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트랜지스터(506)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 모델 지수(dB 일반 @ f)
PBSS5112PAP,115 NXP Semiconductors PBSS5112PAP,115 0.1400
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 ECAD 34 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PBSS5112PAP,115-954 2,166
PBSS4260PANP,115 NXP Semiconductors PBSS4260PANP,115 1.0000
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 ECAD 2332 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PBSS4260PANP,115-954 1
PSMN070-200B,118 NXP Semiconductors PSMN070-200B,118 1.0900
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 ECAD 5436 0.00000000 NXP 반도체 트렌치모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PSMN070-200B,118-954 1 N채널 200V 35A(Tc) 10V 70m옴 @ 17A, 10V 4V @ 1mA 77nC @ 10V ±20V 4570pF @ 25V - 250W(Tc)
BF824,215 NXP Semiconductors BF824,215 -
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 ECAD 2584 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW SOT-23 다운로드 0000.00.0000 1 30V 25mA 50nA(ICBO) PNP - 25 @ 4mA, 10V 450MHz
MMBT3906,215 NXP Semiconductors MMBT3906,215 0.0200
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 ECAD 74 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-MMBT3906,215-954 1 40V 200mA 50nA(ICBO) PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
PQMD16147 NXP Semiconductors PQMD16147 -
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 ECAD 1730년 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 PQMD16 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-PQMD16147-954 1
BCV65,215 NXP Semiconductors BCV65,215 0.0800
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 ECAD 4 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BCV65,215-954 1
PMCM6501UNE023 NXP Semiconductors PMCM6501UNE023 0.1800
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 ECAD 90 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-PMCM6501UNE023-954 1
PMST2222,115 NXP Semiconductors PMST2222,115 0.0200
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 ECAD 540 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 200mW SOT-323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMST2222,115-954 1 30V 600mA 10nA(ICBO) NPN 1.6V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 250MHz
BC53-16PA,115 NXP Semiconductors BC53-16PA,115 -
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 ECAD 6134 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-PowerUDFN 420mW 3-휴슨(2x2) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BC53-16PA,115-954 1 80V 1A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 500mA 63 @ 150mA, 2V 145MHz
PMV33UPE,215 NXP Semiconductors PMV33UPE,215 -
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 ECAD 7551 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET(금속) SOT-23 다운로드 EAR99 8541.21.0095 1 P채널 20V 4.4A(타) 1.8V, 4.5V 36m옴 @ 3A, 4.5V 250μA에서 950mV 22.1nC @ 4.5V ±8V 10V에서 1820pF - 490mW(타)
PSMN8R7-80PS,127 NXP Semiconductors PSMN8R7-80PS,127 0.7500
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 ECAD 6 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PSMN8R7-80PS,127-954 EAR99 0000.00.0000 398 N채널 80V 90A(Tc) 10V 8.7m옴 @ 10A, 10V 4V @ 1mA 52nC @ 10V ±20V 40V에서 3346pF - 170W(Tc)
PMZB950UPELYL NXP Semiconductors PMZB950UPELYL 1.0000
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 ECAD 3640 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN MOSFET(금속) DFN1006B-3 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMZB950UPELYL-954 1 P채널 20V 500mA(타) 1.2V, 4.5V 1.4옴 @ 500mA, 4.5V 250μA에서 950mV 2.1nC @ 4.5V ±8V 10V에서 43pF - 360mW(타)
BC817RA147 NXP Semiconductors BC817RA147 0.0400
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 ECAD 10 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 BC817 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BC817RA147-954 1
PDTD113ZT,215 NXP Semiconductors PDTD113ZT,215 0.0300
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 ECAD 39 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 PDTD113 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PDTD113ZT,215-954 EAR99 8541.21.0095 10,764
PBSS4160PANPSX NXP Semiconductors PBSS4160PANPSX 0.1200
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 ECAD 15 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 PBSS4160 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PBSS4160PANPSX-954 EAR99 8541.29.0075 2,423
