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![]() | CSD88537nd | 1.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | CSD88537 | MOSFET (금속 (() | 2.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 15a | 15mohm @ 8a, 10V | 3.6V @ 250µA | 18NC @ 10V | 1400pf @ 30V | - |
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