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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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![]() | APT12067JLL | - | ![]() | 1442 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT12067 | MOSFET (금속 (() | SOT-227 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 17A (TC) | 10V | 570mohm @ 10a, 10V | 5V @ 2.5MA | 290 NC @ 10 v | ± 30V | 6200 pf @ 25 v | - | 460W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n6788u | - | ![]() | 4899 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/555 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 18-CLCC | MOSFET (금속 (() | 18-ULCC (9.14x7.49) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 4.5A (TC) | 10V | 350mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TPR700 | - | ![]() | 8742 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 55kt | 2050W | 55kt | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 6.7dB | 65V | 55A | NPN | 10 @ 1a, 5V | 1.03GHz ~ 1.09GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM120TDU57PG | - | ![]() | 3362 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM120 | MOSFET (금속 (() | 390W | SP6-P | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 1200V (1.2kv) | 17a | 684mohm @ 8.5a, 10V | 5V @ 2.5MA | 187NC @ 10V | 5155pf @ 25v | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT10M07JVR | - | ![]() | 3254 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | MOS V® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 225A (TC) | 10V | 4V @ 5MA | 1050 NC @ 10 v | ± 30V | 21600 pf @ 25 v | - | 700W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptm10hm09ftg | - | ![]() | 5229 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | APTM10 | MOSFET (금속 (() | 390W | SP4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 (채널 교량) | 100V | 139a | 10mohm @ 69.5a, 10V | 4V @ 2.5MA | 350NC @ 10V | 9875pf @ 25v | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5099 | - | ![]() | 9688 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 4 w | To-5 | - | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 v | 1 a | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv2n7228 | - | ![]() | 2126 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/592 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) | MOSFET (금속 (() | TO-254AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 12A (TC) | 10V | 515mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50H120TG | - | ![]() | 8496 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | 277 w | 기준 | SP4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 전체 전체 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 75 a | 2.1V @ 15V, 50A | 250 µA | 예 | 3.6 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||
APT10035B2LLG | - | ![]() | 6679 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | APT10035 | MOSFET (금속 (() | T-Max ™ [B2] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1000 v | 28A (TC) | 10V | 350mohm @ 14a, 10V | 5V @ 2.5MA | 186 NC @ 10 v | ± 30V | 5185 pf @ 25 v | - | 690W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C5015 | - | ![]() | 8079 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | - | - | - | - | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n7224u | - | ![]() | 6410 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/592 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-267AB | MOSFET (금속 (() | TO-267AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 34A (TC) | 10V | 81mohm @ 34a, 10V | 4V @ 250µA | 125 nc @ 10 v | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TPR175 | - | ![]() | 4804 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 55cx | 290W | 55cx | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 8db ~ 9db | 55V | 9a | NPN | 10 @ 20ma, 5V | 1.03GHz ~ 1.09GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N3811 | - | ![]() | 9829 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/336 | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N3811 | 350MW | To-78-6 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50ma | 10µA (ICBO) | 2 PNP (() | 250mv @ 100µa, 1ma | 300 @ 1ma, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2588 | - | ![]() | 4337 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100SK170D1G | - | ![]() | 2745 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | D1 | 695 w | 기준 | D1 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1700 v | 200a | 2.4V @ 15V, 100A | 3 MA | 아니요 | 8.5 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTC90DAM60CT1G | - | ![]() | 8584 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | MOSFET (금속 (() | SP1 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | n 채널 | 900 v | 59A (TC) | 10V | 60mohm @ 52a, 10V | 3.5V @ 6MA | 540 nc @ 10 v | ± 20V | 13600 pf @ 100 v | - | 462W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5011 | 19.4180 | ![]() | 4531 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 1 W. | TO-5AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 600 v | 200 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 5MA, 25MA | 30 @ 25MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT45GR65SSCD10 | - | ![]() | 6599 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | APT45GR65 | 기준 | 543 w | d3pak | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 433V, 45A, 4.3OHM, 15V | 80 ns | NPT | 650 v | 118 a | 224 a | 2.4V @ 15V, 45A | 203 NC | 15ns/100ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MSC140SMA120S | - | ![]() | 4555 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 튜브 | 쓸모없는 | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6802U | - | ![]() | 4018 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 18-CLCC | MOSFET (금속 (() | 18-ULCC (9.14x7.49) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 2.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 4.46 NC @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TA), 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APT80SM120B | - | ![]() | 4768 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | sicfet ((카바이드) | TO-247 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 80A (TC) | 20V | 55mohm @ 40a, 20V | 2.5V @ 1mA | 235 NC @ 20 v | +25V, -10V | - | 555W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS2356 | - | ![]() | 7477 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 대부분 | 쓸모없는 | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
jantx2n5014s | - | ![]() | 5757 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/727 | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 900 v | 200 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 30 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 66116 | - | ![]() | 1266 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 적용 적용 수 할 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF50DH120TG | - | ![]() | 2464 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | SP4 | 312 w | 기준 | SP4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 비대칭 비대칭 | NPT | 1200 v | 75 a | 3.7V @ 15V, 50A | 250 µA | 예 | 3.45 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||
JANTX2N6798 | - | ![]() | 1054 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/557 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AF af 캔 | MOSFET (금속 (() | TO-205AF (TO-39) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 5.5A (TC) | 10V | 420mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 42.07 NC @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N6766 | - | ![]() | 9384 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/543 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AE | MOSFET (금속 (() | TO-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 30A (TC) | 10V | 90mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 115 NC @ 10 v | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | aptgt50a170d1g | - | ![]() | 4406 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | - | 섀시 섀시 | D1 | 310 w | 기준 | D1 | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 1700 v | 70 a | 2.4V @ 15V, 50A | 6 MA | 아니요 | 4.4 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2223-1.7 | - | ![]() | 6565 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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