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트랜지스터(506)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	그들	기술	파워 - 최대	공급업체 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	내구성 인증(암페어)	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	모델 지수	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	전압 - 테스트	전압 - 출력(V(BR)GSS)	- 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0)	전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id	- 컬렉터 컷오프(최대)	저항 - RDS(켜짐)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
A2I20H060GNR1	30.9400	보상요청	500	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	65V		표면 실장	TO-270WBG-15		1.8GHz ~ 2.2GHz	LDMOS(이중)		TO-270WBG-15	-				2156-A2I20H060GNR1			10	2 N채널		-	24mA	12W	32.4dB											-			28V
PDTA123YM,315	-	보상요청	5284	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			표면 실장	SC-101, SOT-883	PDTA123			250mW	DFN1006-3	다운로드						0000.00.0000	1																		50V	100mA					1μA		PNP - 사전 바이어스됨	500μA에서 150mV, 10mA	35 @ 5mA, 5V		2.2kΩ	10kΩ
BUK625R0-40C,118	-	보상요청	3532	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		DPAK	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BUK625R0-40C,118-954	EAR99	8541.29.0095	1		N채널					40V	90A(타)		5m옴 @ 25A, 10V	2.8V @ 1mA	88nC @ 10V	±16V	5200pF @ 25V	-	158W(타)
PSMN2R0-60PS,127	1.0000	보상요청	5598	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	PSMN2R0		MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PSMN2R0-60PS,127-954			1		N채널					60V	120A(Tc)	10V	2.2m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	137nC @ 10V	±20V	9997pF @ 30V	-	338W(Tc)
BC857CMB,315	0.0200	보상요청	178	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	3-XFDFN	BC857			250mW	DFN1006B-3	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BC857CMB,315-954	EAR99	8541.21.0075	1																		45V	100mA					15nA(ICBO)		PNP	500μA, 10mA에서 300mV	420 @ 2mA, 5V	100MHz
MW7IC930NR1	59.9800	보상요청	2	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	65V		표면 실장	TO-270-16 변형, 편평형		920MHz ~ 960MHz	LDMOS(이중)		TO-270WB-16	-				2156-MW7IC930NR1	EAR99	8542.33.0001	6	2 N채널		10μA	285mA	3.2W	35.9dB											-			28V
PDTD123YQAZ	0.0300	보상요청	24	NXP 반도체	*	대부분	활동적인					PDTD123					다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTD123YQAZ-954	EAR99	8541.21.0075	1
PUMB19,115	1.0000	보상요청	7660	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMB19			300mW	6-TSSOP	다운로드						0000.00.0000	1																		50V	100mA					1μA		2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)	500μA에서 150mV, 10mA	100 @ 1mA, 5V	-	22k옴	-
PSMN015-100B,118	0.8000	보상요청	3	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-PSMN015-100B,118-954	EAR99	8541.29.0075	407		N채널					100V	75A(타)	10V	15m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	90nC @ 10V	±20V	25V에서 4900pF	-	300W(타)
PBSS4130QAZ	0.0700	보상요청	243	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	3-XDFN옆패드				325mW	DFN1010D-3	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PBSS4130QAZ-954	EAR99	8541.29.0075	1																		30V	1A					100nA(ICBO)		NPN	245mV @ 50mA, 1A	180 @ 1A, 2V	190MHz
BCW61B,215	0.0200	보상요청	17	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BCW61B,215-954			1																		32V	100mA					20nA(ICBO)		PNP	550mV @ 1.25mA, 50mA	180 @ 2mA, 5V	100MHz
BUK7Y59-60EX	-	보상요청	7909	NXP 반도체	트렌치모스™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	SC-100, SOT-669			MOSFET(금속)		LFPAK56, 전원-SO8	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BUK7Y59-60EX-954	EAR99	8541.29.0095	1		N채널					60V	17A(TC)	10V	59m옴 @ 5A, 10V	4V @ 1mA	7.8nC @ 10V	±20V	25V에서 494pF	-	37W(Tc)
PMBT2222,215	1.0000	보상요청	2242	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMBT2222			250mW	TO-236AB	-		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMBT2222,215-954	EAR99	8541.21.0075	1																		30V	600mA					10nA(ICBO)		NPN	1.6V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	250MHz
