| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 테스트 조건 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 역복구 시간(trr) | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDG330P | 0.3400 | ![]() | 219 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET(금속) | SC-88 (SC-70-6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 12V | 2A(타) | 110m옴 @ 2A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 7nC @ 4.5V | ±8V | 6V에서 477pF | - | 480mW(타) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8958A | - | ![]() | 9962 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | FDS89 | MOSFET(금속) | 900mW | 8-SOIC | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N 및 P 채널 | 30V | 7A, 5A | 28m옴 @ 7A, 10V | 3V @ 250μA | 16nC @ 10V | 575pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI6N60CTU | 0.7000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 5.5A(Tc) | 10V | 2옴 @ 2.75A, 10V | 4V @ 250μA | 20nC @ 10V | ±30V | 25V에서 810pF | - | 125W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQB7N60TM-WS | 0.9800 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | - | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 2156-FQB7N60TM-WS-600039 | 1 | N채널 | 600V | 7.4A(Tc) | 10V | 1옴 @ 3.7A, 10V | 5V @ 250μA | 38nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1430pF | - | 3.13W(Ta), 142W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4672A | - | ![]() | 6057 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | FDS4672 | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 40V | 11A(타) | 4.5V | 13m옴 @ 11A, 4.5V | 2V @ 250μA | 49nC @ 4.5V | ±12V | 20V에서 4766pF | - | 2.5W(타) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6672A | 1.6500 | ![]() | 259 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 12.5A(타) | 4.5V, 10V | 8m옴 @ 14A, 10V | 2V @ 250μA | 46nC @ 4.5V | ±12V | 5070pF @ 15V | - | 2.5W(타) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PN3643 | 0.0400 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 30V | 500mA | 50nA | NPN | 220mV @ 15mA, 150mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD5N40TM | 0.4400 | ![]() | 157 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 400V | 3.4A(Tc) | 10V | 1.6옴 @ 1.7A, 10V | 5V @ 250μA | 13nC @ 10V | ±30V | 25V에서 460pF | - | 2.5W(Ta), 45W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQU1N50TU | 0.1700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 비교차일드 | QFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,040 | N채널 | 500V | 1.1A(Tc) | 10V | 9옴 @ 550mA, 10V | 5V @ 250μA | 5.5nC @ 10V | ±30V | 25V에서 150pF | - | 2.5W(Ta), 25W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FGI3040G2-F085 | - | ![]() | 5990 | 0.00000000 | 비교차일드 | 자동차, AEC-Q101, EcoSPARK® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | 논리 | 150W | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300V, 6.5A, 1k옴, 5V | 1.9μs | - | 400V | 41A | 1.25V @ 4V, 6A | - | 21nC | -/4.8μs | ||||||||||||||||||||||
![]() | SI3447DV | - | ![]() | 8313 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | MOSFET(금속) | SuperSOT™-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 5.5A(타) | 1.8V, 4.5V | 33m옴 @ 5.5A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 30nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 1926pF | - | 800mW(타) | |||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75344G3 | 2.3600 | ![]() | 96 | 0.00000000 | 비교차일드 | UltraFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | MOSFET(금속) | TO-247 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 300 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 8m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 210nC @ 20V | ±20V | 3200pF @ 25V | - | 285W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA14 | - | ![]() | 6568 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 30V | 500mA | 100nA(ICBO) | NPN-달링턴 | 1.5V @ 100μA, 100mA | 20000 @ 100mA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS634B_FP001 | 0.5000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220F-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 250V | 8.1A(티씨) | 10V | 450m옴 @ 4.05A, 10V | 4V @ 250μA | 38nC @ 10V | ±30V | 25V에서 1000pF | - | 38W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FJP5304DTU | 1.0000 | ![]() | 9133 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | - | 스루홀 | TO-220-3 | 70W | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V | 4A | 250mA | NPN | 1.5V @ 500mA, 2.5A | 8 @ 2A, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP1943RTU | 1.3400 | ![]() | 712 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -50°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 80W | TO-220-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 225 | 230V | 15A | 5μA(ICBO) | PNP | 3V @ 800mA, 8A | 55 @ 1A, 5V | 30MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB1116ALTA | 1.0000 | ![]() | 5833 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 750mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 60V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 300mV @ 50mA, 1A | 300 @ 100mA, 2V | 120MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC6392S | 1.0000 | ![]() | 9722 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | FDC6392 | MOSFET(금속) | SuperSOT™-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | P채널 | 20V | 2.2A(타) | 2.5V, 4.5V | 150m옴 @ 2.2A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 5.2nC @ 4.5V | ±12V | 10V에서 369pF | 쇼트키 다이오드(절연) | 960mW(타) | ||||||||||||||||||||
![]() | KSD362R | 0.2000 | ![]() | 4647 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 40W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,170 | 70V | 5A | 20μA(ICBO) | NPN | 1V @ 500mA, 5A | 40 @ 5A, 5V | 10MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1S20N36G3VL | 1.8700 | ![]() | 58 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | 논리 | 150W | I2PAK(TO-262) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 300V, 10A, 25옴, 5V | - | 395V | 37.7A | 1.9V @ 5V, 20A | - | 28.7nC | -/15μs | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FGP90N30TU | 1.0000 | ![]() | 1406 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 기준 | 192W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 300V | 90A | 130A | 1.4V @ 15V, 20A | - | 130nC | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | BD243BTU | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BD243 | 65W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 80V | 6A | 700μA | NPN | 1.5V @ 1A, 6A | 15 @ 3A, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP41B | - | ![]() | 1628년 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 2W | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80V | 6A | 700μA | NPN | 1.5V @ 600mA, 6A | 30 @ 300mA, 4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||
| SI6963DQ | 0.2300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비) | SI6963 | MOSFET(금속) | 600mW(타) | 8-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 3.8A(타) | 43m옴 @ 3.8A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 16nC @ 4.5V | 1015pF @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | BC546ATA | 1.0000 | ![]() | 4884 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 110 @ 2mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD14AN06LA0 | 2.1500 | ![]() | 85 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | TO-252, (D-박) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 60V | 9.5A(Ta), 50A(Tc) | 5V, 10V | 11.6m옴 @ 50A, 10V | 3V @ 250μA | 32nC @ 5V | ±20V | 25V에서 2810pF | - | 125W(Tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BCX71G | 0.0200 | ![]() | 7800 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350mW | SOT-23-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 369 | 45V | 100mA | 20nA | PNP | 550mV @ 1.25mA, 50mA | 120 @ 2mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| FDW2504P | 1.1200 | ![]() | 523 | 0.00000000 | 비교차일드 | 파워트렌치® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비) | FDW25 | MOSFET(금속) | 600mW | 8-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 3.8A | 43m옴 @ 3.8A, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 16nC @ 4.5V | 1030pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4403TF | 0.0400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 7,991 | 40V | 600mA | - | PNP | 750mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS9956A | - | ![]() | 4055 | 0.00000000 | 비교차일드 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 900mW(타) | 8-SOIC | - | 2156-NDS9956A | 1 | 2 N채널 | 30V | 3.7A(타) | 80mΩ @ 2.2A, 10V | 2.8V @ 250μA | 27nC @ 10V | 320pF @ 10V | 기준 |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

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