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트랜지스터 (1315)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
JANSR2N7389	-	RFQ	9075	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/630	쟁반	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	TO-205AF af 캔			MOSFET (금속 (()			TO-205AF (TO-39)	다운로드		적용 적용 수 할		귀 99	8541.29.0095	1		p 채널			100 v	6.5A (TC)	12V	350mohm @ 6.5a, 12v	4V @ 1MA	45 nc @ 12 v	± 20V		-	25W (TC)
APTGT400SK120D3G	-	RFQ	6754	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	D-3 모듈				2100 w	기준	D3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1	하나의														트렌치 트렌치 정지	1200 v	580 a		2.1V @ 15V, 400A				750 µA	아니요	29 NF @ 25 v
JAN2N7236U	-	RFQ	1795	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/595	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-267AB			MOSFET (금속 (()			TO-267AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1		p 채널			100 v	18A (TC)	10V	220mohm @ 18a, 10V	4V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V		-	4W (TA), 125W (TC)
MS2244	-	RFQ	2557	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는										-		1 (무제한)		쓸모 쓸모	0000.00.0000	1
APTM50DUM19G	-	RFQ	6767	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SP6	APTM50		MOSFET (금속 (()	1136W		SP6	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널)				500V	163a		22.5mohm @ 81.5a, 10V	5V @ 10MA	492NC @ 10V		22400pf @ 25v	-
APT33N90JCCU2	-	RFQ	4928	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록			MOSFET (금속 (()			SOT-227	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	100		n 채널			900 v	33A (TC)	10V	120mohm @ 26a, 10V	3.5v @ 3ma	270 nc @ 10 v	± 20V	6800 pf @ 100 v	-	290W (TC)
APTM100SK18TG	-	RFQ	5067	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SP4			MOSFET (금속 (()			SP4	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널			1000 v	43A (TC)	10V	210mohm @ 21.5a, 10V	5V @ 5MA	372 NC @ 10 v	± 30V	10400 pf @ 25 v	-	780W (TC)
TPR400A	-	RFQ	4777	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	200 ° C (TJ)	섀시 섀시	55cx				875W		55cx	다운로드		1 (무제한)		쓸모 쓸모	0000.00.0000	1				9.5dB												55V	30A									NPN		10 @ 2.5a, 5V	-	-
APTGF150SK120TG	-	RFQ	5229	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	-	섀시 섀시	SP4				961 w	기준	SP4	다운로드		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	1	하나의														NPT	1200 v	200a		3.7V @ 15V, 150A				350 µA	예	10.2 NF @ 25 v
Jan2n5013	-	RFQ	4239	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/727	대부분	쓸모없는	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AA, TO-5-3 금속 캔				1 W.		To-5	-	rohs 비준수	적용 적용 수 할		귀 99	8541.29.0095	1																800 v	200 MA						10NA (ICBO)			NPN		30 @ 20MA, 10V	-
APT30GP60LDLG	-	RFQ	3791	Microsemi Corporation	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-264-3, TO-264AA	APT30GP60	기준		463 w		TO-264	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1			400V, 30A, 5ohm, 15V												Pt	600 v	100 a	120 a	2.7V @ 15V, 30A	260µJ (on), 250µJ (OFF)	90 NC	13ns/55ns
SD1526-01	-	RFQ	5633	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	200 ° C (TJ)	섀시 섀시	M115	SD1526			21.9W		M115	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1				9.5dB												45V	1A									NPN		-	960MHz ~ 1.215GHz	-
APT12067JLL	-	RFQ	1442	Microsemi Corporation	Power MOS 7®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	APT12067		MOSFET (금속 (()			SOT-227	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널			1200 v	17A (TC)	10V	570mohm @ 10a, 10V	5V @ 2.5MA	290 NC @ 10 v	± 30V	6200 pf @ 25 v	-	460W (TC)
MS2225H	-	RFQ	5332	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는										-		1 (무제한)		쓸모 쓸모	0000.00.0000	1
