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트랜지스터(506)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	그들	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	내구성 인증(암페어)	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	모델 지수	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)	모델 지수(dB 일반 @ f)
PMV130ENEAR	-	보상요청	5510	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET(금속)		TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMV130ENEAR-954	EAR99	8541.29.0095	1		N채널					40V	2.1A(타)	4.5V, 10V	120m옴 @ 1.5A, 10V	2.5V @ 250μA	3.6nC @ 10V	±20V	20V에서 170pF	-	460mW(Ta), 5W(Tc)
PMZ1000UN,315	0.0500	보상요청	10	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMZ1000UN,315-954			1
MRF6VP3091NR1	-	보상요청	6863	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	115V		표면 실장	TO-270AB		470MHz ~ 1.215GHz	LDMOS(이중), 후반소스		TO-270 WB-4	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-MRF6VP3091NR1-954			1	2 N채널		10μA	450mA	90W	22dB											-			50V
PSMN1R8-30PL,127	1.0000	보상요청	1915년	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	PSMN1R8		MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PSMN1R8-30PL,127-954			1		N채널					30V	100A(Tc)	4.5V, 10V	1.8m옴 @ 25A, 10V	2.15V @ 1mA	170nC @ 10V	±20V	10180pF @ 12V	-	270W(Tc)
PSMN4R3-80PS,127	1.4600	보상요청	4	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PSMN4R3-80PS,127-954			207		N채널					80V	120A(Tc)	10V	4.3m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	111nC @ 10V	±20V	40V에서 8161pF	-	306W(Tc)
BSV52,215	0.0500	보상요청	37	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BSV52,215-954			1																		12V	100mA		400nA(ICBO)	NPN	400mV @ 5mA, 50mA	40 @ 10mA, 1V	500MHz
PSMN1R1-30PL,127	-	보상요청	9567	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PSMN1R1-30PL,127-954			1		N채널					30V	120A(Tc)	4.5V, 10V	1.3m옴 @ 25A, 10V	2.2V @ 1mA	243nC @ 10V	±20V	14850pF @ 15V	-	338W(Tc)
PSMN2R8-40BS	-	보상요청	8495	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드						0000.00.0000	1
MRF6S20010NR1	34.2200	보상요청	500	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	68V		표면 실장	TO-270-2		1.6GHz ~ 2.2GHz	LDMOS		TO-270-2	-				2156-MRF6S20010NR1			9	N채널		10μA	130mA	10W	15.5dB @ 2.17GHz											-			28V
PDTC143ET,235	0.0200	보상요청	380	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTC143			250mW	SOT-23	다운로드						0000.00.0000	1																		50V	100mA		1μA	NPN - 사전 바이어스됨	500μA에서 150mV, 10mA	30 @ 10mA, 5V		4.7kΩ	4.7kΩ
PMV30XPEA215	-	보상요청	9535	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMV30XPEA215-954			1
BCW89,215	0.0200	보상요청	142	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCW89			250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BCW89,215-954			1																		60V	100mA		100nA(ICBO)	PNP	150mV @ 2.5mA, 50mA	120 @ 2mA, 5V	150MHz
PMZB950UPEL315	0.0500	보상요청	54	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-PMZB950UPEL315-954			1
NX3008NBKSH	-	보상요청	3171	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363			MOSFET(금속)	280mW(Ta), 990mW(Tc)	6-TSSOP	-				2156-NX3008NBKSH			1	2 N채널						30V	350mA(타)		1.4옴 @ 350mA, 4.5V	1.1V @ 250μA	0.68nC @ 4.5V		50pF @ 15V	기준
PHP29N08T,127	0.5400	보상요청	24	NXP 반도체	트렌치모스™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PHP29N08T,127-954			600		N채널					75V	27A (Tc)	11V	50m옴 @ 14A, 11V	5V @ 2mA	19nC @ 10V	±30V	25V에서 810pF	-	88W(Tc)
MMRF5014HR5	523.3200	보상요청	17	NXP 반도체	-	대부분	활동적인	125V		방역	NI-360H-2SB		1MHz ~ 2.7GHz	N채널		NI-360H-2SB	-				2156-MMRF5014HR5			1	N채널		5mA	350mA	125W	18dB @ 2.5GHz											-			50V
