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트랜지스터(506)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	그들	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	내구성 인증(암페어)	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	모델 지수	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
PBLS1503Y,115	0.0700	보상요청	222	NXP 반도체	*	대부분	활동적인					PBLS1503					다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PBLS1503Y,115-954			4,873
BC52-10PASX	0.0600	보상요청	59	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	3-UDFN 옆패드				420mW	DFN2020D-3	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BC52-10PASX-954	EAR99	8541.21.0075	1																		60V	1A		100nA(ICBO)	PNP	500mV @ 50mA, 500mA	63 @ 150mA, 2V	145MHz
PBSS4230PAN,115	-	보상요청	3391	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	6-UDFN 옆패드	PBSS4230			510mW	6-휴슨-EP(2x2)	-						0000.00.0000	1																		30V	2A		100nA(ICBO)	-	290mV @ 200mA, 2A	200 @ 1A, 2V	120MHz
BUK7575-55A,127	0.3600	보상요청	8	NXP 반도체	트렌치모스™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BUK7575-55A,127-954	EAR99	0000.00.0000	1		N채널					55V	20.3A(Tc)	10V	75m옴 @ 10A, 10V	4V @ 1mA		±20V	25V에서 483pF	-	62W(Tc)
BUK7E2R3-40E,127	0.8500	보상요청	3	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)		I2PAK	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BUK7E2R3-40E,127-954			1		N채널					40V	120A(Tc)	10V	2.3m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	109.2nC @ 10V	±20V	8500pF @ 25V	-	293W(Tc)
PEMB18,115	0.0400	보상요청	12	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PEMB18,115-954			1
PMDXB600UNEL/S500Z	-	보상요청	6059	NXP 반도체	-	대부분	활동적인										-				2156-PMDXB600UNEL/S500Z			1
PDTC143ZMB,315	0.0300	보상요청	126	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTC143ZMB,315-954			1
PMN48XPAX	-	보상요청	2032년	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SC-74, SOT-457			MOSFET(금속)		6-TSOP	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,260		P채널					20V	4.1A(타)	2.5V, 4.5V	55m옴 @ 2.4A, 4.5V	250μA에서 1.25V	13nC @ 4.5V	±12V	10V에서 1000pF	-	530mW(Ta), 6.25W(Tc)
A2I25D025NR1	34.3300	보상요청	4	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	65V			TO-270-17 변형, 편평형		2.1GHz ~ 2.9GHz	LDMOS		TO-270WB-17	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-A2I25D025NR1	EAR99	8542.33.0001	9	2개		10μA	157mA	3.2W	31.9dB											-			28V
PMG85XPH	-	보상요청	7317	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMG85XPH-954			1
A2T21H450W19SR6	217.4300	보상요청	277	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	65V		방역	NI-1230S-4S4S		2.11GHz ~ 2.2GHz	LDMOS		NI-1230S-4S4S	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-A2T21H450W19SR6	EAR99	8541.29.0075	1			10μA	800mA	89W	15.7dB											-			30V
PSMN6R3-120PS	2.0100	보상요청	319	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-PSMN6R3-120PS	EAR99	8541.29.0075	162		N채널					120V	70A(타)	10V	6.7m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	207.1nC @ 10V	±20V	60V에서 11384pF	-	405W(타)
BLF6G22LS-180RN	-	보상요청	4998	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	65V		표면 실장	SOT-502B		2.11GHz ~ 2.17GHz	LDMOS		SOT502B	-				2156-BLF6G22LS-180RN			1	N채널		5μA	1.4A	40W	16dB											-			30V
BC54-16PA,115	0.0600	보상요청	29	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	3-PowerUDFN				420mW	3-휴슨(2x2)	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BC54-16PA,115-954	EAR99	8541.21.0075	1																		45V	1A		100nA(ICBO)	NPN	500mV @ 50mA, 500mA	63 @ 150mA, 2V	180MHz
PHPT61002PYCX	1.0000	보상요청	8712	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PHPT61002PYCX-954	EAR99	8541.29.0075	1
MMBT2222A,215	-	보상요청	2521	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2222			250mW	TO-236AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-MMBT2222A,215-954			1																		40V	600mA		10nA(ICBO)	NPN	1V @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 10V	300MHz
PDTD113EQAZ	0.0300	보상요청	30	NXP 반도체	*	대부분	활동적인					PDTD113					다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTD113EQAZ-954	EAR99	8541.21.0075	1
BC847BV,315	-	보상요청	8733	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	SOT-563, SOT-666	BC847			300mW	SOT-666	다운로드				2156-BC847BV,315-NEX		0000.00.0000	1																		45V	100mA		15nA(ICBO)	2 NPN(이중)	300mV @ 5mA, 100mA	200 @ 2mA, 5V	100MHz
PDTA143TT,215	0.0200	보상요청	206	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PDTA143TT,215-954			1
BUK6E2R3-40C,127	0.8900	보상요청	2	NXP 반도체	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA			MOSFET(금속)		I2PAK	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BUK6E2R3-40C,127-954			1		N채널					40V	120A(Tc)	10V	2.3m옴 @ 25A, 10V	2.8V @ 1mA	260nC @ 10V	±16V	25V에서 15100pF	-	306W(Tc)
PMV100XPEA215	0.0400	보상요청	48	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET(금속)		SOT-23	다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-PMV100XPEA215-954			6,693		P채널					20V	2.4A(타)		128m옴 @ 2.4A, 4.5V	250μA에서 1.25V	6nC @ 4.5V	±12V	10V에서 386pF	-	463mW(Ta), 4.45W(Tc)
PDTC114EMB,315	-	보상요청	1308	NXP 반도체	-	대부분	활동적인			표면 실장	SC-101, SOT-883	PDTC114			250mW	DFN1006B-3	다운로드						0000.00.0000	1																		50V	100mA		1μA	NPN - 사전 바이어스됨	500μA에서 150mV, 10mA	30 @ 5mA, 5V	230MHz	10kΩ	10kΩ
MW7IC2725NR1	56.4600	보상요청	950	NXP 반도체	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우	65V		표면 실장	TO-270-16 변형, 편평형		2.5GHz ~ 2.7GHz	LDMOS(이중)		TO-270WB-16	-				2156-MW7IC2725NR1			6	2 N채널		10μA	275mA	4W	28.5dB											-			28V
BCM847DS/DG/B2 115	0.0700	보상요청	181	NXP 반도체	*	대부분	활동적인					BCM847					다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BCM847DS/DG/B2 115-954			1
PMV160UP235	-	보상요청	8538	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-PMV160UP235-954			1
BCX70K,235	-	보상요청	7939	NXP 반도체	BCX70	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250mW	TO-236AB	-	RoHS 비준수		공급자가 규정하지 않는 경우	2156-BCX70K,235-954			1																		45V	100mA		20nA(ICBO)	NPN	550mV @ 1.25mA, 50mA	380 @ 2mA, 5V	250MHz
BLF1046,112	67.6000	보상요청	20	NXP 반도체	*	대부분	활동적인										다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	REACH 영향을 받지 않았습니다.	2156-BLF1046,112-954			1
PDTC123TU115	0.0200	보상요청	4136	NXP 반도체	*	대부분	활동적인					PDTC123					다운로드					EAR99	8541.21.0095	1
2PC4617RMB,315	-	보상요청	7989	NXP 반도체	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)	표면 실장	3-XFDFN	2PC4617			250mW	DFN1006B-3	다운로드					EAR99	8541.21.0075	1																		50V	100mA		100nA(ICBO)	NPN	200mV @ 5mA, 50mA	180@1mA, 6V	100MHz

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(506)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²