| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | 전압 - 출력(V(BR)GSS) | - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - 컬렉터 컷오프(최대) | 저항 - RDS(켜짐) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BUK7E13-60E,127 | 0.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 60V | 58A(타) | 13m옴 @ 15A, 10V | 4V @ 1mA | 22.9nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1730pF | - | 96W(타) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6607-75C,118 | - | ![]() | 9969 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 75V | 100A(Tc) | 10V | 7m옴 @ 25A, 10V | 2.8V @ 1mA | 123nC @ 10V | ±16V | 25V에서 7600pF | - | 204W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP56-16/DG/B2115 | 0.1800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN1R6-30PL,127 | 1.1600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 튜브 | 활동적인 | PSMN1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMXB360ENEA147 | 1.0000 | ![]() | 7408 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J175,116 | - | ![]() | 3394 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | J175 | 400mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | P채널 | 30V | 8pF @ 10V(VGS) | 30V | 7mA @ 15V | 3V @ 10nA | 125옴 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7606-55B,118 | - | ![]() | 1447 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 6m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 64nC @ 10V | ±20V | 5100pF @ 25V | - | 254W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CLF1G0035-100,112 | - | ![]() | 2135 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150V | 방역 | SOT-467C | 3GHz | GaN HEMT | SOT467C | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | - | 330mA | 100W | 12dB | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFE6VP61K25GNR6 | 195.5361 | ![]() | 8842 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 133V | 방역 | OM-1230G-4L | MRFE6 | 230MHz | LDMOS | OM-1230G-4L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935315986528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 2개 | - | 100mA | 1250W | 23dB | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF6G20-110,112 | - | ![]() | 1486 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | SOT-502A | 1.93GHz ~ 1.99GHz | LDMOS | SOT502A | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | 29A | 900mA | 25W | 19dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF24G300HS-2STG | 900.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 125V | 표면 실장 | NI-780S-4L | 2.4GHz ~ 2.5GHz | GaN | NI-780S-4L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 568-MRF24G300HS-2STG | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 336W | 15.3dB | - | 48V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMZB370UNE,315 | - | ![]() | 3565 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XFDFN | MOSFET(금속) | DFN1006B-3 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 10,000 | N채널 | 30V | 900mA(타) | 1.8V, 4.5V | 490m옴 @ 500mA, 4.5V | 250μA에서 1.05V | 1.16nC @ 15V | ±8V | 25V에서 78pF | - | 360mW(Ta), 2.7W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7K134-100EX | - | ![]() | 1443 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-1205, 8-LFPAK56 | BUK7K134 | MOSFET(금속) | 32W | LFPAK56D | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N채널(듀얼) | 100V | 9.8A | 121m옴 @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | 10.5nC @ 10V | 25V에서 564pF | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMDXB550UNE,147 | 1.0000 | ![]() | 1879년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PMDXB550 | - | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP31,115 | 0.1700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | 1.3W | SOT-223 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,750 | 60V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 100mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7214-75B,118 | - | ![]() | 9154 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BUK72 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2PD1820AS,115 | 0.0300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,724 | 50V | 500mA | 10nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 30mA, 300mA | 170 @ 150mA, 10V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1102R,135 | - | ![]() | 4804 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 7V | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BF110 | 800MHz | MOSFET | 6-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934055823135 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | N채널 듀얼 모듈 | 40mA | 15mA | - | - | 2dB | 5V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T09VD250NR1 | 47.5929 | ![]() | 2461 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 105V | 표면 실장 | TO-270-6 변형, 플랫 리드 | A2T09 | 920MHz | LDMOS | TO-270WB-6A | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935320819528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 2개 | - | 1A | 65W | 22.5dB | - | 48V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG93A/X,215 | - | ![]() | 4423 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-253-4, TO-253AA | BFG93 | 300mW | SOT-143B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | - | 12V | 35mA | NPN | 40 @ 30mA, 5V | 6GHz | 1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC547C,116 | - | ![]() | 4767 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC54 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 400mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| MRFG35005MR5 | - | ![]() | 3403 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 15V | 표면 실장 | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | pHEMT FET | PLD-1.5 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 80mA | 4.5W | 11dB | - | 12V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG25A/X,215 | - | ![]() | 6277 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-253-4, TO-253AA | BFG25 | 32mW | SOT-143B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | - | 5V | 6.5mA | NPN | 50 @ 500μA, 1V | 5GHz | 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847CT,115 | - | ![]() | 2277 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-75, SOT-416 | BC84 | 150mW | SC-75 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 400mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHE13005,127 | - | ![]() | 8169 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PHE13 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PC1815GR,126 | - | ![]() | 1982년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 2PC18 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | NPN | 300mV @ 10mA, 100mA | 200 @ 2mA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN34UN,135 | - | ![]() | 2155 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-74, SOT-457 | PMN3 | MOSFET(금속) | SC-74 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | N채널 | 30V | 4.9A(Tc) | 1.8V, 4.5V | 46m옴 @ 2A, 4.5V | 700mV @ 1mA(표준) | 9.9nC @ 4.5V | ±8V | 25V에서 790pF | - | 1.75W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BSH202,215 | - | ![]() | 5824 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BSN2 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN3R5-80ES,127 | 1.4000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 튜브 | 활동적인 | PSMN3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMST6428,135 | 0.0200 | ![]() | 688 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100mA | 10nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 250 @ 100μA, 5V | 700MHz |

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