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트랜지스터 (226)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
2SJ532-E Renesas 2SJ532-E 1.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() to-220cfm - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SJ532-E 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 60 v 20A (TA) 4V, 10V 55mohm @ 10a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 1750 pf @ 10 v - 30W (TC)
NP32N055SLE-E1-AY Renesas NP32N055sle-e1-ay -
RFQ
 ECAD 1281 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (MP-3ZK) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-NP32N055SLE-e1-ay 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 32A (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 1.2W (TA), 66W (TC)
UPA2790GR-E1-AT Renesas UPA2790GR-E1-AT 0.9400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) UPA2790 MOSFET (금속 (() 1.7W (TA) 8-SOP 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-UPA2790GR-E1-AT 귀 99 8541.29.0095 1 n 및 p 채널 30V 6A (TA) 28mohm @ 3a, 10v, 60mohm @ 3a, 10v 2.5V @ 1mA 12.6nc @ 10v, 11nc @ 10v 500pf @ 10V, 460pf @ 10V -
2SD1694(2)-S2-AZ Renesas 2SD1694 (2) -S2 -AZ -
RFQ
 ECAD 6768 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-2SD1694 (2) -S2-AZ 1
2SK3481-AZ Renesas 2SK3481-AZ -
RFQ
 ECAD 5665 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SK3481-AZ 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 30A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 1mA 48 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 56W (TC)
RBK02P11GQT-0000#JCH Renesas RBK02P11GQT-0000#JCH -
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-RBK02P11GQT-0000#JCH 1
2SK3899(0)-ZK-E1-AY Renesas 2SK3899 (0) -zk-e1-ay -
RFQ
 ECAD 6127 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-3 - 2156-2SK3899 (0) -zk-e1-ay 1 n 채널 60 v 84A (TC) 4.5V, 10V 5.3MOHM @ 42A, 10V 2.5V @ 1mA 96 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 146W (TC)
UPA2701TP-E1-AZ Renesas UPA2701TP-E1-AZ -
RFQ
 ECAD 1268 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) 노출 패드 MOSFET (금속 (() 8 시간 - 2156-UPA2701TP-E1-AZ 1 n 채널 30 v 16A (TA), 35A (TC) 4V, 10V 7.5mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 12 nc @ 5 v ± 20V 1200 pf @ 10 v - 3W (TA), 28W (TC)
RJK5035DPP-E0#T2 Renesas RJK5035DPP-E0#T2 -
RFQ
 ECAD 5014 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220FP - 2156-RJK5035DPP-E0#T2 1 n 채널 500 v 10A (TA) 10V 850mohm @ 5a, 10V 5V @ 1MA 23 nc @ 10 v ± 30V 765 pf @ 25 v - 29.5W (TA)
NP110N055PUJ-E1B-AY Renesas NP110N055PUJ-e1B-ay 5.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 175 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-3 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-NP110N055PUJ-E1B-ay 귀 99 8541.21.0095 51 n 채널 55 v 110A (TC) 10V 2.4mohm @ 55a, 10V 4V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 14250 pf @ 25 v - 1.8W (TA), 288W (TC)
UPA2378T1P-E1-A Renesas UPA2378T1P-E1-A 0.3700
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-UPA2378T1P-E1-A 귀 99 8541.29.0095 1
2SK4070-ZK-E1-AY Renesas 2SK4070-ZK-E1-ay -
RFQ
 ECAD 4128 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (MP-3ZK) - 2156-2SK4070-ZK-E1-ay 1 n 채널 600 v 1A (TC) 10V 11ohm @ 500ma, 10V 3.5V @ 1mA 5 nc @ 10 v ± 30V 110 pf @ 10 v - 1W (TA), 22W (TC)
2SK3326(2)-AZ Renesas 2SK3326 (2) -az -
RFQ
 ECAD 1431 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-2SK3326 (2) -az 1
UPA1740TP-E1-AZ Renesas UPA1740TP-E1-AZ 1.7300
RFQ
 ECAD 282 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8-Powersoic (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-UPA1740TP-E1-AZ 귀 99 8541.29.0075 1 n 채널 200 v 7A (TC) 10V 440mohm @ 3.5a, 10V 4.5V @ 1mA 12 nc @ 10 v ± 30V 420 pf @ 10 v - 1W (TA), 22W (TC)
2SC2721-AZ Renesas 2SC2721-AZ -
RFQ
 ECAD 9912 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-ssip 1W - - 2156-2SC2721-AZ 1 - 60V 700ma NPN 90 @ 100MA, 1V 110MHz -
