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트랜지스터 (226)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
2SK1581-T1B-A Renesas 2SK1581-T1B-A 0.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SC-59 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SK1581-T1B-A 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 16 v 200MA (TA) 2.5V, 4V 5ohm @ 1ma, 4v 1.6V @ 10µA ± 16V 27 pf @ 3 v - 200MW (TA)
2SD1694(4)-S2-AZ Renesas 2SD1694 (4) -S2 -AZ -
RFQ
 ECAD 4175 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-2SD1694 (4) -S2-AZ 1
RQA0009TXDQS#H1 Renesas RQA0009TXDQS#H1 -
RFQ
 ECAD 1446 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-243AA MOSFET (금속 (() upak - 2156-RQA0009TXDQS#H1 1 n 채널 16 v 3.2A (TA) - - 0.8V @ 1mA ± 5V 76 pf @ 0 v - 15W (TC)
2SA1836-T1-A Renesas 2SA1836-T1-A 0.0900
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 200 MW SC-75 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-2SA1836-T1-A 귀 99 8541.29.0095 1 50 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 90 @ 1ma, 6V 180MHz
UPA2752GR-E2-A Renesas UPA2752GR-E2-A 1.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) UPA2752 MOSFET (금속 (() 1.7W (TA) 8-SOP - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-UPA2752GR-E2-A 귀 99 8541.21.0095 1 2 n 채널 (채널) 30V 8A (TC) 23mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 1mA 10nc @ 10v 480pf @ 10V -
2SK3755-AZ Renesas 2SK3755-AZ -
RFQ
 ECAD 1934 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 MOSFET (금속 (() MP-45F - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SK3755-AZ 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 45A (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 23a, 10V 2.5V @ 1mA 25.5 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 10 v - 2W (TA), 24W (TC)
2SA812B-T1B-AT Renesas 2SA812B-T1B-AT 0.0700
RFQ
 ECAD 201 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW 3- 미니 몰드 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SA812B-T1B-AT 귀 99 8541.21.0075 1 50 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 90 @ 1ma, 6V 180MHz
HAT3043C-EL-E Renesas HAT3043C-EL-E 0.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 6-SMD,, 리드 HAT3043 MOSFET (금속 (() - 6-CMFPAK - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-HAT3043C-EL-E 귀 99 8541.29.0075 1 n 및 p 채널 20V 1.5A 205mohm @ 1.5a, 4.5v - - - -
RJK6012DPP-E0#T2 Renesas RJK6012DPP-E0#T2 2.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220FP - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RJK6012DPP-E0#T2 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 10A (TA) 10V 920mohm @ 5a, 10V 4.5V @ 1mA 30 nc @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 30W (TA)
UPA2756GR-E1-A Renesas UPA2756GR-E1-A 0.8200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8-Powersoic (0.173 ", 4.40mm 너비) UPA2756 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-powersop - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-UPA2756GR-E1-A 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 60V 4A (TA) 105mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 1mA 6NC @ 10V 260pf @ 10V -
UPA2706GR-E1-A Renesas UPA2706GR-E1-A 1.1400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-UPA2706GR-E1-A 귀 99 8541.29.0075 1 n 채널 30 v 11A (TA), 20A (TC) 4V, 10V 15mohm @ 5.5a, 10V 2.5V @ 1mA 7.1 NC @ 5 v ± 20V 660 pf @ 10 v - 3W (TA), 15W (TC)
2SA1843(0)-T-AZ Renesas 2SA1843 (0) -t -az -
RFQ
 ECAD 1831 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-sip - - 2156-2SA1843 (0) -t-az 1 10µA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 4a 100 @ 1a, 2v 80MHz
2SK3435-Z-AZ Renesas 2SK3435-Z-AZ -
RFQ
 ECAD 6748 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263, TO-220SMD - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SK3435-Z-AZ 귀 99 8541.29.0075 75 n 채널 60 v 80A (TC) 10V 14mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 1mA 60 nc @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 84W (TC)
HAT2292C-EL-E Renesas HAT2292C-EL-E 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 6-SMD,, 리드 HAT2292 MOSFET (금속 (() - 6-CMFPAK - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-HAT2292C-EL-E 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 20V 1.5A 205mohm @ 1.5a, 4.5v - - - -