BCV62,215 NXP Semiconductors BCV62,215 0.0800
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 ECAD 9 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 BCV62 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BCV62,215-954 1
BFU550WF NXP Semiconductors BFU550WF 0.2200
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 ECAD 764 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 450mW SC-70 - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-BFU550WF EAR99 8541.21.0075 1 18dB 12V 50mA NPN 60 @ 15mA, 8V 11GHz 1.3dB @ 1.8GHz
PMZ950UPEYL NXP Semiconductors PMZ950UPEYL 0.0400
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 ECAD 356 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 MOSFET(금속) SOT-883 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMZ950UPEYL-954 EAR99 8541.29.0095 1 P채널 20V 500mA(타) 1.2V, 4.5V 1.4옴 @ 500mA, 4.5V 250μA에서 950mV 2.1nC @ 4.5V ±8V 10V에서 43pF - 360mW(Ta), 2.7W(Tc)
AFT09MP055NR1 NXP Semiconductors AFT09MP055NR1 21.6700
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 ECAD 351 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 40V 표면 실장 TO-270AB 764MHz ~ 941MHz LDMOS(이중) TO-270 WB-4 - 2156-AFT09MP055NR1 14 2 N채널 - 550mA 57W 15.7dB @ 870MHz - 12.5V
PSMN9R5-100PS,127 NXP Semiconductors PSMN9R5-100PS,127 1.0700
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 ECAD 42 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PSMN9R5-100PS,127-954 EAR99 8541.29.0075 280
PHPT60415PYX NXP Semiconductors PHPT60415PYX 0.2300
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 ECAD 53 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 175°C (TJ) 표면 실장 SC-100, SOT-669 1.5W LFPAK56, 전원-SO8 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PHPT60415PYX-954 EAR99 8541.29.0075 1,280 40V 15A 100nA PNP 850mV @ 1.5A, 15A 200 @ 500mA, 2V 80MHz
BC869,115 NXP Semiconductors BC869,115 0.1000
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 ECAD 43 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 1.2W SOT-89 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BC869,115-954 1 20V 1A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 100mA, 1A 85 @ 500mA, 1V 140MHz
BLP05M7200Y NXP Semiconductors BLP05M7200Y -
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 ECAD 9352 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 - 2156-BLP05M7200Y 1
BUK7506-55A,127 NXP Semiconductors BUK7506-55A,127 -
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 ECAD 1400 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 55V 75A(Tc) 10V 6.3m옴 @ 25A, 10V 4V @ 1mA ±20V 6000pF @ 25V - 300W(Tc)
PBR941 NXP Semiconductors PBR941 0.2500
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 ECAD 175 0.00000000 NXP 반도체 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 360mW TO-236AB - ROHS3 준수 1(무제한) 요청 시 REACH 정보 제공 2832-PBR941TR EAR99 8541.21.0075 2,000 16dB 10V 50mA NPN 100 @ 5mA, 6V 9GHz 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz
PBSS4220V,115 NXP Semiconductors PBSS4220V,115 0.0500
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 ECAD 12 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 900mW SOT-666 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PBSS4220V,115-954 EAR99 8541.21.0075 1 20V 2A 100nA NPN 350mV @ 200mA, 2A 200 @ 1A, 2V 210MHz
BLF8G27LS-100PJ NXP Semiconductors BLF8G27LS-100PJ -
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 ECAD 4497 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 표면 실장 SOT-1121B 2.5GHz ~ 2.7GHz LDMOS(이중), 후반소스 LDMOST - 2156-BLF8G27LS-100PJ 1 2 N채널 - 860mA 25W 18dB - 28V
PSMN6R0-25YLD115 NXP Semiconductors PSMN6R0-25YLD115 0.2200
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 ECAD 9 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PSMN6R0-25YLD115-954 1,340
BC54-16PA,115 NXP Semiconductors BC54-16PA,115 0.0600
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 ECAD 29 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 3-PowerUDFN 420mW 3-휴슨(2x2) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BC54-16PA,115-954 EAR99 8541.21.0075 1 45V 1A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 500mA 63 @ 150mA, 2V 180MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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