PHN203,518	0.2500	보상요청	2	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PHN203,518-954			1
BUK6E4R0-75C,127	1.0200	보상요청	19	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)		I2PAK	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BUK6E4R0-75C,127-954			1		N채널					75V	120A(Tc)	4.5V, 10V	4.2m옴 @ 25A, 10V	2.8V @ 1mA	234nC @ 10V	±16V	25V에서 15450pF	-	306W(Tc)
PMCM4401VNE/S500Z	-	보상요청	1093	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMCM4401VNE/S500Z-954			1
BUK7660-100A,118	0.5500	보상요청	4	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BUK7660-100A,118-954			1		N채널					100V	26A(TC)	10V	60m옴 @ 15A, 10V	4V @ 1mA		±20V	25V에서 1377pF	-	106W(Tc)
BFU768F,115	0.1600	보상요청	14	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)	표면 실장	SOT-343F				220mW	4-DFP	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-BFU768F,115	EAR99	8541.21.0075	1						13.1dB												2.8V	70mA			NPN		155 @ 10mA, 2V	110GHz			1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz
PSMN7R0-100PS,127	-	보상요청	9099	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		-	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PSMN7R0-100PS,127-954			1		N채널					100V	100A(Tc)	10V	12m옴 @ 15A, 10V	4V @ 1mA	125nC @ 10V	±20V	50V에서 6686pF	-	269W(Tc)
BC53-16PASX	-	보상요청	3565	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	3-UDFN 옆패드				420mW	DFN2020D-3	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BC53-16PASX-954	EAR99	8541.21.0075	1																		80V	1A		100nA(ICBO)	PNP	500mV @ 50mA, 500mA	63 @ 150mA, 2V	145MHz
BCM847BV,115	-	보상요청	9326	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	SOT-563, SOT-666	BCM847			300mW	SOT-666	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BCM847BV,115-954			1																		45V	100mA		15nA(ICBO)	2 NPN(이중)일치쌍	400mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2mA, 5V	250MHz
BC848B,235	-	보상요청	4135	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250mW	TO-236AB	다운로드						0000.00.0000	1																		30V	100mA		15nA(ICBO)	NPN	600mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2mA, 5V	100MHz
PDTC144EM,315	-	보상요청	1783년	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			표면 실장	SC-101, SOT-883				250mW	DFN1006-3	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-PDTC144EM,315-954			1																		50V	100mA		1μA	NPN - 사전 바이어스됨	500μA에서 150mV, 10mA	80 @ 5mA, 5V	230MHz	47kΩ	47kΩ
PSMN5R0-100PS,127	1.6300	보상요청	1	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PSMN5R0-100PS,127-954	EAR99	8541.29.0095	184		N채널					100V	120A(Tc)	10V	5m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	170nC @ 10V	±20V	50V에서 9900pF	-	338W(Tc)
PHP225,118	0.2100	보상요청	4	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PHP225,118-954			1
BC857BQAZ	0.0300	보상요청	85	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	3-XDFN옆패드	BC857			280mW	DFN1010D-3	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BC857BQAZ-954	EAR99	8541.21.0075	1																		45V	100mA		15nA(ICBO)	PNP	400mV @ 5mA, 100mA	220 @ 2mA, 5V	100MHz
PHPT60606PYX	-	보상요청	3851	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		175°C (TJ)	표면 실장	SC-100, SOT-669				1.35W	LFPAK56, 전원-SO8	-		공급자가 규정하지 않는 경우	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-PHPT60606PYX-954			1																		60V	6A		100nA	PNP	525mV @ 600mA, 6A	120 @ 500mA, 2V	110MHz

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(506)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²