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트랜지스터(506)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	그들	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	내구성 인증(암페어)	테스트 조건	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	모델 지수	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	카드가 사라졌습니다	Td(켜기/끄기) @ 25°C	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)	모델 지수(dB 일반 @ f)
PMN70XPE,115	0.0600	보상요청	47	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMN70XPE,115-954			1
PDTC144VU,115	0.0200	보상요청	14	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTC144VU,115-954			14,990
BUK9608-55A,118	0.7800	보상요청	2	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드			REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BUK9608-55A,118-954			1		N채널						55V	75A(Tc)	4.5V, 10V	7.5m옴 @ 25A, 10V	2V @ 1mA	92nC @ 5V	±15V	6021pF @ 25V	-	253W(Tc)
AFT21S230SR3	192.4100	보상요청	1	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	65V		표면 실장	NI-780S-6			2.11GHz ~ 2.17GHz	LDMOS		NI-780S-6	-				2156-AFT21S230SR3			2	N채널		-		1.5A	50W	16.7dB @ 2.11GHz											-										28V
BLS7G2729L-350P,11	-	보상요청	1733년	NXP 반도체	-	대부분	활동적인											-				2156-BLS7G2729L-350P,11			1
PBSS5330PASX	-	보상요청	3171	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		175°C (TJ)	표면 실장	3-UDFN 옆패드					600mW	DFN2020D-3	다운로드					EAR99	8541.29.0075	1																					30V	3A							100nA	PNP	320mV @ 300mA, 3A	175 @ 1A, 2V	165MHz
BC51-16PA,115	1.0000	보상요청	2956	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	3-PowerUDFN	BC51				420mW	3-휴슨(2x2)	다운로드						0000.00.0000	1																					45V	1A							100nA(ICBO)	PNP	500mV @ 50mA, 500mA	63 @ 150mA, 2V	145MHz
BC847CM,315	-	보상요청	2710	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-BC847CM,315-954			1
PMBT4403,215	-	보상요청	5979	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3					250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMBT4403,215-954			1																					40V	600mA							50nA(ICBO)	PNP	750mV @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 2V	200MHz
BC68-25PA,115	0.0700	보상요청	7	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	3-PowerUDFN					420mW	3-휴슨(2x2)	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BC68-25PA,115-954			1																					20V	2A							100nA(ICBO)	NPN	600mV @ 200mA, 2A	160 @ 500mA, 1V	170MHz
PDTC123EM,315	0.0300	보상요청	25	NXP 반도체	*	대부분	활동적인					PDTC123						다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTC123EM,315-954			15,000
PHPT61006PYX	-	보상요청	9296	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		175°C (TJ)	표면 실장	SC-100, SOT-669					1.3W	LFPAK56, 전원-SO8	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PHPT61006PYX-954	EAR99	8541.29.0075	1																					100V	6A							100nA	PNP	130mV @ 50mA, 1A	170 @ 500mA, 2V	116MHz
PEMH30,115	0.0400	보상요청	128	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PEMH30,115-954			1
PUMB24,115	0.0200	보상요청	365	NXP 반도체	*	대부분	활동적인					PUMB24						다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PUMB24,115-954			1
PBLS6005D,115	-	보상요청	8192	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			표면 실장	SC-74, SOT-457	PBLS6005				600mW	6-TSOP	다운로드						0000.00.0000	1																					50V, 60V	100mA, 700mA							1μA, 100nA	NPN 사전 바이어스 1개, PNP 1개	150mV @ 500μA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A	80 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V	185MHz	47k옴	47k옴
PSMN2R8-25MLC115	-	보상요청	2760	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드					EAR99	8541.29.0095	1
BUK7E5R2-100E,127	1.1100	보상요청	473	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA				MOSFET(금속)		I2PAK	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BUK7E5R2-100E,127-954		0000.00.0000	1		N채널						100V	120A(Tc)	10V	5.2m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	180nC @ 10V	±20V	11810pF @ 25V	-	349W(Tc)
PDTA114EK115	0.0300	보상요청	30	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH의 영향을 받아들입니다.	2156-PDTA114EK115-954			1
PMXB65ENEZ	0.0900	보상요청	3	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMXB65ENEZ-954		0000.00.0000	1
AFT21H350W03SR6	199.4800	보상요청	150	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	65V		표면 실장	NI-1230-4S			2.11GHz ~ 2.17GHz	LDMOS		NI-1230-4S	-				2156-AFT21H350W03SR6			2	N채널		10μA		763mA	63W	16.4dB @ 2.11GHz											-										28V
BFU550WX	0.3700	보상요청	7	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323					450mW	SC-70	다운로드	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-BFU550WX	EAR99	8541.21.0075	1							18dB														12V	50mA								NPN		60 @ 15mA, 8V	11GHz			1.3dB @ 1.8GHz
PEMD12,115	0.0700	보상요청	4	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PEMD12,115-954			4,699
STGWT20V60DF	1.5200	보상요청	600	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-3P-3, SC-65-3		기준			167W	TO-3P-3	-				2156-STGWT20V60DF			198				400V, 20A, 15V															40ns	트렌치 필드스톱	600V	40A	80A	2.2V @ 15V, 20A	200μJ(켜짐), 130μJ(꺼짐)	116nC	38ns/149ns
PDTC143TU,115	0.0200	보상요청	121	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTC143TU,115-954			1
BC846BMB,315	0.0200	보상요청	6853	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BC846BMB,315-954			12,885
PDTD123TT,215	0.0300	보상요청	66	NXP 반도체	*	대부분	활동적인											다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTD123TT,215-954	EAR99	8541.21.0075	10,764
BUK6C3R3-75C,118	1.5900	보상요청	480	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭)				MOSFET(금속)		D2PAK-7	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BUK6C3R3-75C,118-954	EAR99	8541.29.0095	1		N채널						75V	181A (Tc)	10V	3.4m옴 @ 90A, 10V	2.8V @ 1mA	253nC @ 10V	±16V	25V에서 15800pF	-	300W(Tc)
BC807-25,215	0.0200	보상요청	774	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3					250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BC807-25,215-954			1																					45V	500mA							100nA(ICBO)	PNP	700mV @ 50mA, 500mA	160 @ 100mA, 1V	80MHz
BC847BM,315	0.0200	보상요청	8085	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	SC-101, SOT-883					250mW	DFN1006-3	다운로드					EAR99	8541.21.0075	447																					45V	100mA							15nA(ICBO)	NPN	400mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2mA, 5V	100MHz
PHP45NQ10T,127	0.9500	보상요청	4	NXP 반도체	트렌치모스™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PHP45NQ10T,127-954			341		N채널						100V	47A (Tc)	10V	25m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	61nC @ 10V	±20V	25V에서 2600pF	-	150W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(506)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²