RQA0005AQS#H1 Renesas RQA0005AQS#H1 0.5300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RQA0005AQS#H1 귀 99 8541.29.0095 1
NP32N055SLE-E1-AZ Renesas NP32N055SLE-E1-AZ 1.6400
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (MP-3ZK) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-NP32N055SLE-E1-AZ 귀 99 8541.29.0075 1 n 채널 55 v 32A (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 1.2W (TA), 66W (TC)
HAT1096C-EL-E Renesas HAT1096C-EL-E 0.2100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 MOSFET (금속 (() 6-CMFPAK 다운로드 rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-HAT1096C-EL-E 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 20 v 1A (TA) 2.5V, 4.5V 293mohm @ 500µa, 4.5v 1.4V @ 1mA 2 nc @ 4.5 v ± 12V 155 pf @ 10 v - 790MW (TA)
RJK6035DPP-E3#T2 Renesas RJK6035DPP-E3#T2 -
RFQ
 ECAD 5414 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-RJK6035DPP-E3#T2 1
NP88N04NUG-S18-AY Renesas NP88N04NUG-S18-ay 2.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-NP88N04NUG-S18-ay 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 40 v 88A (TC) 10V 3.4mohm @ 44a, 10V 4V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 20V 15000 pf @ 25 v - 1.8W (TA), 200W (TC)
2SJ603(0)-Z-E1-AZ Renesas 2SJ603 (0) -z-e1-az -
RFQ
 ECAD 9402 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263, TO-220SMD - 2156-2SJ603 (0) -z-e1-az 1 p 채널 60 v 25A (TC) 10V 48mohm @ 13a, 10V 2.5V @ 1mA 38 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 50W (TC)
HAT2218R0T-EL-E Renesas HAT2218R0T-EL-E 0.7600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-HAT2218R0T-EL-E 귀 99 8541.29.0075 1
NP34N055SLE-E1-AY Renesas NP34N055SLE-e1-ay 1.8500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 175 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (MP-3ZK) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-NP34N055SLE-e1-ay 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 34A (TA) 4.5V, 10V 18mohm @ 17a, 10V 2.5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 1.2W (TA), 88W (TC)
2SK3455B-S17-AY Renesas 2SK3455B-S17-ay 3.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() ITO-220 (MP-45F) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SK3455B-S17-ay 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 12A (TC) 10V 600mohm @ 6a, 10V 3.5V @ 1mA 30 nc @ 10 v ± 30V 1800 pf @ 10 v - 2W (TA), 50W (TC)
RJK5014DPP-E0#T2 Renesas RJK5014DPP-E0#T2 5.4200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-RJK5014DPP-E0#T2 귀 99 8541.29.0095 56 n 채널 500 v 19A (TA) 10V 390mohm @ 9.5a, 10V 4.5V @ 1mA 46 NC @ 10 v ± 30V 1800 pf @ 25 v - 35W (TC)
2SK1168-E Renesas 2SK1168-E -
RFQ
 ECAD 9196 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-2SK1168-E 1
UPA2706GR-E1-AT Renesas UPA2706GR-E1-AT 1.1600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-UPA2706GR-E1-AT 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 11A (TA), 20A (TC) 4V, 10V 15mohm @ 5.5a, 10V 2.5V @ 1mA 7.1 NC @ 5 v ± 20V 660 pf @ 10 v - 3W (TA), 15W (TC)
2SC4942-T1-AZ Renesas 2SC4942-T1-AZ 1.2500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2 w MP-2 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SC4942-T1-AZ 귀 99 8541.29.0095 1 600 v 1 a 10µA (ICBO) NPN 1V @ 80MA, 400MA 30 @ 100MA, 5V 30MHz
UPA1981TE-T1-A Renesas UPA1981TE-T1-A 0.2400
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 SC-95 UPA1981 MOSFET (금속 (() 1W (TA) SC-95 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-UPA1981TE-T1-A 귀 99 8542.39.0001 1 n 및 p 채널 8V 2.8A (TA) 70mohm @ 2.8a, 5v, 105mohm @ 1.9a, 2.5v 200mv @ 2.8a, 200mv @ 1.9a - - -
2SK2054-T1-AZ Renesas 2SK2054-T1-AZ 0.8300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-243AA MOSFET (금속 (() MP-2 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SK2054-T1-AZ 귀 99 8541.29.0075 1 n 채널 60 v 3A (TA) 4V, 10V 200mohm @ 1.5a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 530 pf @ 10 v - 2W (TA)
2SD571(1)-AZ Renesas 2SD571 (1) -az -
RFQ
 ECAD 5660 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-2SD571 (1) -az 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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