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트랜지스터 (1315)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | jantx2n3251a | - |  | 7162 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/323 | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N3251 | 360 MW | TO-39 (TO-205AD) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 200 MA | 10µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||
 | APTGF350DA60G | - | | 8006 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | SP6 | 1562 w | 기준 | SP6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | NPT | 600 v | 430 a | 2.5V @ 15V, 360A | 200 µA | 아니요 | 17.2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||
 | JANS2N6251T1 | - | | 3696 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/510 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) | 2N6251 | 6 w | TO-254AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 v | 10 a | 1MA | NPN | 1.5V @ 1.67A, 10A | 6 @ 10a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||||
| 80005 | - | | 3193 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N5013S | - | | 3156 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/727 | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | TO-39 (TO-205AD) | - | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 v | 200 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 30 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| MS2393 | - | | 9370 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | M138 | 583W | M138 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 8.2db | 65V | 11a | NPN | 5 @ 300ma, 5V | 1.025GHz ~ 1.15GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8372GR1 | - | | 5172 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 2.2W | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 8dB ~ 9.5dB | 16V | 200ma | NPN | 30 @ 50MA, 5V | 870MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| 62091 | - | | 3637 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 적용 적용 수 할 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS1076C | - | | 1560 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N6250 | - | | 7477 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 6 w | TO-204AA (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 275 v | 10 a | 1MA | NPN | 1.5V @ 1.25A, 10A | 8 @ 10a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | APTGF350DU60G | - | | 9252 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | SP6 | 1562 w | 기준 | SP6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 이중, 소스 일반적인 | NPT | 600 v | 430 a | 2.5V @ 15V, 360A | 200 µA | 아니요 | 17.2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||
| MS1202 | - | | 4524 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | M135 | 15W | M135 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 8.4dB | 35V | 1A | NPN | 5 @ 100ma, 5V | 118MHz ~ 136MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||
| JANSR2N7262U | - | | 4017 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/601 | 쟁반 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 18-CLCC | MOSFET (금속 (() | 18-ULCC (9.14x7.49) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 5.5A (TC) | 12V | 364mohm @ 5.5a, 12v | 4V @ 1MA | 50 nc @ 12 v | ± 20V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| aptgt50a60t1g | - | | 6919 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | 176 w | 기준 | SP1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 80 a | 1.9V @ 15V, 50A | 250 µA | 예 | 3.15 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||
 | ARF444 | - | | 3686 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | - | - | - | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 80270 | - | | 2646 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 대부분 | 쓸모없는 | - | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APTGF150DA120TG | - | | 7889 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | SP4 | 961 w | 기준 | SP4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | NPT | 1200 v | 200a | 3.7V @ 15V, 150A | 350 µA | 예 | 10.2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||
 | APTGF330A60D3G | - | | 1768 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | D-3 모듈 | 1560 w | 기준 | D3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | NPT | 600 v | 520 a | 2.45V @ 15V, 400A | 500 µA | 아니요 | 18 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||
| APTGF330SK60D3G | - | | 6265 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | D-3 모듈 | 1400 w | 기준 | D3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | NPT | 600 v | 460 a | 2.5V @ 15V, 400A | 750 µA | 아니요 | 18 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||
| APTGF50A120T1G | - | | 5269 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | SP1 | 312 w | 기준 | SP1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | NPT | 1200 v | 75 a | 3.7V @ 15V, 50A | 250 µA | 예 | 3.45 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||
| APTGT75DH120TG | - | | 3599 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | 357 w | 기준 | SP4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 비대칭 비대칭 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 110 a | 2.1V @ 15V, 75A | 250 µA | 예 | 5.34 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||
| APTM100A46FT1G | - | | 8722 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTM100 | MOSFET (금속 (() | 357W | SP1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 교량) | 1000V (1KV) | 19a | 552mohm @ 16a, 10V | 5V @ 2.5MA | 260NC @ 10V | 6800pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||
| APTGF90TA60PG | - | | 3938 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | SP6 | 416 w | 기준 | SP6-P | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 3 단계 | NPT | 600 v | 110 a | 2.5V @ 15V, 90A | 250 µA | 아니요 | 4.3 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||
| aptgf90tdu60pg | - | | 5664 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | 416 w | 기준 | SP6-P | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 트리플, 공통 - 듀얼 소스 | NPT | 600 v | 110 a | 2.5V @ 15V, 90A | 250 µA | 아니요 | 4.3 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||
| APTGL325SK120D3G | - | | 9835 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | D-3 모듈 | 1500 W. | 기준 | D3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 420 a | 2.2V @ 15V, 300A | 5 MA | 아니요 | 18.6 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||
| APTGT150A120D1G | - | | 6590 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | D1 | 700 w | 기준 | D1 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 220 a | 2.1V @ 15V, 150A | 4 MA | 아니요 | 10.8 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||
| APTGT150A60TG | - | | 6702 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | 480 W. | 기준 | SP4 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 225 a | 1.9V @ 15V, 150A | 250 µA | 예 | 9.2 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||
| APTGT150SK120D1G | - | | 3701 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 섀시 섀시 | D1 | 700 w | 기준 | D1 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 220 a | 2.1V @ 15V, 150A | 4 MA | 아니요 | 10.8 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||
| APTGT150SK170D1G | - | | 8504 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | D1 | 780 W. | 기준 | D1 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1700 v | 280 a | 2.4V @ 15V, 150A | 4 MA | 아니요 | 13 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||
| APTGT25SK120D1G | - | | 7342 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | - | 섀시 섀시 | D1 | 140 W. | 기준 | D1 | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 40 a | 2.1V @ 15V, 25A | 5 MA | 아니요 | 1.8 NF @ 25 v |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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