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트랜지스터(506)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	그들	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	내구성 인증(암페어)	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	모델 지수	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
PMBTA14,215	0.0400	보상요청	99	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMBTA14,215-954			7,378																		30V	500mA		100nA(ICBO)	NPN-달링턴	1.5V @ 100μA, 100mA	20000 @ 100mA, 5V	125MHz
PBSS304PZ,135	0.1900	보상요청	38	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA				2W	SOT-223	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PBSS304PZ,135-954	EAR99	8541.21.0095	1																		60V	4.5A		100nA(ICBO)	PNP	375mV @ 225mA, 4.5A	150 @ 2A, 2V	130MHz
PBHV9115TLH215	0.0900	보상요청	12	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PBHV9115TLH215-954			1
BSR41,115	0.1900	보상요청	25	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-243AA				1.35W	SOT-89	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BSR41,115-954			1																		60V	1A		100nA(ICBO)	NPN	500mV @ 50mA, 500mA	100 @ 100mA, 5V	100MHz
PMBT2907A,215	0.0200	보상요청	1	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMBT2907			250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMBT2907A,215-954			1																		60V	600mA		10nA(ICBO)	PNP	1.6V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	200MHz
PBSS5320D,115	0.0600	보상요청	23	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	SC-74, SOT-457				750mW	6-TSOP	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PBSS5320D,115-954			1																		20V	3A		100nA(ICBO)	PNP	400mV @ 300mA, 3A	150 @ 2A, 2V	100MHz
MRF6VP11KGSR5	271.3200	보상요청	2	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	110V		표면 실장	NI-1230-4S GW		1.8MHz ~ 150MHz	LDMOS(이중)		NI-1230-4S 갈매기	-				2156-MRF6VP11KGSR5			2	2 N채널		100μA	150mA	1000W	26dB @ 130MHz											-			50V
BC857CW,115	-	보상요청	8946	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323	BC857			200mW	SOT-323	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BC857CW,115-954	EAR99	8541.21.0075	1																		45V	100mA		15nA(ICBO)	PNP	600mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2mA, 5V	100MHz
MHT1004NR3	124.8400	보상요청	158	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	65V		방역	OM-780-2		-	LDMOS		OM-780-2	-				2156-MHT1004NR3			3	N채널		10μA	100mA	280W	15.2dB											-			32V
PEMB16,115	0.0400	보상요청	12	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PEMB16,115-954			1
PUMB2,115	0.0200	보상요청	77	NXP 반도체	*	대부분	활동적인					PUMB2					다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PUMB2,115-954			1
PDTD123ET,215	-	보상요청	4805	NXP 반도체	PDTD123E	대부분	활동적인			표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250mW	TO-236AB	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-PDTD123ET,215-954			1																		50V	500mA		500nA	NPN - 사전 바이어스됨	300mV @ 2.5mA, 50mA	40 @ 50mA, 5V		2.2kΩ	2.2kΩ
NXP3875Y,215	-	보상요청	6198	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드						0000.00.0000	1
PBHV9115Z,115	-	보상요청	6084	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PBHV9115Z,115-954			200
PSMN3R5-80PS,127	-	보상요청	5319	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드						0000.00.0000	1		N채널					80V	120A(Tc)	10V	3.5m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	139nC @ 10V	±20V	40V에서 9961pF	-	338W(Tc)
PMXB75UPE/S500Z	-	보상요청	4745	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	3-XDFN옆패드			MOSFET(금속)		DFN1010D-3	-				2156-PMXB75UPE/S500Z			1		P채널					20V	2.9A(타)	1.2V, 4.5V	85m옴 @ 2.9A, 4.5V	1V @ 250μA	12nC @ 4.5V	±8V	10V에서 608pF	-	317mW(Ta), 8.33W(Tc)
BLF888BS,112	218.8600	보상요청	25	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드			REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BLF888BS,112-954	EAR99	8541.29.0075	1
PBSS5620PA,115	-	보상요청	1519	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	3-PowerUDFN				2.1W	3-휴슨(2x2)	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PBSS5620PA,115-954			1																		20V	6A		100nA	PNP	350mV @ 300mA, 6A	190 @ 2A, 2V	80MHz
PDTC114TT,215	0.0200	보상요청	570	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드			REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTC114TT,215-954			1
PDTC144TM,315	0.0200	보상요청	38	NXP 반도체	*	대부분	활동적인					PDTC144					다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTC144TM,315-954			15,000
PUMB15,115	-	보상요청	7596	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMB15			300mW	6-TSSOP	다운로드						0000.00.0000	1																		50V	100mA		1μA	2 PNP - 사전 바이어스됨(이중)	500μA에서 150mV, 10mA	30 @ 10mA, 5V	-	4.7k옴	4.7k옴
MRF6VP3450HR5	230.3700	보상요청	497	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	110V		방역	NI-1230		470MHz ~ 860MHz	LDMOS		NI-1230	다운로드	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-MRF6VP3450HR5	EAR99	8541.29.0075	1	더블, 세션 소스		10μA	1.4A	450W	22.5dB											-			50V
BC847CMB,315	-	보상요청	4081	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	3-XFDFN	BC847			250mW	DFN1006B-3	-						0000.00.0000	1																		45V	100mA		15nA(ICBO)	NPN	500μA, 10mA에서 200mV	420 @ 2mA, 5V	100MHz
PDTA114TM315	0.0200	보상요청	450	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드					EAR99	8542.21.0095	15,000
PDTC115EMB,315	0.0300	보상요청	189	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			표면 실장	SC-101, SOT-883	PDTC115			250mW	DFN1006B-3	다운로드					EAR99	8541.21.0075	1																		50V	20mA		1μA	NPN - 사전 바이어스됨	250μA에서 150mV, 5mA	80 @ 5mA, 5V	230MHz	100kΩ	100kΩ
PQMD10147	0.0300	보상요청	13	NXP 반도체	*	대부분	활동적인					PQMD10					다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-PQMD10147-954			1

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(506)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²