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트랜지스터(226)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
2SD1694(2)-S2-AZ Renesas 2SD1694(2)-S2-AZ -
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 ECAD 6768 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-2SD1694(2)-S2-AZ 1
UPA2701TP-E1-AZ Renesas UPA2701TP-E1-AZ -
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 ECAD 1268 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 내부 패드) MOSFET(금속) 8-HSOP - 2156-UPA2701TP-E1-AZ 1 N채널 30V 16A(Ta), 35A(Tc) 4V, 10V 7.5m옴 @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 12nC @ 5V ±20V 1200pF @ 10V - 3W(Ta), 28W(Tc)
UPA2701WTP-E1-AZ Renesas UPA2701WTP-E1-AZ -
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 ECAD 8096 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-UPA2701WTP-E1-AZ 1
2SK3354(0)-Z-E1-AY Renesas 2SK3354(0)-Z-E1-AY -
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 ECAD 9228 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263, TO-220SMD - 2156-2SK3354(0)-Z-E1-AY 1 N채널 60V 83A(티씨) 4V, 10V 8m옴 @ 42A, 10V 2.5V @ 1mA 106nC @ 10V ±20V 6300pF @ 10V - 1.5W(Ta), 100W(Tc)
2SB1261(1)-AZ Renesas 2SB1261(1)-AZ 0.8400
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 ECAD 6 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 2W TO-252 (MP-3Z) 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SB1261(1)-AZ EAR99 8541.29.0095 1 60V 3A 10μA(ICBO) PNP 300mV @ 150mA, 1.5A 100 @ 600mA, 2V 50MHz
RJK5012DPP-MG#T2 Renesas RJK5012DPP-MG#T2 2.3100
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 ECAD 478 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220FN 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RJK5012DPP-MG#T2 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 500V 12A(타) 10V 620m옴 @ 6A, 10V 4.5V @ 1mA 29nC @ 10V ±30V 25V에서 1100pF - 30W(Tc)
2SK3483-Z-AZ Renesas 2SK3483-Z-AZ 1.2100
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 ECAD 635 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) MP-3 - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SK3483-Z-AZ EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 28A(타) 4.5V, 10V 52m옴 @ 14A, 10V 2.5V @ 1mA 49nC @ 10V ±20V 10V에서 2300pF - 1W(Ta), 40W(Tc)
UPA1902TE-T1-AT Renesas UPA1902TE-T1-AT 0.3000
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 ECAD 111 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 SC-95 MOSFET(금속) SC-95 다운로드 RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-UPA1902TE-T1-AT EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 7A(타) 4.5V, 10V 22m옴 @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 8nC @ 5V ±20V 10V에서 780pF - 200mW(타)
RQA0002DNSTB-E Renesas RQA0002DNSTB-E 3.9600
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 ECAD 9 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 3-DFN 옆패드 MOSFET(금속) 2-HWSON(5x4) - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RQA0002DNSTB-E EAR99 8541.29.0075 1 N채널 16V 3.8A(타) - - 750mV @ 1mA ±5V 102pF @ 0V - 15W(Tc)
2SJ494-AZ Renesas 2SJ494-AZ 1.0000
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 ECAD 3579 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-220-3 끼워탭 MOSFET(금속) MP-45F 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SJ494-AZ EAR99 8541.29.0075 1 P채널 60V 20A(타) 4V, 10V 50m옴 @ 10A, 10V 2V @ 1mA 74nC @ 10V ±20V 10V에서 2360pF - 2W(Ta), 35W(Tc)
CE2F3P-T-AZ Renesas CE2F3P-T-AZ 0.7000
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 ECAD 2 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 3-SSIP CE2F3P 1W - - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-CE2F3P-T-AZ EAR99 8541.29.0095 431 60V 2A 100nA NPN - 사전 바이어스됨 - 1000 @ 1A, 5V 2.2kΩ 10kΩ
RJK0225DNS-00#J5 Renesas RJK0225DNS-00#J5 -
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 ECAD 9419 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 8-PowerVDFN MOSFET(금속) 8-HVSON(3x3.3) - 2156-RJK0225DNS-00#J5 1 N채널 25V 30A(타) 4.5V, 10V 7.2m옴 @ 15A, 10V 2.5V @ 1mA 8.5nC @ 4.5V +16V, -12V 10V에서 2310pF - 30W(타)
RJK0703DPP-E0#T2 Renesas RJK0703DPP-E0#T2 -
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 ECAD 9258 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220FP - 2156-RJK0703DPP-E0#T2 1 N채널 75V 70A(타) 10V 6.7m옴 @ 35A, 10V 4V @ 1mA 56nC @ 10V ±20V 10V에서 4150pF - 25W(Tc)
2SA1871-T1-AZ Renesas 2SA1871-T1-AZ 0.8100
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 ECAD 5 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2W MP-2 - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SA1871-T1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 600V 1A 10μA(ICBO) PNP 1V @ 60mA, 300mA 30 @ 100mA, 5V 30MHz
2SD1694(1)-AZ Renesas 2SD1694(1)-AZ -
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 ECAD 1562 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-2SD1694(1)-AZ 1
