 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | CSD18541F5 | 0.4500 |  | 8 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | FemtoFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-SMD, 무연 | CSD18541 | MOSFET(금속) | 3-피코스타 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 2.2A(타) | 4.5V, 10V | 65m옴 @ 1A, 10V | 2.2V @ 250μA | 14nC @ 10V | ±20V | 30V에서 777pF | - | 500mW(타) | ||||
|  | CSD17579Q3A | 0.6000 |  | 42 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | CSD17579 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 20A(타) | 4.5V, 10V | 10.2m옴 @ 8A, 10V | 250μA에서 1.9V | 15nC @ 10V | ±20V | 15V에서 998pF | - | 3.2W(Ta), 29W(Tc) | ||||
|  | NTK3134NT1H | 0.0800 |  | 191 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-723 | NTK3134 | - | SOT-723 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8542.39.0001 | 4,000 | - | 890mA(타) | 1.5V, 4.5V | - | - | ±6V | - | - | |||||||
|  | CSD25402Q3A | 0.9200 |  | 53 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | CSD25402Q3 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(3x3.15) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 20V | 76A(티씨) | 1.8V, 4.5V | 8.9m옴 @ 10A, 4.5V | 250μA에서 1.15V | 9.7nC @ 4.5V | ±12V | 1790pF @ 10V | - | 2.8W(Ta), 69W(Tc) | ||||
|  | CSD25485F5T | 0.9800 |  | 2 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | FemtoFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XFDFN | CSD25485 | MOSFET(금속) | 3-피코스타 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | P채널 | 20V | 5.3A(타) | 1.8V, 8V | 35m옴 @ 900mA, 8V | 1.3V @ 250μA | 3.5nC @ 4.5V | -12V | 533pF @ 10V | - | 1.4W(타) | ||||
|  | CSD18534Q5AT | 1.2900 |  | 4 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD18534 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 60V | 50A(타) | 4.5V, 10V | 9.8m옴 @ 14A, 10V | 2.3V @ 250μA | 11.1nC @ 4.5V | ±20V | 30V에서 1770pF | - | 3.1W(Ta), 77W(Tc) | ||||
|  | CSD18510KTT | 2.5000 |  | 338 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | CSD18510 | MOSFET(금속) | DDPAK/TO-263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2(1년) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 40V | 274A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.7m옴 @ 100A, 10V | 2.3V @ 250μA | 153nC @ 10V | ±20V | 11400pF @ 20V | - | 250W(타) | ||||
|  | CSD17309Q3 | 1.1900 |  | 1 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17309 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(3.3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 20A(Ta), 60A(Tc) | 3V, 8V | 5.4m옴 @ 18A, 8V | 250μA에서 1.7V | 10nC @ 4.5V | +10V, -8V | 15V에서 1440pF | - | 2.8W(타) | ||||
|  | CSD18535KTT | 3.2800 |  | 482 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA | CSD18535 | MOSFET(금속) | DDPAK/TO-263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2(1년) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 60V | 200A(타) | 4.5V, 10V | 2m옴 @ 100A, 10V | 2.4V @ 250μA | 81nC @ 10V | ±20V | 30V에서 6620pF | - | 300W(Tc) | ||||
| CSD19536KCS | 4.9800 |  | 3 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | CSD19536 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 150A(타) | 6V, 10V | 2.7m옴 @ 100A, 10V | 250μA에서 3.2V | 153nC @ 10V | ±20V | 50V에서 12000pF | - | 375W(Tc) | |||||
|  | CSD18542KTT | 2.6600 |  | 153 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA | CSD18542 | MOSFET(금속) | DDPAK/TO-263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2(1년) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 60V | 200A(타) | 4.5V, 10V | 4m옴 @ 100A, 10V | 2.2V @ 250μA | 57nC @ 10V | ±20V | 5070pF @ 30V | - | 250W(Tc) | ||||
|  | TPS1100D | 1.8100 |  | 369 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | - | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | TPS1100 | MOSFET(금속) | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 75 | P채널 | 15V | 1.6A(타) | 2.7V, 10V | 180m옴 @ 1.5A, 10V | 250μA에서 1.5V | 5.45nC @ 10V | +2V, -15V | - | 791mW(타) | |||||
|  | CSD87384MT | 2.1400 |  | 822 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 5-LGA | CSD87384 | MOSFET(금속) | 8W | 5-PTAB(5x3.5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 N 채널(하프 다리) | 30V | 30A | 7.7m옴 @ 25A, 8V | 250μA에서 1.9V | 9.2nC @ 4.5V | 1150pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | ||||||
