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트랜지스터(226)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
RJL5013DPP-E0#T2	-	보상요청	2825	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-220FP	-	RoHS 비준수	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-RJL5013DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	52		N채널	500V	14A(타)	10V	510m옴 @ 7A, 10V	4V @ 1mA	37.6nC @ 10V	±30V	25V에서 1400pF	-	30W(Tc)
2SK3654W-S17-AY	-	보상요청	4030	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우								-			2156-2SK3654W-S17-AY			1
GA4F3M(0)-T1-A	0.0800	보상요청	63	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	SC-70, SOT-323	GA4F3M		150mW	SC-70	다운로드	RoHS 비준수	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-GA4F3M(0)-T1-A	EAR99	8541.29.0095	1													50V	100mA	100nA	NPN - 사전 바이어스됨	200mV @ 250μA, 5mA	50 @ 50mA, 5V		2kΩ	2kΩ
KN4A4M(0)-T1-A	-	보상요청	5321	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	SC-75, SOT-416			200mW	SC-75	-			2156-KN4A4M(0)-T1-A			1													50V	100mA	100nA(ICBO)	PNP - 사전 바이어스됨	200mV @ 250μA, 5mA	80 @ 50mA, 5V		10kΩ	10kΩ
UPA2378T1P-E1-A	0.3700	보상요청	60	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우								-	RoHS 비준수	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-UPA2378T1P-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1
RJK6013DPP-E0#T2	4.4900	보상요청	2	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-220FP	-	RoHS 비준수	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-RJK6013DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		N채널	600V	11A(타)	10V	700m옴 @ 5.5A, 10V	4.5V @ 1mA	37.5nC @ 10V	±30V	25V에서 1450pF	-	30W(Tc)
NP89N04PUK-E1-AY	-	보상요청	1610	르네사스	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	175°C	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		TO-263-3	-			2156-NP89N04PUK-E1-AY			1		N채널	40V	90A(Tc)	10V	2.95m옴 @ 45A, 5V	4V @ 250μA	102nC @ 10V	±20V	5850pF @ 25V	-	1.8W(Ta), 147W(Tc)
RJK5013DPP-E0#T2	4.9400	보상요청	17	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	스루홀	TO-220-3 풀팩		MOSFET(금속)		TO-220FP	-	RoHS 비준수	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-RJK5013DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	61		N채널	500V	14A(타)	10V	465m옴 @ 7A, 10V	4.5V @ 1mA	38nC @ 10V	±30V	25V에서 1450pF	-	30W(Tc)
2SK2157C-T1-AZ	0.8100	보상요청	34	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	표면 실장	TO-243AA		MOSFET(금속)		MP-2	-	RoHS 비준수	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-2SK2157C-T1-AZ	EAR99	8541.21.0095	1		N채널	30V	3.5A(타)	2.5V, 4.5V	63m옴 @ 2A, 4.5V	1.5V @ 1mA	4nC @ 4V	±12V	10V에서 260pF	-	2W(타)
2SK2858(0)-T1-AT	-	보상요청	4525	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우								-			2156-2SK2858(0)-T1-AT			1
2SJ607-ZJ-AZ	1.0000	보상요청	5250	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		TO-263	-	RoHS 비준수	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-2SJ607-ZJ-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		P채널	60V	83A(티씨)	4V, 10V	11m옴 @ 42A, 10V	2.5V @ 1mA	188nC @ 10V	±20V	7500pF @ 10V	-	1.5W(Ta), 160W(Tc)
2SK4178-ZK-E1-AY	0.7100	보상요청	27	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63		MOSFET(금속)		TO-252 (MP-3ZK)	-	RoHS 비준수	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-2SK4178-ZK-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1		N채널	30V	48A(TC)	4.5V, 10V	9m옴 @ 30A, 10V	2.5V @ 250μA	24nC @ 10V	±20V	1500pF @ 10V	-	1W(Ta), 33W(Tc)
HAT2202C-EL-E	0.2900	보상요청	46	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	표면 실장	6-SMD, 플랫 리드		MOSFET(금속)		6-CMFPAK	-	RoHS 비준수	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-HAT2202C-EL-E	EAR99	8541.21.0095	1		N채널	20V	3A(타)	2.5V, 4.5V	40m옴 @ 1.5A, 4.5V	1.4V @ 1mA	6nC @ 4.5V	±12V	10V에서 520pF	-	200mW
2SB601-AZ	1.5000	보상요청	4	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			1.5W	TO-220AB	-	RoHS 비준수	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-2SB601-AZ	EAR99	8541.29.0095	1													100V	5A	10μA	PNP-달링턴	1.5V @ 3mA, 3A	2000 @ 3A, 2V	-
FS20LM-5A-E4#C02	-	보상요청	1938년	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우								-			2156-FS20LM-5A-E4#C02			1
UPA1602GS-E1-A	1.5500	보상요청	62	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C	표면 실장	16-SOIC(0.220", 5.59mm 폭)	UPA1602	MOSFET(금속)	1W(타)	16-SOP	-	RoHS 비준수	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-UPA1602GS-E1-A	EAR99	8542.39.0001	1	7N채널		30V	430mA(타)		5.3옴 @ 150mA, 4.5V	1V @ 150mA	-		10pF	-