2SD571-AZ Renesas 2SD571-AZ -
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 ECAD 5114 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 3-SSIP - - 2156-2SD571-AZ 1 100nA(ICBO) NPN 600mV @ 2mA, 20mA - 110MHz
2SK3326(2)-AZ Renesas 2SK3326(2)-AZ -
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 ECAD 1431 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-2SK3326(2)-AZ 1
2SJ162-E Renesas 2SJ162-E -
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 ECAD 1385 0.00000000 르네사스 - 대부분 활동적인 150°C 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET(금속) TO-3P - 2156-2SJ162-E 1 P채널 160V 7A(타) 10V - 1.45V @ 100mA ±15V 10V에서 900pF - 100W(Tc)
2SK4070-ZK-E1-AY Renesas 2SK4070-ZK-E1-AY -
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 ECAD 4128 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252 (MP-3ZK) - 2156-2SK4070-ZK-E1-AY 1 N채널 600V 1A(Tc) 10V 11옴 @ 500mA, 10V 3.5V @ 1mA 5nC @ 10V ±30V 110pF @ 10V - 1W(Ta), 22W(Tc)
2SK2925L06-E Renesas 2SK2925L06-E -
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 ECAD 6499 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-2SK2925L06-E 1
RJK1001DPP-E0#T2 Renesas RJK1001DPP-E0#T2 -
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 ECAD 7375 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220FP - 2156-RJK1001DPP-E0#T2 1 N채널 100V 80A(타) 10V 5.5m옴 @ 40A, 10V 4V @ 1mA 147nC @ 10V ±20V 10000pF @ 10V - 30W(Tc)
UPA2793GR(0)-E1-AZ Renesas UPA2793GR(0)-E1-AZ 1.7100
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 ECAD 75 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) UPA2793 MOSFET(금속) 2W(타) 8-SOP - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-UPA2793GR(0)-E1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 N 및 P 채널 40V 7A(타) 15m옴 @ 3.5A, 10V, 26m옴 @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 40nC @ 10V, 45nC @ 10V 2200pF @ 10V -
2SK3402-Z-E1-AZ Renesas 2SK3402-Z-E1-AZ -
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 ECAD 1817년 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252 (MP-3Z) - 2156-2SK3402-Z-E1-AZ 1 N채널 60V 36A(티씨) 4V, 10V 15m옴 @ 18A, 10V 2.5V @ 1mA 61nC @ 10V ±20V 10V에서 3200pF - 1W(Ta), 40W(Tc)
UPA1740TP-E1-AZ Renesas UPA1740TP-E1-AZ 1.7300
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 ECAD 282 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 8-PowerSOIC(0.173", 4.40mm 폭) MOSFET(금속) 8-HSOP 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-UPA1740TP-E1-AZ EAR99 8541.29.0075 1 N채널 200V 7A(TC) 10V 440m옴 @ 3.5A, 10V 4.5V @ 1mA 12nC @ 10V ±30V 10V에서 420pF - 1W(Ta), 22W(Tc)
2SJ604-Z-AZ Renesas 2SJ604-Z-AZ 1.8100
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 ECAD 4755 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263, TO-220SMD - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SJ604-Z-AZ EAR99 8541.29.0095 1 P채널 60V 45A(Tc) 4V, 10V 30m옴 @ 23A, 10V 2.5V @ 1mA 63nC @ 10V ±20V 10V에서 3300pF - 1.5W(Ta), 70W(Tc)
2SK3714-S12-AZ Renesas 2SK3714-S12-AZ 2.0100
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 ECAD 139 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-220-3 끼워탭 MOSFET(금속) MP-45F 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SK3714-S12-AZ EAR99 8541.29.0075 1 N채널 60V 50A(Tc) 4V, 10V 13m옴 @ 25A, 10V 2.5V @ 1mA 60nC @ 10V ±20V 10V에서 3200pF - 2W(Ta), 35W(Tc)
2SD1579-T-AZ Renesas 2SD1579-T-AZ 1.3100
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 ECAD 8 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 3-SSIP 1W - - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SD1579-T-AZ EAR99 8541.21.0075 1 80V 1.5A 1mA NPN-달링턴 1.5V @ 1mA, 1A 2000 @ 1A, 2V 60MHz
UPA1911ATE(0)-T1-A Renesas UPA1911ATE(0)-T1-A -
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 ECAD 1649년 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 SC-95 MOSFET(금속) SC-95 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-UPA1911ATE(0)-T1-A EAR99 8541.29.0095 1 P채널 20V 2.5A(타) 2.5V, 4.5V 115m옴 @ 1.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 2.3nC @ 4V ±12V 10V에서 370pF - 200mW(타)
GA1A4Z-T1-A Renesas GA1A4Z-T1-A 0.1100
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 ECAD 11 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-70, SOT-323 GA1A4Z 150mW SC-70 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-GA1A4Z-T1-A EAR99 8541.29.0095 2,719 50V 100mA 100nA NPN - 사전 바이어스됨 200mV @ 250μA, 5mA 135 @ 5mA, 5V 10kΩ
2SK1521-E1-E#T2 Renesas 2SK1521-E1-E#T2 -
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 ECAD 4426 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-264-3, TO-264AA MOSFET(금속) TO-264 - 2156-2SK1521-E1-E#T2 1 N채널 450V 50A 10V 100m옴 @ 25A, 10V 3V @ 1mA ±30V 8700pF @ 10V - 250W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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