SIC
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트랜지스터(226)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 입력하다 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
RBK02P11GQT-0000#JCH Renesas RBK02P11GQT-0000#JCH -
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 ECAD 2275 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-RBK02P11GQT-0000#JCH 1
RJK0349DSP-00#J0 Renesas RJK0349DSP-00#J0 -
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 ECAD 8794 0.00000000 르네사스 - 대부분 활동적인 150°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SOP - 2156-RJK0349DSP-00#J0 1 N채널 30V 20A(타) 4.5V, 10V 3.8m옴 @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 25nC @ 4.5V ±20V 3850pF @ 10V - 2.5W(타)
HR1A3M(0)-T1-AZ Renesas HR1A3M(0)-T1-AZ -
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 ECAD 6926 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-243AA 2W SC-62 - 2156-HR1A3M(0)-T1-AZ 1 60V 1A 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 350mV @ 10mA, 500mA 100 @ 500mA, 2V 1kΩ 1kΩ
2SK3480(0)-Z-E1-AZ Renesas 2SK3480(0)-Z-E1-AZ -
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 ECAD 2272 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263, TO-220SMD - 2156-2SK3480(0)-Z-E1-AZ 1 N채널 100V 50A(Tc) 4.5V, 10V 31m옴 @ 25A, 10V 2.5V @ 1mA 74nC @ 10V ±20V 10V에서 3600pF - 1.5W(Ta), 84W(Tc)
2SC4942(0)-T1-AZ Renesas 2SC4942(0)-T1-AZ -
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 ECAD 9149 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA MP-2 - 2156-2SC4942(0)-T1-AZ 1 10μA(ICBO) NPN 1V @ 80mA, 400mA 30 @ 100mA, 5V 30MHz
UPA2702TP-E2-AZ Renesas UPA2702TP-E2-AZ 1.7500
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 ECAD 5 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 8-PowerSOIC(0.173", 4.40mm 폭) MOSFET(금속) 8-HSOP - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-UPA2702TP-E2-AZ EAR99 8541.21.0095 1 N채널 30V 14A(Ta), 35A(Tc) 4V, 10V 9.5m옴 @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 9nC @ 5V ±20V 10V에서 900pF - 3W(Ta), 22W(Tc)
2SD571-T-AZ Renesas 2SD571-T-AZ -
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 ECAD 5984 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 3-SSIP - - 2156-2SD571-T-AZ 1 100nA(ICBO) NPN 600mV @ 2mA, 20mA - 110MHz
HAT1044M-EL-E Renesas HAT1044M-EL-E 0.6700
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 ECAD 2 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 MOSFET(금속) 6-TSOP - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-HAT1044M-EL-E EAR99 8541.29.0095 1 P채널 30V 4.5A(타) 4.5V, 10V 60m옴 @ 3A, 10V 2.5V @ 1mA 13nC @ 10V ±20V 10V에서 600pF - 1.05W(타)
RJP60D0DPK-01#T0 Renesas RJP60D0DPK-01#T0 2.0700
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 ECAD 1 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-3P-3, SC-65-3 기준 140W TO-3P - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RJP60D0DPK-01#T0 EAR99 8541.29.0095 1 300V, 22A, 5옴, 15V - 600V 45A 90A 2.2V @ 15V, 22A - 45nC 35ns/90ns
2SK3575-AZ Renesas 2SK3575-AZ 2.3800
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 ECAD 824 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2SK3575-AZ EAR99 8541.29.0075 1 N채널 30V 83A(티씨) 4.5V, 10V 4.5m옴 @ 42A, 10V 2.5V @ 1mA 70nC @ 10V ±20V 10V에서 3700pF - 1.5W(Ta), 105W(Tc)
HAT2195R-EL-E Renesas HAT2195R-EL-E -
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 ECAD 1128 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SOP - 2156-HAT2195R-EL-E 1 N채널 30V 18A 4.5V, 10V 5.8m옴 @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 23nC @ 4.5V ±20V 3400pF @ 10V - 2.5W
2SK3447TZ-E Renesas 2SK3447TZ-E 0.4100
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 ECAD 10 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 긴 별자리 MOSFET(금속) TO-92MOD - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-2SK3447TZ-E EAR99 8541.21.0095 728 N채널 150V 1A(타) 4V, 10V 1.95옴 @ 500mA, 10V 2.5V @ 1mA 4.5nC @ 10V ±20V 10V에서 85pF - 900mW(타)
UPA2730TP-E2-AZ Renesas UPA2730TP-E2-AZ 0.9900
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 ECAD 25 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 8-PowerSOIC(0.173", 4.40mm 폭) MOSFET(금속) 8-HSOP - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-UPA2730TP-E2-AZ EAR99 8541.29.0095 305 P채널 30V 20A(Ta), 42A(Tc) 4V, 10V 7m옴 @ 7.5A, 10V 2.5V @ 1mA 97nC @ 10V ±20V 4670pF @ 10V - 3W(Ta), 40W(Tc)
NP32N055SDE-E1-AZ Renesas NP32N055SDE-E1-AZ 1.0700
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 ECAD 10 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252 (MP-3ZK) - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NP32N055SDE-E1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 N채널 55V 32A(Tc) 4.5V, 10V 24m옴 @ 16A, 10V 2.5V @ 250μA 41nC @ 10V ±20V 2000pF @ 25V - 1.2W(Ta), 66W(Tc)