jantxv2n6788u	-	RFQ	4899	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/555	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	18-CLCC			MOSFET (금속 (()			18-ULCC (9.14x7.49)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	1		n 채널			100 v	4.5A (TC)	10V	350mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 v	± 20V		-	800MW (TC)
TPR700	-	RFQ	8742	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	200 ° C (TJ)	섀시 섀시	55kt				2050W		55kt	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1				6.7dB												65V	55A									NPN		10 @ 1a, 5V	1.03GHz ~ 1.09GHz	-
jantx2n7227	-	RFQ	2480	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/592	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-254-3, TO-254AA (직선 리드)			MOSFET (금속 (()			TO-254AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널			400 v	14A (TC)	10V	415mohm @ 14a, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V		-	4W (TA), 150W (TC)
jantxv2n7228	-	RFQ	2126	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/592	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-254-3, TO-254AA (직선 리드)			MOSFET (금속 (()			TO-254AA	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1		n 채널			500 v	12A (TC)	10V	515mohm @ 12a, 10V	4V @ 250µA	120 nc @ 10 v	± 20V		-	4W (TA), 150W (TC)
75109a	-	RFQ	8396	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는										-		1 (무제한)		쓸모 쓸모	0000.00.0000	1
MS1261	-	RFQ	2663	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	200 ° C (TJ)	섀시, 마운트 스터드	M122				34W		M122	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1				12db												18V	2.5A									NPN		20 @ 250ma, 5V	175MHz	-
61032Q	-	RFQ	3994	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는										-		적용 적용 수 할		쓸모 쓸모	0000.00.0000	1
TAN350	-	RFQ	1709	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	230 ° C (TJ)	섀시 섀시	55st				1450W		55st	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	1				7dB ~ 7.5dB												65V	40a									NPN		10 @ 1a, 5V	960MHz ~ 1.215GHz	-
APT5SM170S	-	RFQ	6411	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA			sicfet ((카바이드)			d3pak	-		1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널			1700 v	4.6A (TC)	20V	1.2ohm @ 2a, 20V	3.2V @ 500µA	29 NC @ 20 v	+25V, -10V	325 pf @ 1000 v	-	52W (TC)
SD1057-01H	-	RFQ	7524	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는										-		1 (무제한)		쓸모 쓸모	0000.00.0000	1
APT15GP90BG	-	RFQ	3510	Microsemi Corporation	Power MOS 7®	튜브	활동적인	-	구멍을 구멍을	TO-247-3	APT15GP90	기준		250 W.		TO-247 [B]	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	30			600V, 15A, 4.3OHM, 15V												Pt	900 v	43 a	60 a	3.9V @ 15V, 15a	200µJ (OFF)	60 NC	9ns/33ns
MS2202	-	RFQ	6315	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	200 ° C (TJ)	섀시 섀시	M115				10W		M115	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1				9db												3.5V	250ma									NPN		30 @ 100MA, 5V	1.025GHz ~ 1.15GHz	-
0910-60m	-	RFQ	7789	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	200 ° C (TJ)	섀시 섀시	55AW				180W		55AW	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0075	1				8dB ~ 8.5dB												65V	8a									NPN		-	890MHz ~ 1GHz	-
JAN2N4957	-	RFQ	2808	Microsemi Corporation	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	To-72-3 2 캔				200MW		To-72	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.21.0095	1				25db												30V	30ma									PNP		30 @ 5MA, 10V	-	3.5dB @ 450MHz
MS2901	-	RFQ	4194	Microsemi Corporation	*	대부분	쓸모없는										-		1 (무제한)		쓸모 쓸모	0000.00.0000	1
jantxv2n6250	-	RFQ	6490	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/510	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3				6 w		TO-3 (TO-204AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	귀 99	8541.29.0095	100																275 v	10 a						1MA			NPN	1.5V @ 1.25A, 10A	8 @ 10a, 3v	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (1315)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²