BUK7509-55A,127	0.5600	보상요청	3	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BUK7509-55A,127-954	EAR99	8541.29.0095	1		N채널					55V	75A(Tc)	10V	9m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	62nC @ 0V	±20V	3271pF @ 25V	-	211W(Tc)
PBSS5520X,135	-	보상요청	7885	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-243AA				2.5W	SOT-89	-				2156-PBSS5520X,135			1																		20V	5A					100nA(ICBO)		PNP	270mV @ 500mA, 5A	300 @ 500mA, 2V	100MHz
AFV10700HR5	537.6400	보상요청	27	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	105V		방역	NI-780-4		960MHz ~ 1.215GHz	LDMOS(이중)		NI-780-4	-				2156-AFV10700HR5			1	2 N채널		1μA	100mA	700W	19.2dB @ 1.03GHz											-			52V
MMRF1304NR1	25.6700	보상요청	410	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	133V		표면 실장	TO-270AA		1.8MHz ~ 2GHz	LDMOS		TO-270-2	다운로드	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-MMRF1304NR1	EAR99	8541.29.0075	1			7μA	10mA	25W	25.4dB											-			50V
BC846AW,115	0.0200	보상요청	535	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323				200mW	SOT-323	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BC846AW,115-954			1																		65V	100mA					15nA(ICBO)		NPN	400mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2mA, 5V	100MHz
PDTC124XM,315	-	보상요청	2391	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			표면 실장	SC-101, SOT-883	PDTC124			250mW	DFN1006-3	다운로드						0000.00.0000	1																		50V	100mA					1μA		NPN - 사전 바이어스됨	500μA에서 150mV, 10mA	80 @ 5mA, 5V		22kΩ	47kΩ
PBLS4003D,115	0.0700	보상요청	66	NXP 반도체	*	대부분	활동적인					PBLS4003					다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PBLS4003D,115-954			4,473
PMDXB550UNE,147	0.0800	보상요청	720	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMDXB550UNE,147-954	EAR99	8541.21.0095	3,878
BC69-16PA,115	1.0000	보상요청	8221	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	3-PowerUDFN	69년			420mW	3-휴슨(2x2)	다운로드						0000.00.0000	1																		20V	2A					100nA(ICBO)		PNP	600mV @ 200mA, 2A	100 @ 500mA, 1V	140MHz
PMCXB900UEZ	0.0800	보상요청	1	NXP 반도체	TrenchFET®	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-XFDFN 옆형 패드	PMCXB900		MOSFET(금속)	265mW	DFN1010B-6	다운로드					EAR99	8541.21.0095	3,557	N 및 P 채널 보완						20V	600mA, 500mA		620m옴 @ 600mA, 4.5V	250μA에서 950mV	0.7nC @ 4.5V		21.3pF @ 10V	게임 레벨 레벨
PDTC123YMB,315	0.0300	보상요청	99	NXP 반도체	*	대부분	활동적인					PDTC123					다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTC123YMB,315-954			1
PMBF4391	0.8700	보상요청	22	NXP 반도체	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250mW	TO-236AB	-	ROHS3 준수	1(무제한)	요청 시 REACH 정보 제공	2832-PMBF4391TR	EAR99	8541.21.0080	575		N채널					40V							14pF @ 20V							40V	20V에서 50mA	4V @ 1nA		30옴
PSMN2R8-25MLC115	-	보상요청	2760	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드					EAR99	8541.29.0095	1
MRF1517NT1	4.3100	보상요청	5	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	25V		표면 실장	PLD-1.5		-	LDMOS		PLD-1.5	-				2156-MRF1517NT1			70	N채널		4A	150mA	8W	14dB @ 520MHz											-			7.5V
NMBT3906VL	0.0200	보상요청	400	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-NMBT3906VL-954			1
PMBT3906,215	0.0200	보상요청	2	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMBT3906			250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMBT3906,215-954	EAR99	8541.21.0095	1																		40V	200mA					50nA(ICBO)		PNP	400mV @ 5mA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	250MHz
2PD601ASL,235	-	보상요청	7114	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2PD601			250mW	TO-236AB	다운로드					EAR99	8541.21.0075	1																		50V	100mA					10nA(ICBO)		NPN	250mV @ 10mA, 100mA	290 @ 2mA, 10V	100MHz

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(506)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²