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트랜지스터(506)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
PBLS4004Y,115 NXP Semiconductors PBLS4004Y,115 0.0700
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 ECAD 72 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 PBLS4004 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PBLS4004Y,115-954 4,873
PQMD13147 NXP Semiconductors PQMD13147 -
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 ECAD 5836 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 - 2156-PQMD13147 1
BCM847BV,315 NXP Semiconductors BCM847BV,315 -
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 ECAD 2044년 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 BCM847 300mW SOT-666 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BCM847BV,315-954 1 45V 100mA 15nA(ICBO) 2 NPN(이중)일치쌍 400mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 250MHz
NX7002AK2,215 NXP Semiconductors NX7002AK2,215 -
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 ECAD 3433 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-NX7002AK2,215-954 1
PH2525L,115 NXP Semiconductors PH2525L,115 0.2400
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 ECAD 4 0.00000000 NXP 반도체 트렌치모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-100, SOT-669 MOSFET(금속) LFPAK56, 전원-SO8 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PH2525L,115-954 1,268 N채널 25V 100A(Tc) 4.5V, 10V 2.5m옴 @ 25A, 10V 2.15V @ 1mA 34.7nC @ 4.5V ±20V 4470pF @ 12V - 62.5W(Tc)
BC807-25,215 NXP Semiconductors BC807-25,215 0.0200
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 ECAD 774 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BC807-25,215-954 1 45V 500mA 100nA(ICBO) PNP 700mV @ 50mA, 500mA 160 @ 100mA, 1V 80MHz
PMBT3904,215 NXP Semiconductors PMBT3904,215 -
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 ECAD 9255 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMBT3904,215-954 1 40V 200mA 50nA(ICBO) NPN 300mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 300MHz
PMXB40UNE/S500Z NXP Semiconductors PMXB40UNE/S500Z -
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 ECAD 2461 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XDFN옆패드 MOSFET(금속) DFN1010D-3 - 2156-PMXB40UNE/S500Z 1 N채널 12V 3.2A(타) 1.2V, 4.5V 45m옴 @ 3.2A, 4.5V 250μA에서 900mV 11.6nC @ 4.5V ±8V 10V에서 556pF - 400mW(Ta), 8.33W(Tc)
PMV33UPE,215 NXP Semiconductors PMV33UPE,215 -
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 ECAD 7551 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET(금속) SOT-23 다운로드 EAR99 8541.21.0095 1 P채널 20V 4.4A(타) 1.8V, 4.5V 36m옴 @ 3A, 4.5V 250μA에서 950mV 22.1nC @ 4.5V ±8V 10V에서 1820pF - 490mW(타)
BC869,115 NXP Semiconductors BC869,115 0.1000
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 ECAD 43 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 1.2W SOT-89 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BC869,115-954 1 20V 1A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 100mA, 1A 85 @ 500mA, 1V 140MHz
AFT27S010NT1 NXP Semiconductors AFT27S010NT1 10.3900
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 ECAD 2 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 표면 실장 PLD-1.5W 728MHz ~ 3.6GHz LDMOS PLD-1.5W - RoHS 비준수 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-AFT27S010NT1 EAR99 8541.29.0075 1 10μA 90mA 1.26W 21.7dB - 28V
PHPT61002PYCX NXP Semiconductors PHPT61002PYCX 1.0000
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 ECAD 8712 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PHPT61002PYCX-954 EAR99 8541.29.0075 1
PBSS4160PANP,115 NXP Semiconductors PBSS4160PANP,115 -
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 ECAD 5380 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q100 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFDFN 옆형 패드 PBSS4160 510mW 6-휴슨(2x2) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PBSS4160PANP,115-954 1 60V 1A 100nA(ICBO) NPN, PNP 120mV @ 50mA, 500mA 150 @ 500mA, 2V 175MHz
2PB709BSL,215 NXP Semiconductors 2PB709BSL,215 0.0300
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 ECAD 416 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2PB709BSL,215-954 1 50V 200mA 10nA(ICBO) PNP 250mV @ 10mA, 100mA 210 @ 2mA, 10V 200MHz
PMXB43UNE/S500Z NXP Semiconductors PMXB43UNE/S500Z -
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 ECAD 3938 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XDFN옆패드 MOSFET(금속) DFN1010D-3 - 2156-PMXB43UNE/S500Z 1 N채널 20V 3.2A(타) 1.5V, 4.5V 54m옴 @ 3.2A, 4.5V 250μA에서 900mV 10nC @ 4.5V ±8V 10V에서 551pF - 400mW(Ta), 8.33W(Tc)
