- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (1315)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APTM120VDA57T3G | - |  | 6146 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTM120 | MOSFET (금속 (() | 390W | SP3 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 1200V (1.2kv) | 17a | 684mohm @ 8.5a, 10V | 5V @ 2.5MA | 187NC @ 10V | 5155pf @ 25v | - | ||||||||||||||||||||
| APTGF300DU120G | - | | 6723 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | SP6 | 1780 w | 기준 | SP6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 이중, 소스 일반적인 | NPT | 1200 v | 400 a | 3.9V @ 15V, 300A | 500 µA | 아니요 | 21 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||
| APTGT75DH60TG | - | | 6433 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | 250 W. | 기준 | SP4 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 비대칭 비대칭 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 100 a | 1.9V @ 15V, 75A | 250 µA | 예 | 4.62 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||
| APTC80DSK15T3G | - | | 2149 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTC80 | MOSFET (금속 (() | 277W | SP3 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 800V | 28a | 150mohm @ 14a, 10V | 3.9V @ 2MA | 180NC @ 10V | 4507pf @ 25v | - | |||||||||||||||||||
| jantxv2n7334 | - | | 9240 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/597 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) | 2N733 | MOSFET (금속 (() | 1.4W | Mo-036ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n 채널 | 100V | 1A | 700mohm @ 600ma, 10V | 4V @ 250µA | 60NC @ 10V | - | - | ||||||||||||||||||
 | APT5014SLLG/TR | - | | 5653 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 7® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 35A (TC) | 10V | 140mohm @ 17.5a, 10V | 5V @ 1MA | 72 NC @ 10 v | ± 30V | 3261 pf @ 25 v | - | 403W (TC) | |||||||||||||||||||
| APTGF530U120D4G | - | | 2087 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | D4 | 3900 w | 기준 | D4 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | NPT | 1200 v | 700 a | 3.7V @ 15V, 600A | 5 MA | 아니요 | 37 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||
| APTM10DDAM09T3G | - | | 1847 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | APTM10 | MOSFET (금속 (() | 390W | SP3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 100V | 139a | 10mohm @ 69.5a, 10V | 4V @ 2.5MA | 350NC @ 10V | 9875pf @ 25v | - | |||||||||||||||||||
| APTGT75DA120D1G | - | | 7594 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | D1 | 357 w | 기준 | D1 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 110 a | 2.1V @ 15V, 75A | 4 MA | 아니요 | 5.345 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||
| APTGT35SK120D1G | - | | 7456 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | D1 | 205 w | 기준 | D1 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 55 a | 2.1V @ 15V, 35A | 5 MA | 아니요 | 2.5 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||
| aptgt75ta60pg | - | | 3835 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | 250 W. | 기준 | SP6-P | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 3 단계 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 100 a | 1.9V @ 15V, 75A | 250 µA | 아니요 | 4.62 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||
| APTGT100DA120TG | - | | 4807 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | 480 W. | 기준 | SP4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 140 a | 2.1V @ 15V, 100A | 250 µA | 예 | 7.2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||
| APTC60AM83B1G | - | | 5891 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTC60 | MOSFET (금속 (() | 250W | SP1 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 3 n 채널 (채널 레그 + 부스트 헬기 헬기) | 600V | 36a | 83mohm @ 24.5a, 10V | 5V @ 3MA | 250NC @ 10V | 7200pf @ 25v | 슈퍼 슈퍼 | |||||||||||||||||||
 | APT30N60KC6 | - | | 5661 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 [k] | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 30A (TC) | 125mohm @ 14.5a, 10V | 3.5V @ 960µA | 88 NC @ 10 v | 2267 pf @ 25 v | - | 219W (TC) | ||||||||||||||||||||
| APTGT100SK60TG | - | | 7067 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | 340 W. | 기준 | SP4 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 150 a | 1.9V @ 15V, 100A | 250 µA | 예 | 6.1 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||
| APTGF200A120D3G | - | | 7636 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | D-3 모듈 | 1400 w | 기준 | D3 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | NPT | 1200 v | 300 a | 3.7V @ 15V, 200a | 5 MA | 아니요 | 13 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||
| APT5014B2VRG | - | | 4126 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 30 | 47A (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N7224 | - | | 8340 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/592 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) | MOSFET (금속 (() | TO-254AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 34A (TC) | 10V | 81mohm @ 34a, 10V | 4V @ 250µA | 125 nc @ 10 v | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||||||||
| jantxv2n6770t1 | - | | 9036 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/543 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) | MOSFET (금속 (() | TO-254AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 12A (TC) | 10V | 500mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||||||||
| jantxv2n6784 | - | | 3264 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/556 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AF af 캔 | MOSFET (금속 (() | TO-205AF (TO-39) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 2.25A (TC) | 10V | 1.6ohm @ 2.25a, 10V | 4V @ 250µA | 8.6 NC @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TA), 15W (TC) | ||||||||||||||||||
| APTGF100DU120TG | - | | 5907 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | SP4 | 568 w | 기준 | SP4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 이중, 소스 일반적인 | NPT | 1200 v | 135 a | 3.7V @ 15V, 100A | 350 µA | 예 | 6.9 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||
| APTGV100H60T3G | - | | 1313 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | SP3 | 340 W. | 기준 | SP3 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 전체 전체 인버터 | npt, 필드 트렌치 중지 | 600 v | 150 a | 1.9V @ 15V, 100A | 250 µA | 예 | 6.1 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||
| APTGT150H170G | - | | 6760 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTGT150 | 890 W. | 기준 | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 전체 전체 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1700 v | 250 a | 2.4V @ 15V, 150A | 350 µA | 아니요 | 13.5 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||
| APTM50SKM35TG | - | | 1645 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | MOSFET (금속 (() | SP4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 99A (TC) | 10V | 39mohm @ 49.5a, 10V | 5V @ 5MA | 280 nc @ 10 v | ± 30V | 14000 pf @ 25 v | - | 781W (TC) | ||||||||||||||||||
 | MRF5812GR2 | - | | 2812 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MRF5812 | 1.25W | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 13dB ~ 15.5dB | 15V | 200ma | NPN | 50 @ 50MA, 5V | 5GHz | 2DB ~ 3db @ 500MHz | |||||||||||||||||||||
| jantx2n6788u | - | | 6278 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/555 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 18-CLCC | MOSFET (금속 (() | 18-ULCC (9.14x7.49) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 4.5A (TC) | 10V | 350mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TC) | ||||||||||||||||||
| jantx2n6788 | - | | 1989 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/555 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AF af 캔 | MOSFET (금속 (() | To-39 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 6A (TC) | 10V | 350mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TC) | ||||||||||||||||||
| jantx2n6756 | - | | 9351 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/542 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (금속 (() | TO-204AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 14A (TC) | 10V | 210mohm @ 14a, 10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | - | 4W (TA), 75W (TC) | ||||||||||||||||||
| jantxv2n6798u | - | | 5388 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/557 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 18-CLCC | MOSFET (금속 (() | 18-ULCC (9.14x7.49) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 5.5A (TC) | 10V | 420mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 42.07 NC @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||||||
| jantxv2n6770 | - | | 8496 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/543 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AE | MOSFET (금속 (() | TO-204AE (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 12A (TC) | 10V | 500mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)