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트랜지스터 (506)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PDTC143TT,215 NXP Semiconductors PDTC143TT, 215 0.0200
RFQ
 ECAD 422 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-PDTC143TT, 215-954 1
NX7002BKMBYL NXP Semiconductors NX7002BKMBYL 0.0300
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 nxp 반도체 Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn MOSFET (금속 (() DFN1006B-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-NX7002BKMBYL-954 10,969 n 채널 60 v 350MA (TA) 5V, 10V 2.8ohm @ 200ma, 10V 2.1V @ 250µA 1 nc @ 10 v ± 20V 23.6 pf @ 10 v - 350MW (TA), 3.1W (TC)
PMCXB1000UEZ NXP Semiconductors PMCXB1000UEZ 0.0900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 PMCXB1000 - 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-PMCXB1000UEZ-954 1 -
BUK769R6-80E,118 NXP Semiconductors BUK769R6-80E, 118 0.8600
RFQ
 ECAD 486 0.00000000 nxp 반도체 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-BUK769R6-80E, 118-954 귀 99 8541.29.0095 348 n 채널 80 v 75A (TC) 10V 9.6MOHM @ 20A, 10V 4V @ 1MA 59.8 nc @ 10 v ± 20V 4682 pf @ 25 v - 182W (TC)
2PA1774SM,315 NXP Semiconductors 2PA1774SM, 315 0.0200
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 nxp 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 430 MW SOT-883 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-2PA1774SM, 315-954 1 40 v 100 MA 100NA (ICBO) PNP 200mv @ 5ma, 50ma 270 @ 1ma, 6V 100MHz
PEMH18,115 NXP Semiconductors PEMH18,115 -
RFQ
 ECAD 1354 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-PEMH18,115-954 1
PHP20NQ20T,127 NXP Semiconductors PHP20NQ20T, 127 0.9500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 nxp 반도체 Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2156-PHP20NQ20T, 127-954 0000.00.0000 341 n 채널 200 v 20A (TC) 10V 130mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 65 nc @ 10 v ± 20V 2470 pf @ 25 v - 150W (TC)
PHPT60415PYX NXP Semiconductors phpt60415pyx 0.2300
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 1.5 w LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-PHPT60415PYX-954 귀 99 8541.29.0075 1,280 40 v 15 a 100NA PNP 850mv @ 1.5a, 15a 200 @ 500ma, 2v 80MHz
BC860B,235 NXP Semiconductors BC860B, 235 0.0200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 nxp 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-BC860B, 235-954 1 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
BUK7508-55A,127 NXP Semiconductors BUK7508-55A, 127 0.9300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 nxp 반도체 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BUK7508-55A, 127-954 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 55 v 75A (TA) 8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 76 NC @ 0 v ± 20V 4352 pf @ 25 v - 254W (TA)
PMV42ENE215 NXP Semiconductors PM42ene215 -
RFQ
 ECAD 1454 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 2156-PMV42ENE215-954 1
PBSS304PD,115 NXP Semiconductors PBSS304PD, 115 0.1100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 1.1 w 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-PBSS304PD, 115-954 1 80 v 1 a 100NA PNP 540mv @ 500ma, 5a 155 @ 500ma, 2V 110MHz
PDTD113EQAZ NXP Semiconductors PDTD113EQAZ 0.0300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 PDTD113 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-PDTD113EQAZ-954 귀 99 8541.21.0075 1
PSMN6R0-25YLD115 NXP Semiconductors PSMN6R0-25YLD115 0.2200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-PSMN6R0-25YLD115-954 1,340
PBSS8110Y,115 NXP Semiconductors PBSS8110Y, 115 -
RFQ
 ECAD 8170 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 625 MW 6-TSSOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-PBSS8110Y, 115-954 1 100 v 1 a 100NA NPN 200mv @ 100ma, 1a 150 @ 250ma, 10V 100MHz
BUK6E2R3-40C,127 NXP Semiconductors buk6e2r3-40c, 127 0.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 nxp 반도체 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BUK6E2R3-40C, 127-954 1 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 260 NC @ 10 v ± 16V 15100 pf @ 25 v - 306W (TC)
PDTC143TU,115 NXP Semiconductors PDTC143TU, 115 0.0200
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-PDTC143TU, 115-954 1
PQMD16147 NXP Semiconductors PQMD16147 -
RFQ
 ECAD 1730 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 PQMD16 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 2156-PQMD16147-954 1
MMBT2222A,215 NXP Semiconductors MMBT2222A, 215 -
RFQ
 ECAD 2521 0.00000000 nxp 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2222 250 MW TO-236AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-MMBT222A, 215-954 1 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
PSMN070-200B,118 NXP Semiconductors PSMN070-200B, 118 1.0900
RFQ
 ECAD 5436 0.00000000 nxp 반도체 Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-PSMN070-200B, 118-954 1 n 채널 200 v 35A (TC) 10V 70mohm @ 17a, 10V 4V @ 1MA 77 NC @ 10 v ± 20V 4570 pf @ 25 v - 250W (TC)
BCV65,215 NXP Semiconductors BCV65,215 0.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-BCV65,215-954 1
BUK752R3-40E,127 NXP Semiconductors BUK752R3-40E, 127 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 nxp 반도체 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BUK752R3-40E, 127-954 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 40 v 120A (TA) 2.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 109.2 NC @ 10 v ± 20V 8500 pf @ 25 v - 293W (TA)
A7101CLTK2/T0BC27J NXP Semiconductors A7101CLTK2/T0BC27J 1.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-A7101CLTK2/T0BC27J-954 243
2PB709BSL,215 NXP Semiconductors 2PB709BSL, 215 0.0300
RFQ
 ECAD 416 0.00000000 nxp 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-2PB709BSL, 215-954 1 50 v 200 MA 10NA (ICBO) PNP 250mv @ 10ma, 100ma 210 @ 2MA, 10V 200MHz
PMV100XPEA215 NXP Semiconductors pmv100xpea215 0.0400
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-PMV100XPEA215-954 6,693 p 채널 20 v 2.4A (TA) 128mohm @ 2.4a, 4.5v 1.25V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 12V 386 pf @ 10 v - 463MW (TA), 4.45W (TC)
BCX70J,215 NXP Semiconductors BCX70J, 215 -
RFQ
 ECAD 8888 0.00000000 nxp 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW TO-236AB 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-BCX70J, 215-954 1 45 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 550MV @ 1.25ma, 50ma 250 @ 2MA, 5V 250MHz
PMV160UP235 NXP Semiconductors PMV160UP235 -
RFQ
 ECAD 8538 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 공급 공급 정의되지 업체는 2156-PMV160UP235-954 1
BLF1046,112 NXP Semiconductors BLF1046,112 67.6000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BLF1046,112-954 1
PMST2222,115 NXP Semiconductors PMST222,115 0.0200
RFQ
 ECAD 540 0.00000000 nxp 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-PMST2222,115-954 1 30 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 250MHz
AFV10700HR5178 NXP Semiconductors AFV10700HR5178 496.2300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-AFV10700HR5178-954 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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