BUK6C2R1-55C,118 NXP Semiconductors BUK6C2R1-55C,118 -
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 ECAD 3198 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭) MOSFET(금속) D2PAK-7 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BUK6C2R1-55C,118-954 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 55V 228A(TC) 10V 2.3m옴 @ 90A, 10V 2.8V @ 1mA 253nC @ 10V ±16V 16000pF @ 25V - 300W(Tc)
2PD601BRL,215 NXP Semiconductors 2PD601BRL,215 0.0200
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 ECAD 9154 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2PD601BRL,215-954 1 50V 200mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 210 @ 2mA, 10V 250MHz
BC847BV,315 NXP Semiconductors BC847BV,315 -
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 ECAD 8733 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 BC847 300mW SOT-666 다운로드 2156-BC847BV,315-NEX 0000.00.0000 1 45V 100mA 15nA(ICBO) 2 NPN(이중) 300mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PMDXB600UNEL/S500Z NXP Semiconductors PMDXB600UNEL/S500Z -
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 ECAD 6059 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 - 2156-PMDXB600UNEL/S500Z 1
PDTC123EMB,315 NXP Semiconductors PDTC123EMB,315 -
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 ECAD 8441 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 활동적인 표면 실장 3-XFDFN PDTC123 250mW DFN1006B-3 다운로드 0000.00.0000 1 50V 100mA 1μA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 10mA 30 @ 20mA, 5V 230MHz 2.2kΩ 2.2kΩ
PHP20N06T,127 NXP Semiconductors PHP20N06T,127 0.4800
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 ECAD 15 0.00000000 NXP 반도체 트렌치모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PHP20N06T,127-954 671 N채널 55V 20.3A(Tc) 10V 75m옴 @ 10A, 10V 4V @ 1mA 11nC @ 10V ±20V 25V에서 483pF - 62W(Tc)
BUK6212-40C,118 NXP Semiconductors BUK6212-40C,118 0.3300
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 ECAD 5 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BUK6212-40C,118-954 1 N채널 40V 50A(타) 11.2m옴 @ 12A, 10V 2.8V @ 1mA 33.9nC @ 10V ±16V 1900pF @ 25V - 80W
BCP56-10H,115 NXP Semiconductors BCP56-10H,115 -
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 ECAD 9329 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BCP56-10H,115-954 0000.00.0000 1
PMBT3906,235 NXP Semiconductors PMBT3906,235 0.0200
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 ECAD 157 0.00000000 NXP 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT3906 250mW TO-236AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMBT3906,235-954 1 40V 200mA 50nA(ICBO) PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
PUMH2,115 NXP Semiconductors PUMH2,115 0.0300
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 ECAD 393 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PUMH2,115-954 1
2N7002PS/ZLX NXP Semiconductors 2N7002PS/ZLX 0.2800
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 ECAD 35 0.00000000 NXP 반도체 - 대부분 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET(금속) 6-TSSOP 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-2N7002PS/ZLX-954 EAR99 8541.21.0095 1 2 N채널(듀얼) 60V 320mA 1.6옴 @ 500mA, 10V 2.4V @ 250μA 0.8nC @ 4.5V 50pF @ 10V 게임 레벨 레벨
PDTA143ZT,215 NXP Semiconductors PDTA143ZT,215 0.0200
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 ECAD 177 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PDTA143ZT,215-954 1
PSMN009-100P,127 NXP Semiconductors PSMN009-100P,127 1.5000
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 ECAD 291 0.00000000 NXP 반도체 트렌치모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PSMN009-100P,127-954 217 N채널 100V 75A(Tc) 10V 8.8m옴 @ 25A, 10V 4V @ 1mA 156nC @ 10V ±20V 8250pF @ 25V - 230W(Tc)
BCV63,215 NXP Semiconductors BCV63,215 0.0800
보상요청
 ECAD 18 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-BCV63,215-954 1
PMZB370UNE,315 NXP Semiconductors PMZB370UNE,315 0.0400
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 ECAD 33 0.00000000 NXP 반도체 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-PMZB370UNE,315-954 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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장바구니 목록 (0개 품목)
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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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