SIC
close
영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
FDG330P Fairchild Semiconductor FDG330P 0.3400
보상요청
ECAD 219 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET(금속) SC-88 (SC-70-6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 12V 2A(타) 110m옴 @ 2A, 4.5V 250μA에서 1.5V 7nC @ 4.5V ±8V 6V에서 477pF - 480mW(타)
FDS8958A Fairchild Semiconductor FDS8958A -
보상요청
ECAD 9962 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) FDS89 MOSFET(금속) 900mW 8-SOIC 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N 및 P 채널 30V 7A, 5A 28m옴 @ 7A, 10V 3V @ 250μA 16nC @ 10V 575pF @ 15V 게임 레벨 레벨
FQI6N60CTU Fairchild Semiconductor FQI6N60CTU 0.7000
보상요청
ECAD 1 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) I2PAK(TO-262) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 5.5A(Tc) 10V 2옴 @ 2.75A, 10V 4V @ 250μA 20nC @ 10V ±30V 25V에서 810pF - 125W(Tc)
FQB7N60TM-WS Fairchild Semiconductor FQB7N60TM-WS 0.9800
보상요청
ECAD 800 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D²PAK(TO-263) - 공급자가 규정하지 않는 경우 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-FQB7N60TM-WS-600039 1 N채널 600V 7.4A(Tc) 10V 1옴 @ 3.7A, 10V 5V @ 250μA 38nC @ 10V ±30V 25V에서 1430pF - 3.13W(Ta), 142W(Tc)
FDS4672A Fairchild Semiconductor FDS4672A -
보상요청
ECAD 6057 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) FDS4672 MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 40V 11A(타) 4.5V 13m옴 @ 11A, 4.5V 2V @ 250μA 49nC @ 4.5V ±12V 20V에서 4766pF - 2.5W(타)
FDS6672A Fairchild Semiconductor FDS6672A 1.6500
보상요청
ECAD 259 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 12.5A(타) 4.5V, 10V 8m옴 @ 14A, 10V 2V @ 250μA 46nC @ 4.5V ±12V 5070pF @ 15V - 2.5W(타)
PN3643 Fairchild Semiconductor PN3643 0.0400
보상요청
ECAD 40 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 2,000 30V 500mA 50nA NPN 220mV @ 15mA, 150mA 100 @ 150mA, 10V -
FQD5N40TM Fairchild Semiconductor FQD5N40TM 0.4400
보상요청
ECAD 157 0.00000000 비교차일드 QFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 400V 3.4A(Tc) 10V 1.6옴 @ 1.7A, 10V 5V @ 250μA 13nC @ 10V ±30V 25V에서 460pF - 2.5W(Ta), 45W(Tc)
FQU1N50TU Fairchild Semiconductor FQU1N50TU 0.1700
보상요청
ECAD 2 0.00000000 비교차일드 QFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 5,040 N채널 500V 1.1A(Tc) 10V 9옴 @ 550mA, 10V 5V @ 250μA 5.5nC @ 10V ±30V 25V에서 150pF - 2.5W(Ta), 25W(Tc)
FGI3040G2-F085 Fairchild Semiconductor FGI3040G2-F085 -
보상요청
ECAD 5990 0.00000000 비교차일드 자동차, AEC-Q101, EcoSPARK® 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA 논리 150W I2PAK(TO-262) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 300V, 6.5A, 1k옴, 5V 1.9μs - 400V 41A 1.25V @ 4V, 6A - 21nC -/4.8μs
SI3447DV Fairchild Semiconductor SI3447DV -
보상요청
ECAD 8313 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 MOSFET(금속) SuperSOT™-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 5.5A(타) 1.8V, 4.5V 33m옴 @ 5.5A, 4.5V 250μA에서 1.5V 30nC @ 4.5V ±8V 10V에서 1926pF - 800mW(타)
HUFA75344G3 Fairchild Semiconductor HUFA75344G3 2.3600
보상요청
ECAD 96 0.00000000 비교차일드 UltraFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 300 N채널 55V 75A(Tc) 10V 8m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 210nC @ 20V ±20V 3200pF @ 25V - 285W(Tc)
MPSA14 Fairchild Semiconductor MPSA14 -
보상요청
ECAD 6568 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92 (TO-226) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 5,000 30V 500mA 100nA(ICBO) NPN-달링턴 1.5V @ 100μA, 100mA 20000 @ 100mA, 5V 125MHz
IRFS634B_FP001 Fairchild Semiconductor IRFS634B_FP001 0.5000
보상요청
ECAD 6 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220F-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 250V 8.1A(티씨) 10V 450m옴 @ 4.05A, 10V 4V @ 250μA 38nC @ 10V ±30V 25V에서 1000pF - 38W(Tc)
FJP5304DTU Fairchild Semiconductor FJP5304DTU 1.0000
보상요청
ECAD 9133 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-220-3 70W TO-220-3 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 400V 4A 250mA NPN 1.5V @ 500mA, 2.5A 8 @ 2A, 5V -
