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트랜지스터 (1315)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	vce (on) (max) @ vge, ic	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
MS2584	-	RFQ	1375	Microsemi Corporation	*	대부분	쓸모없는									-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1
MS2200	-	RFQ	3827	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	200 ° C (TJ)	섀시 섀시	M102			1167W		M102	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1			9.7dB												65V	43.2A					NPN		20 @ 5a, 5V	400MHz ~ 500MHz	-
MS2608	-	RFQ	3658	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는									-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1
APTC90AM60SCTG	-	RFQ	5132	Microsemi Corporation	Coolmos ™	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SP4	APTC90	MOSFET (금속 (()	462W		SP4	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	100	2 n 채널 (채널 교량)			900V	59a		60mohm @ 52a, 10V	3.5V @ 6MA	540NC @ 10V		13600pf @ 100v	슈퍼 슈퍼
MSC1450A	-	RFQ	9635	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	250 ° C	섀시 섀시	M216			910W		M216	-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1			7db												65V	28a					-		15 @ 1a, 5V	-	-
APTGF100SK120TG	-	RFQ	7703	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	-	섀시 섀시	SP4			568 w	기준	SP4	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	1	하나의													NPT	1200 v	135 a	3.7V @ 15V, 100A	350 µA	예	6.9 NF @ 25 v
44022H	-	RFQ	4286	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는									-		적용 적용 수 할		쓸모없는	0000.00.0000	1
APTC60AM42F2G	-	RFQ	7921	Microsemi Corporation	Coolmos ™	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SP2	APTC60	MOSFET (금속 (()	416W		SP2	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널 다리)			600V	66a		42MOHM @ 33A, 10V	5V @ 6MA	510NC @ 10V		14600pf @ 25v	슈퍼 슈퍼
2N2221AL	9.0573	RFQ	8443	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	2N2221		500MW		TO-18 (TO-206AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	1															50 v	800 MA		50NA			NPN	1V @ 50MA, 500MA	40 @ 150ma, 10V	-
jantxv2n3735	-	RFQ	1485	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/395	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.		To-39	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1															40 v	1.5 a		10µA (ICBO)			NPN	900mv @ 100ma, 1a	20 @ 1a, 1.5v	-
APTM100SKM90G	-	RFQ	5021	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SP6		MOSFET (금속 (()			SP6	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		1000 v	78A (TC)	10V	105mohm @ 39a, 10V	5V @ 10MA	744 NC @ 10 v	± 30V	20700 pf @ 25 v	-	1250W (TC)
UMIL10	-	RFQ	3742	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	200 ° C (TJ)	섀시, 마운트 스터드	55 피트			28W		55 피트	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1			10db												30V	1.5A					NPN		10 @ 200ma, 5V	100MHz ~ 400MHz	-
APTGV50H60BT3G	-	RFQ	8191	Microsemi Corporation	-	대부분	활동적인	-	섀시 섀시	SP3	APTGV50		250 W.	기준	SP3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1	헬리콥터를 헬리콥터를, 부스트 다리													npt, 필드 트렌치 중지	600 v	65 a	2.45V @ 15V, 50A	250 µA	예	2.2 NF @ 25 v
APTM100DA18T1G	-	RFQ	1568	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SP1		MOSFET (금속 (()			SP1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		1000 v	40A (TC)	10V	216MOHM @ 33A, 10V	5V @ 2.5MA	570 nc @ 10 v	± 30V	14800 pf @ 25 v	-	657W (TC)
APTGT75SK120D1G	-	RFQ	8281	Microsemi Corporation	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	D1			357 w	기준	D1	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	1	하나의													트렌치 트렌치 정지	1200 v	110 a	2.1V @ 15V, 75A	4 MA	아니요	5.345 NF @ 25 v
UMIL80	-	RFQ	3519	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	200 ° C (TJ)	섀시 섀시	55HV			220W		55HV	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1			9db ~ 9.5db												31v	12a					NPN		10 @ 1a, 5V	200MHz ~ 500MHz	-
APT38N60SC6	-	RFQ	3063	Microsemi Corporation	Coolmos ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	APT38N60	MOSFET (금속 (()			d3pak	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		600 v	38A (TC)	10V	99mohm @ 18a, 10V	3.5v @ 1.2ma	112 NC @ 10 v	± 20V	2826 pf @ 25 v	-	278W (TC)
jantx2n7227	-	RFQ	2480	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/592	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-254-3, TO-254AA (직선 리드)		MOSFET (금속 (()			TO-254AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		400 v	14A (TC)	10V	415mohm @ 14a, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V		-	4W (TA), 150W (TC)
SD1526-01	-	RFQ	5633	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	200 ° C (TJ)	섀시 섀시	M115	SD1526		21.9W		M115	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1			9.5dB												45V	1A					NPN		-	960MHz ~ 1.215GHz	-
MS2225H	-	RFQ	5332	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는									-		1 (무제한)		쓸모없는	0000.00.0000	1
APT12067JLL	-	RFQ	1442	Microsemi Corporation	Power MOS 7®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	APT12067	MOSFET (금속 (()			SOT-227	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		1200 v	17A (TC)	10V	570mohm @ 10a, 10V	5V @ 2.5MA	290 NC @ 10 v	± 30V	6200 pf @ 25 v	-	460W (TC)
jantxv2n6788u	-	RFQ	4899	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/555	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	18-CLCC		MOSFET (금속 (()			18-ULCC (9.14x7.49)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	1		n 채널		100 v	4.5A (TC)	10V	350mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V		-	800MW (TC)
TPR700	-	RFQ	8742	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	200 ° C (TJ)	섀시 섀시	55kt			2050W		55kt	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1			6.7dB												65V	55A					NPN		10 @ 1a, 5V	1.03GHz ~ 1.09GHz	-
APTM120TDU57PG	-	RFQ	3362	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SP6	APTM120	MOSFET (금속 (()	390W		SP6-P	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1	6 n 채널 (3 채널 교량)			1200V (1.2kv)	17a		684mohm @ 8.5a, 10V	5V @ 2.5MA	187NC @ 10V		5155pf @ 25v	-
68106H	-	RFQ	6583	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는									-		적용 적용 수 할		쓸모없는	0000.00.0000	1
APT10M07JVR	-	RFQ	3254	Microsemi Corporation	MOS V®	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록		MOSFET (금속 (()			ISOTOP®	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널		100 v	225A (TC)	10V		4V @ 5MA	1050 NC @ 10 v	± 30V	21600 pf @ 25 v	-	700W (TC)
aptm10hm09ftg	-	RFQ	5229	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SP4	APTM10	MOSFET (금속 (()	390W		SP4	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1	4 n 채널 (채널 교량)			100V	139a		10mohm @ 69.5a, 10V	4V @ 2.5MA	350NC @ 10V		9875pf @ 25v	-
2N5099	-	RFQ	9688	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	-	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔			4 w		To-5	-	rohs 비준수	적용 적용 수 할		귀 99	8541.29.0095	1															800 v	1 a		-			NPN	-	-	-
APT14050JVFR	-	RFQ	3606	Microsemi Corporation	MOS V®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록		MOSFET (금속 (()			ISOTOP®	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	10		n 채널		1400 v	23A (TC)	10V	500mohm @ 11.5a, 10V	4V @ 5MA	820 NC @ 10 v	± 30V	13500 pf @ 25 v	-	694W (TC)
MS2215	-	RFQ	7351	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	250 ° C (TJ)	섀시 섀시	M216			300W		M216	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1			7.5dB												55V	16.5A					NPN		20 @ 5a, 5V	960MHz ~ 1.215GHz	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (1315)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²