N0302P-T1-AT Renesas N0302P-T1-AT -
RFQ
 ECAD 9693 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 MOSFET (금속 (() SOT-23F - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-N0302P-T1-AT 귀 99 8541.21.0095 1 p 채널 30 v 4A (TA) 4V, 10V 54mohm @ 2.2a, 10V 2.5V @ 1mA 14 nc @ 10 v ± 20V 620 pf @ 10 v - 200MW (TA)
2SD1579-T-AZ Renesas 2SD1579-T-AZ 1.3100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-ssip 1 W. - - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SD1579-T-AZ 귀 99 8541.21.0075 1 80 v 1.5 a 1MA npn-달링턴 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 2v 60MHz
2SD571(1)-T(ND)-AZ Renesas 2SD571 (1) -t (nd) -az -
RFQ
 ECAD 4035 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-2SD571 (1) -t (nd) -az 1
2SB601-AZ Renesas 2SB601-AZ 1.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 1.5 w TO-220AB - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SB601-AZ 귀 99 8541.29.0095 1 100 v 5 a 10µA pnp- 달링턴 1.5V @ 3MA, 3A 2000 @ 3a, 2v -
RJK6013DPP-E0#T2 Renesas RJK6013DPP-E0#T2 4.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220FP - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RJK6013DPP-E0#T2 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 11A (TA) 10V 700mohm @ 5.5a, 10V 4.5V @ 1mA 37.5 nc @ 10 v ± 30V 1450 pf @ 25 v - 30W (TC)
FS20LM-5A-E4#C02 Renesas FS20LM-5A-E4#C02 -
RFQ
 ECAD 1938 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-FS20LM-5A-E4#C02 1
2SA1871-T1-AZ Renesas 2SA1871-T1-AZ 0.8100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2 w MP-2 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SA1871-T1-AZ 귀 99 8541.29.0095 1 600 v 1 a 10µA (ICBO) PNP 1V @ 60MA, 300MA 30 @ 100MA, 5V 30MHz
RJK0225DNS-00#J5 Renesas RJK0225DNS-00#J5 -
RFQ
 ECAD 9419 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-HVSON (3x3.3) - 2156-RJK0225DNS-00#J5 1 n 채널 25 v 30A (TA) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 1mA 8.5 NC @ 4.5 v +16V, -12V 2310 pf @ 10 v - 30W (TA)
2SK3714(0)-S12-AZ Renesas 2SK3714 (0) -S12 -AZ 2.3600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 MOSFET (금속 (() MP-45F - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SK3714 (0) -S12-AZ 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 50A (TC) 4V, 10V 13mohm @ 25a, 10V 2.5V @ 1mA 60 nc @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 10 v - 2W (TA), 35W (TC)
GA1A4Z-T1-A Renesas GA1A4Z-T1-A 0.1100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 ga1a4z 150 MW SC-70 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-GA1A4Z-T1-A 귀 99 8541.29.0095 2,719 50 v 100 MA 100NA npn-사전- 200MV @ 250µA, 5MA 135 @ 5MA, 5V 10 KOHMS
UPA1911ATE(0)-T1-A Renesas UPA1911ATE (0) -T1 -A -
RFQ
 ECAD 1649 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 SC-95 MOSFET (금속 (() SC-95 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-UPA1911ATE (0) -T1-A 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 20 v 2.5A (TA) 2.5V, 4.5V 115mohm @ 1.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 2.3 NC @ 4 v ± 12V 370 pf @ 10 v - 200MW (TA)
RJK1001DPP-E0#T2 Renesas rjk1001dpp-e0#t2 -
RFQ
 ECAD 7375 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220FP - 2156-RJK1001DPP-E0#T2 1 n 채널 100 v 80A (TA) 10V 5.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 1MA 147 NC @ 10 v ± 20V 10000 pf @ 10 v - 30W (TC)
2SK1590-T1B-A Renesas 2SK1590-T1B-A -
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-2SK1590-T1B-A 1
2SK2858(0)-T1-AT Renesas 2SK2858 (0) -T1 -AT -
RFQ
 ECAD 4525 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-2SK2858 (0) -T1-AT 1
NP89N04PUK-E1-AY Renesas NP89N04puk-e1-ay -
RFQ
 ECAD 1610 0.00000000 Renesas 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-3 - 2156-np89n04puk-e1-ay 1 n 채널 40 v 90A (TC) 10V 2.95mohm @ 45a, 5V 4V @ 250µA 102 NC @ 10 v ± 20V 5850 pf @ 25 v - 1.8W (TA), 147W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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