FJP1943RTU Fairchild Semiconductor FJP1943RTU 1.3400
보상요청
ECAD 712 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -50°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 80W TO-220-3 다운로드 EAR99 8541.29.0095 225 230V 15A 5μA(ICBO) PNP 3V @ 800mA, 8A 55 @ 1A, 5V 30MHz
KSB1116ALTA Fairchild Semiconductor KSB1116ALTA 1.0000
보상요청
ECAD 5833 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 750mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0075 2,000 60V 1A 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 50mA, 1A 300 @ 100mA, 2V 120MHz
FDC6392S Fairchild Semiconductor FDC6392S 1.0000
보상요청
ECAD 9722 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 FDC6392 MOSFET(금속) SuperSOT™-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 3,000 P채널 20V 2.2A(타) 2.5V, 4.5V 150m옴 @ 2.2A, 4.5V 250μA에서 1.5V 5.2nC @ 4.5V ±12V 10V에서 369pF 쇼트키 다이오드(절연) 960mW(타)
KSD362R Fairchild Semiconductor KSD362R 0.2000
보상요청
ECAD 4647 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 40W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 1,170 70V 5A 20μA(ICBO) NPN 1V @ 500mA, 5A 40 @ 5A, 5V 10MHz
HGT1S20N36G3VL Fairchild Semiconductor HGT1S20N36G3VL 1.8700
보상요청
ECAD 58 0.00000000 비교차일드 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA 논리 150W I2PAK(TO-262) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 400 300V, 10A, 25옴, 5V - 395V 37.7A 1.9V @ 5V, 20A - 28.7nC -/15μs
FGP90N30TU Fairchild Semiconductor FGP90N30TU 1.0000
보상요청
ECAD 1406 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 192W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 - - 300V 90A 130A 1.4V @ 15V, 20A - 130nC -
BD243BTU Fairchild Semiconductor BD243BTU 0.3700
보상요청
ECAD 6 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 BD243 65W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 80V 6A 700μA NPN 1.5V @ 1A, 6A 15 @ 3A, 4V -
TIP41B Fairchild Semiconductor TIP41B -
보상요청
ECAD 1628년 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 2W TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 80V 6A 700μA NPN 1.5V @ 600mA, 6A 30 @ 300mA, 4V 3MHz
SI6963DQ Fairchild Semiconductor SI6963DQ 0.2300
보상요청
ECAD 5 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비) SI6963 MOSFET(금속) 600mW(타) 8-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 1 2 P채널(듀얼) 20V 3.8A(타) 43m옴 @ 3.8A, 4.5V 250μA에서 1.5V 16nC @ 4.5V 1015pF @ 10V -
BC546ATA Fairchild Semiconductor BC546ATA 1.0000
보상요청
ECAD 4884 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 500mW TO-92-3 다운로드 EAR99 8541.21.0075 1 65V 100mA 15nA(ICBO) NPN 600mV @ 5mA, 100mA 110 @ 2mA, 5V 300MHz
FDD14AN06LA0 Fairchild Semiconductor FDD14AN06LA0 2.1500
보상요청
ECAD 85 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252, (D-박) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 9.5A(Ta), 50A(Tc) 5V, 10V 11.6m옴 @ 50A, 10V 3V @ 250μA 32nC @ 5V ±20V 25V에서 2810pF - 125W(Tc)
BCX71G Fairchild Semiconductor BCX71G 0.0200
보상요청
ECAD 7800 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 369 45V 100mA 20nA PNP 550mV @ 1.25mA, 50mA 120 @ 2mA, 5V -
FDW2504P Fairchild Semiconductor FDW2504P 1.1200
보상요청
ECAD 523 0.00000000 비교차일드 파워트렌치® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비) FDW25 MOSFET(금속) 600mW 8-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 2,500 2 P채널(듀얼) 20V 3.8A 43m옴 @ 3.8A, 4.5V 250μA에서 1.5V 16nC @ 4.5V 1030pF @ 10V 게임 레벨 레벨
2N4403TF Fairchild Semiconductor 2N4403TF 0.0400
보상요청
ECAD 14 0.00000000 비교차일드 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 625mW TO-92-3 다운로드 EAR99 8541.21.0075 7,991 40V 600mA - PNP 750mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 2V 200MHz
NDS9956A Fairchild Semiconductor NDS9956A -
보상요청
ECAD 4055 0.00000000 비교차일드 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 900mW(타) 8-SOIC - 2156-NDS9956A 1 2 N채널 30V 3.7A(타) 80mΩ @ 2.2A, 10V 2.8V @ 250μA 27nC @ 10V 320pF @ 10V 기준
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고