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트랜지스터(501)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 최대	공급업체 장치	데이터시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
2SC4632LS-RA11	-	보상요청	6056	산요	*	대부분	활동적인								-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				1
CPH5614-TL-E	0.3200	보상요청	21	산요	*	대부분	활동적인				CPH5614	-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0095	3,000											-
2SC6113	-	보상요청	5186	산요	*	대부분	활동적인								다운로드					EAR99	8541.29.0095	97
2SC4159E	-	보상요청	2612	산요	*	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우								-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-2SC4159E-600057			1
2SK4066-DL-E	-	보상요청	6752	산요	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		TO-263(D2Pak)	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-2SK4066-DL-E-600057			1		N채널	60V	100A(타)	4V, 10V	4.7m옴 @ 50A, 10V	2.6V @ 1mA	220nC @ 10V	±20V	20V에서 12500pF	-	1.65W(Ta), 90W(Tc)
CPH3320-TL-E	-	보상요청	2216	산요	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	표면 실장	SC-96		MOSFET(금속)		3-CPH	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-CPH3320-TL-E-600057			1		P채널	12V	2A(타)	1.8V, 4.5V	145m옴 @ 1A, 4.5V	1V @ 1mA	4.6nC @ 4.5V	±8V	6V에서 310pF	-	1W(타)
2N3906RLRMG	1.0000	보상요청	5425	산요	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	2N3906		625mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	1													40V	200mA	-	PNP	400mV @ 5mA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	250MHz
NIF9N05CLT3G-SY	0.5100	보상요청	4	산요	*	대부분	활동적인								다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	4,000
2SA2201-TD-E	-	보상요청	2216	산요	*	대부분	활동적인								다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	1
FSS273-TL-E-SY	0.5300	보상요청	4	산요	*	대부분	활동적인				FSS273	-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1,000											-
CPH3122-TL-E	0.1000	보상요청	36	산요	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	SC-96	CPH3122		900mW	3-CPH	다운로드					EAR99	8541.21.0075	1													30V	3A	100nA(ICBO)	PNP	180mV @ 75mA, 1.5A	200 @ 500mA, 2V	420MHz
2SA1770S-AN	-	보상요청	9850	산요	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	SC-71	2SA1770		1W	3-NMP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	1													160V	1.5A	1μA(ICBO)	PNP	500mV @ 50mA, 500mA	100 @ 100mA, 5V	120MHz
2SC4641T-AA	-	보상요청	6858	산요	*	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우								-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-2SC4641T-AA-600057			1
5LN01SS-TL-E	0.0800	보상요청	7	산요	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	SC-81	5LN01	MOSFET(금속)		3-SSFP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	1		N채널	50V	100mA(타)	1.5V, 4V	7.8옴 @ 50mA, 4V	-	1.57nC @ 10V	±10V	10V에서 6600pF	-	150mW(타)
FSS133-TL-E	0.7700	보상요청	17	산요	*	대부분	활동적인				FSS133	-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1,000											-
FW216-NMM-TL-E-SY	0.1400	보상요청	32	산요	*	대부분	활동적인				FW216	-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1,000											-
6LN04CH-TL-E	0.0600	보상요청	15	산요	*	대부분	활동적인				6LN04	-			다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0095	3,000											-
NTK3142PT1H	0.0200	보상요청	20	산요	*	대부분	활동적인				NTK3142	-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	4,000											-
CPH5701-TL-E	0.4600	보상요청	6	산요	*	대부분	활동적인								-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	3,000
MCH3427-TL-E	-	보상요청	6098	산요	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	표면 실장	3-SMD, 플랫 리드		MOSFET(금속)		3-SMD	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	20V	4A(타)		52m옴 @ 2A, 4V	1.3V @ 1mA	6nC @ 4V	±12V	10V에서 400pF	-	1W(타)
2SB1136R	0.7800	보상요청	4	산요	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩			2W	TO-220ML	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	0000.00.0000	1													50V	12A	100μA(ICBO)	PNP	400mV @ 600mA, 6A	100 @ 1A, 2V	10MHz
2SC4211-6-TL-E	0.0600	보상요청	21	산요	-	대부분	활동적인	-	표면 실장	SC-70, SOT-323	2SC4211			MCP	-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	3,000															-	-	-	-	-
BFL4037	3.4100	보상요청	100	산요	-	대부분	활동적인	150°C	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-220FI(LS)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	100		N채널	500V	11A(티씨)		430m옴 @ 8A, 10V	5V @ 1mA	48.6nC @ 10V	±30V	30V에서 1200pF	-	2W(Ta), 40W(Tc)
MCH6631-TL-E-SY	0.0900	보상요청	93	산요	*	대부분	활동적인				MCH6631	-			-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	3,000											-
NSV40300MZ4T1G	0.1900	보상요청	7	산요	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA			2W	SOT-223 (TO-261)	다운로드					EAR99	8541.21.0075	1,757													40V	3A	100nA(ICBO)	PNP	400mV @ 300mA, 3A	175 @ 1A, 1V	160MHz
ECH8304-TL-E	-	보상요청	3757	산요	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	8-SMD, 플랫 리드		MOSFET(금속)		8-ECH	-	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1		P채널	12V	9.5A(타)		16m옴 @ 4.5A, 4.5V	-	33nC @ 4.5V		3180pF @ 6V	-	1.6W(타)
2SK1888	-	보상요청	2954	산요	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-220ML	-				2156-2SK1888			1		N채널	30V	30A(타)	4V, 10V	25m옴 @ 18A, 10V	2V @ 1mA		±15V	10V에서 2000pF	-	2W(Ta), 30W(Tc)
2SA1209S	-	보상요청	8052	산요	*	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우								-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-2SA1209S-600057			1
DTC113EET1G	-	보상요청	7133	산요	*	대부분	활동적인								-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-DTC113EET1G-600057			1
ECH8619-TL-E	0.4100	보상요청	1693년	산요	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	표면 실장	8-SMD, 플랫 리드	ECH8619	MOSFET(금속)	1.5W	8-ECH	-						0000.00.0000	108	N 및 P 채널		60V	3A, 2A		93m옴 @ 1.5A, 10V	-	12.8nC @ 10V		560pF @ 20V	게임 레벨 레벨

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(501)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²