.14x7.49) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 400 v 3A (TC) 10V 1.1ohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 34.75 NC @ 10 v ± 20V - 800MW (TA), 25W (TC)
APT15F50K Microsemi Corporation APT15F50K -
RFQ
 ECAD 2463 0.00000000 Microsemi Corporation - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 [k] 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 15A (TC) 390mohm @ 7a, 10V 5v @ 500µa 55 NC @ 10 v 2250 pf @ 25 v - 223W (TC)
APTML60U12R020T1AG Microsemi Corporation APTML60U12R020T1AG -
RFQ
 ECAD 9180 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 MOSFET (금속 (() SP1 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 45A (TC) 10V 150mohm @ 22.5a, 10V 4V @ 2.5MA ± 30V 7600 pf @ 25 v - 568W (TC)
APTML1002U60R020T3AG Microsemi Corporation APTML1002U60R020T3AG -
RFQ
 ECAD 5282 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP3 APTML1002 MOSFET (금속 (() 520W SP3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 1000V (1KV) 20A 720mohm @ 10a, 10V 4V @ 2.5MA - 6000pf @ 25V -
JANTX2N7228 Microsemi Corporation JANTX2N7228 -
RFQ
 ECAD 8561 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/592 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) MOSFET (금속 (() TO-254AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 12A (TC) 10V 515mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
JAN2N6782U Microsemi Corporation JAN2N6782U -
RFQ
 ECAD 6892 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/556 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 18-CLCC MOSFET (금속 (() 18-ULCC (9.14x7.49) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 3.5A (TC) 10V 610mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 8.1 NC @ 10 v ± 20V - 800MW (TA), 15W (TC)
JANTXV2N6782 Microsemi Corporation jantxv2n6782 -
RFQ
 ECAD 5670 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/556 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() TO-205AF (TO-39) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 3.5A (TC) 10V 610mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 8.1 NC @ 10 v ± 20V - 800MW (TA), 15W (TC)
JAN2N7227 Microsemi Corporation JAN2N7227 -
RFQ
 ECAD 7593 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/592 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) MOSFET (금속 (() TO-254AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 400 v 14A (TC) 10V 415mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
JANTX2N6800U Microsemi Corporation jantx2n6800u -
RFQ
 ECAD 8986 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/557 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 18-CLCC MOSFET (금속 (() 18-ULCC (9.14x7.49) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 400 v 3A (TC) 10V 1.1ohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 34.75 NC @ 10 v ± 20V - 800MW (TA), 25W (TC)
JANTXV2N6768T1 Microsemi Corporation jantxv2n6768t1 -
RFQ
 ECAD 5389 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/543 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) MOSFET (금속 (() TO-254AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 400 v 14A (TC) 10V 400mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
JANTX2N6770T1 Microsemi Corporation jantx2n6770t1 -
RFQ
 ECAD 7368 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/543 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) MOSFET (금속 (() TO-254AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 12A (TC) 10V 500mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
JANTX2N6766 Microsemi Corporation jantx2n6766 -
RFQ
 ECAD 8229 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/543 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AE MOSFET (금속 (() TO-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 30A (TC) 10V 90mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
JAN2N6784U Microsemi Corporation JAN2N6784U -
RFQ
 ECAD 2455 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/556 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 18-CLCC MOSFET (금속 (() 18-ULCC (9.14x7.49) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 2.25A (TC) 10V 1.6ohm @ 2.25a, 10V 4V @ 250µA 8.6 NC @ 10 v ± 20V - 800MW (TA), 15W (TC)
JANTXV2N6760 Microsemi Corporation jantxv2n6760 -
RFQ
 ECAD 5781 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/542 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-204AA (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1.22ohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 75W (TC)
JANTXV2N6796U Microsemi Corporation jantxv2n6796u -
RFQ
 ECAD 7866 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/557 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 18-CLCC MOSFET (금속 (() 18-ULCC (9.14x7.49) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 8A (TC) 10V 195mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 28.51 NC @ 10 v ± 20V - 800MW (TA), 25W (TC)
JANTXV2N6766T1 Microsemi Corporation jantxv2n6766t1 -
RFQ
 ECAD 8428 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/543 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) MOSFET (금속 (() TO-254AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 30A (TC) 10V 90mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
JAN2N6788U Microsemi Corporation JAN2N6788U -
RFQ
 ECAD 8834 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/555 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 18-CLCC MOSFET (금속 (() 18-ULCC (9.14x7.49) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 100 v 4.5A (TC) 10V 350mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V - 800MW (TC)
JANTXV2N6758 Microsemi Corporation jantxv2n6758 -
RFQ
 ECAD 4361 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/542 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-204AA (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 9A (TC) 10V 490mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 75W (TC)
JANTX2N6768T1 Microsemi Corporation jantx2n6768t1 -
RFQ
 ECAD 3679 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/543 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) MOSFET (금속 (() TO-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 400 v 14A (TC) 10V 400mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
JANTXV2N6766 Microsemi Corporation jantxv2n6766 -
RFQ
 ECAD 6051 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/543 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AE MOSFET (금속 (() TO-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 30A (TC) 10V 90mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
JANTXV2N6790U Microsemi Corporation jantxv2n6790u -
RFQ
 ECAD 4063 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/555 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 18-CLCC MOSFET (금속 (() 18-ULCC (9.14x7.49) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 200 v 2.8A (TC) 10V 850mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 14.3 NC @ 10 v ± 20V - 800MW (TC)
APT15GN120KG Microsemi Corporation APT15GN120KG -
RFQ
 ECAD 6344 0.00000000 Microsemi Corporation Power MOS 7® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 APT15GN120 기준 195 w TO-220 [k] 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 800V, 15A, 4.3OHM, 15V 트렌치 트렌치 정지 1200 v 45 a 45 a 2.1V @ 15V, 15a 410µJ (on), 950µJ (OFF) 90 NC 10ns/150ns
JAN2N1016B Microsemi Corporation Jan2n1016b -
RFQ
 ECAD 3727 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/102 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 2N1016 150 W. To-82 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 7.5 a 1MA NPN 2.5V @ 1a, 5a 20 @ 2a, 4v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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