UPA1722G-E2-A	-	보상요청	6348	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	표면 실장	8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭)		MOSFET(금속)		8-SOP	-			2156-UPA1722G-E2-A			1		N채널	30V	9A(타)	4V, 10V	21m옴 @ 4.5A, 10V	2.5V @ 1mA	20nC @ 10V	±20V	980pF @ 10V	-	2W(타)
FA4L4L-T1B-A	0.0300	보상요청	348	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FA4L4L		200mW	SC-59	-	RoHS 비준수	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-FA4L4L-T1B-A	EAR99	8541.29.0095	1													50V	100mA	100nA	NPN - 사전 바이어스됨	200mV @ 250μA, 5mA	90 @ 5mA, 5V		47kΩ	22kΩ
2SK3714(0)-S12-AZ	2.3600	보상요청	7	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	스루홀	TO-220-3 끼워탭		MOSFET(금속)		MP-45F	-	RoHS 비준수	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-2SK3714(0)-S12-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N채널	60V	50A(Tc)	4V, 10V	13m옴 @ 25A, 10V	2.5V @ 1mA	60nC @ 10V	±20V	10V에서 3200pF	-	2W(Ta), 35W(Tc)
RJK6002DPH-E0#T2	0.8700	보상요청	3	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA		MOSFET(금속)		TO-251	-	RoHS 비준수	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-RJK6002DPH-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		N채널	600V	2A(타)	10V	6.8옴 @ 1A, 10V	4.5V @ 1mA	6.2nC @ 10V	±30V	25V에서 165pF	-	30W(Tc)
NP80N055MHE-S18-AY	2.2400	보상요청	2	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	175°C	스루홀	TO-220-3		MOSFET(금속)		MP-25K	-	RoHS 비준수	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-NP80N055MHE-S18-AY	EAR99	8541.29.0095	1		N채널	55V	80A(Tc)	10V	11m옴 @ 40A, 10V	4V @ 250μA	60nC @ 10V	±20V	3600pF @ 25V	-	1.8W(Ta), 120W(Tc)
N0302P-T1-AT	-	보상요청	9693	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	표면 실장	SOT-23-3 플랫 리드		MOSFET(금속)		SOT-23F	-	RoHS 비준수	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-N0302P-T1-AT	EAR99	8541.21.0095	1		P채널	30V	4A(타)	4V, 10V	54m옴 @ 2.2A, 10V	2.5V @ 1mA	14nC @ 10V	±20V	10V에서 620pF	-	200mW(타)
2SK2461-AZ	2.9800	보상요청	1	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	스루홀	TO-220-3 풀팩, 분리형 탭		MOSFET(금속)		ITO-220AB	다운로드	RoHS 비준수	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-2SK2461-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N채널	100V	20A(타)	4V, 10V	80m옴 @ 10A, 10V	2V @ 1mA	51nC @ 10V	±20V	1400pF @ 10V	-	2W(Ta), 35W(Tc)
UPA2706GR-E2-AT	1.1600	보상요청	19	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	표면 실장	8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭)		MOSFET(금속)		8-SOP	-	RoHS 비준수	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-UPA2706GR-E2-AT	EAR99	8541.21.0095	1		N채널	30V	11A(Ta), 20A(Tc)	4V, 10V	15m옴 @ 5.5A, 10V	2.5V @ 1mA	7.1nC @ 5V	±20V	10V에서 660pF	-	3W(Ta), 15W(Tc)
2SC4554(7)-S6-AZ	-	보상요청	4586	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우								-			2156-2SC4554(7)-S6-AZ			1
2SK3433(0)-Z-E1-AZ	1.3300	보상요청	714	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET(금속)		TO-263, TO-220SMD	-	RoHS 비준수	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-2SK3433(0)-Z-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N채널	60V	40A(Tc)	4V, 10V	26m옴 @ 20A, 10V	2.5V @ 1mA	30nC @ 10V	±20V	1500pF @ 10V	-	1.5W(Ta), 47W(Tc)
2SK3813-Z-AZ	-	보상요청	7024	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA		MOSFET(금속)		MP-3	다운로드	RoHS 비준수	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-2SK3813-Z-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N채널	40V	60A(Tc)	4.5V, 10V	5.3m옴 @ 30A, 10V	2.5V @ 1mA	96nC @ 10V	±20V	10V에서 5500pF	-	1W(Ta), 84W(Tc)
2SJ197-T1-AZ	-	보상요청	8658	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C	표면 실장	TO-243AA		MOSFET(금속)		SOT-89	-	RoHS 비준수	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-2SJ197-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		P채널	60V	1.5A(타)	4V, 10V	1옴 @ 500mA, 10V	3V @ 1mA		±20V	10V에서 220pF	-	2W(타)
2SB605-AZ	-	보상요청	2348	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	150°C (TJ)	스루홀	3-SSIP				-	-			2156-2SB605-AZ			1															100nA(ICBO)	PNP	350mV @ 50mA, 500mA	90 @ 100mA, 1V	120MHz
2SD571(1)-T(ND)-AZ	-	보상요청	4035	르네사스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우								-			2156-2SD571(1)-T(ND)-AZ			1

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(226)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²