2SB605-T-AZ Renesas 2SB605-T-AZ -
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 ECAD 5729 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 3-SSIP - - 2156-2SB605-T-AZ 1 100nA(ICBO) PNP 350mV @ 50mA, 500mA 90 @ 100mA, 1V 120MHz
RJK1002DPP-E0#T2 Renesas RJK1002DPP-E0#T2 -
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 ECAD 6033 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220FP - 2156-RJK1002DPP-E0#T2 1 N채널 100V 80A(타) 10V 7.6m옴 @ 35A, 10V 4V @ 1mA 147nC @ 10V ±20V 10000pF @ 10V - 30W(Tc)
NP88N075EUE-E2-AY Renesas NP88N075EUE-E2-AY 4.8900
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 ECAD 1 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263-3 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NP88N075EUE-E2-AY EAR99 8541.29.0095 62 N채널 75V 88A(Tc) 10V 8.5m옴 @ 44A, 10V 4V @ 250μA 230nC @ 10V ±20V 12300pF @ 25V - 1.8W(Ta), 288W(Tc)
HAT1146C-EL-E Renesas HAT1146C-EL-E -
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 ECAD 6451 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-HAT1146C-EL-E 1
RJK5035DPP-E0#T2 Renesas RJK5035DPP-E0#T2 -
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 ECAD 5014 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) TO-220FP - 2156-RJK5035DPP-E0#T2 1 N채널 500V 10A(타) 10V 850m옴 @ 5A, 10V 5V @ 1mA 23nC @ 10V ±30V 25V에서 765pF - 29.5W(타)
2SC1623B-T1B-AT Renesas 2SC1623B-T1B-AT -
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 ECAD 3602 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-2SC1623B-T1B-AT 1
RJK6011DP3-A0#J2 Renesas RJK6011DP3-A0#J2 0.9900
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 ECAD 45 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA MOSFET(금속) SOT-223 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-RJK6011DP3-A0#J2 EAR99 8541.21.0095 1 N채널 600V 100mA - - - - - -
2SK3899(0)-ZK-E1-AY Renesas 2SK3899(0)-ZK-E1-AY -
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 ECAD 6127 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) TO-263-3 - 2156-2SK3899(0)-ZK-E1-AY 1 N채널 60V 84A(Tc) 4.5V, 10V 5.3m옴 @ 42A, 10V 2.5V @ 1mA 96nC @ 10V ±20V 10V에서 5500pF - 1.5W(Ta), 146W(Tc)
NP32N055SLE-E1-AY Renesas NP32N055SLE-E1-AY -
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 ECAD 1281 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) TO-252 (MP-3ZK) - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NP32N055SLE-E1-AY EAR99 8541.29.0095 1 N채널 55V 32A(타) 4.5V, 10V 24m옴 @ 16A, 10V 2.5V @ 250μA 41nC @ 10V ±20V 2000pF @ 25V - 1.2W(Ta), 66W(Tc)
RJK0601DPN-E0#T2 Renesas RJK0601DPN-E0#T2 3.5400
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 ECAD 1 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220ABS - RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-RJK0601DPN-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 110A(타) 10V 3.1m옴 @ 55A, 10V 4V @ 1mA 141nC @ 10V ±20V 10000pF @ 10V - 200W(Tc)
2SA1611(0)-T1-A Renesas 2SA1611(0)-T1-A -
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 ECAD 1026 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 SC-70 - 2156-2SA1611(0)-T1-A 1 100nA(ICBO) PNP 300mV @ 10mA, 100mA 90@1mA, 6V 180MHz
2SK2112W-T1-AZ Renesas 2SK2112W-T1-AZ -
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 ECAD 5869 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-2SK2112W-T1-AZ 1
UPA1808GR-9JG-E1-A Renesas UPA1808GR-9JG-E1-A 0.6000
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 ECAD 3 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 표면 실장 8-PowerTSSOP(0.173", 4.40mm 폭) MOSFET(금속) 8파워 TSSOP 다운로드 RoHS 비준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-UPA1808GR-9JG-E1-A EAR99 8541.29.0075 1 N채널 30V 9.5A(타) 4V, 10V 17m옴 @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 13nC @ 10V ±20V 10V에서 660pF - 2W(타)
RJK0603DPN-E0#T2 Renesas RJK0603DPN-E0#T2 -
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 ECAD 4152 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220ABS - 2156-RJK0603DPN-E0#T2 1 N채널 60V 80A(타) 10V 5.2m옴 @ 40A, 10V 4V @ 1mA 57nC @ 10V ±20V 10V에서 4150pF - 125W(Tc)
UPA2782GR-E1-A Renesas UPA2782GR-E1-A 1.7700
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 ECAD 7 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.173", 4.40mm 폭) MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-UPA2782GR-E1-A EAR99 8541.29.0075 1 N채널 30V 11A(타) 4V, 10V 15m옴 @ 5.5A, 10V 2.5V @ 1mA 7.1nC @ 5V ±20V 10V에서 660pF - 2W(타)
2SB804-D-T1-AZ Renesas 2SB804-D-T1-AZ -
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 ECAD 6963 0.00000000 르네사스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-2SB804-D-T1-AZ 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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