|  | CSD88539ND | 0.9100 |  | 7 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | CSD88539 | MOSFET(금속) | 2.1W | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 60V | 15A | 28m옴 @ 5A, 10V | 3.6V @ 250μA | 9.4nC @ 10V | 30V에서 741pF | - | ||||||
|  | CSD17556Q5BT | 3.0000 |  | 442 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17556 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 30V | 100A(타) | 4.5V, 10V | 1.4m옴 @ 40A, 10V | 250μA에서 1.65V | 39nC @ 4.5V | ±20V | 7020pF @ 15V | - | 3.1W(Ta), 191W(Tc) | ||||
|  | CSD18502Q5BT | 2.7900 |  | 341 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD18502 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 40V | 100A(타) | 4.5V, 10V | 2.3m옴 @ 30A, 10V | 2.2V @ 250μA | 33nC @ 4.5V | ±20V | 5070pF @ 20V | - | 3.2W(Ta), 156W(Tc) | ||||
|  | CSD16340Q3T | 1.4300 |  | 2 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16340 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(3.3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 25V | 60A(Tc) | 2.5V, 8V | 4.5m옴 @ 20A, 8V | 1.1V @ 250μA | 9.2nC @ 4.5V | +10V, -8V | 1350pF @ 12.5V | - | 3W(타) | ||||
|  | CSD18502Q5B | 2.6200 |  | 7 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD18502 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 26A(Ta), 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.3m옴 @ 30A, 10V | 2.2V @ 250μA | 68nC @ 10V | ±20V | 5070pF @ 20V | - | 3.2W(Ta), 156W(Tc) | ||||
|  | CSD16415Q5 | 2.4900 |  | 2 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16415 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 25V | 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.15m옴 @ 40A, 10V | 250μA에서 1.9V | 29nC @ 4.5V | +16V, -12V | 12.5V에서 4100pF | - | 3.2W(타) | ||||
|  | TPIC5421LDW | 1.5400 |  | 7807 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | |||||||||||||||||||||
|  | CSD13202Q2 | 0.5800 |  | 14 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-WDFN옆패드 | CSD13202 | MOSFET(금속) | 6-WSON(2x2) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 12V | 22A(타) | 2.5V, 4.5V | 9.3m옴 @ 5A, 4.5V | 1.1V @ 250μA | 6.6nC @ 4.5V | ±8V | 6V에서 997pF | - | 2.7W(타) | ||||
|  | CSD17506Q5A | 1.6900 |  | 1 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17506 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 4m옴 @ 20A, 10V | 250μA에서 1.8V | 11nC @ 4.5V | ±20V | 15V에서 1650pF | - | 3.2W(타) | ||||
|  | CSD19538Q3AT | 1.8700 |  | 4221 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | CSD19538 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 100V | 15A(타) | 6V, 10V | 59m옴 @ 5A, 10V | 3.8V @ 250μA | 4.3nC @ 10V | ±20V | 50V에서 454pF | - | 2.8W(Ta), 23W(Tc) | ||||
|  | CSD17505Q5A | 1.7400 |  | 1 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17505 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 24A(Ta), 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.5m옴 @ 20A, 10V | 250μA에서 1.8V | 13nC @ 4.5V | ±20V | 1980pF @ 15V | - | 3.2W(타) | ||||
|  | CSD16411Q3T | - |  | 1656년 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16411 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(3.3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 296-CSD16411Q3T | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 25V | 50A(Tc) | 4.5V, 10V | 10m옴 @ 10A, 10V | 2.3V @ 250μA | 3.8nC @ 4.5V | +16V, -12V | 12.5V에서 570pF | - | 35W(Tc) | ||||
|  | CSD25483F4T | 0.9400 |  | 2 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | FemtoFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XFDFN | CSD25483 | MOSFET(금속) | 3-피코스타 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | P채널 | 20V | 1.6A(타) | 1.8V, 4.5V | 205m옴 @ 500mA, 8V | 1.2V @ 250μA | 0.96nC @ 4.5V | -12V | 10V에서 198pF | - | 500mW(타) | ||||
|  | CSD16414Q5 | 2.0900 |  | 2 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16414 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 25V | 34A(Ta), 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.9m옴 @ 30A, 10V | 2V @ 250μA | 21nC @ 4.5V | +16V, -12V | 12.5V에서 3650pF | - | 3.2W(타) | ||||
|  | CSD19536KTT | 5.0600 |  | 923 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA | CSD19536 | MOSFET(금속) | DDPAK/TO-263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2(1년) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 100V | 200A(타) | 6V, 10V | 2.4m옴 @ 100A, 10V | 250μA에서 3.2V | 153nC @ 10V | ±20V | 50V에서 12000pF | - | 375W(Tc) | ||||
|  | CSD13202Q2T | - |  | 7046 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-WDFN옆패드 | CSD13202 | MOSFET(금속) | 6-WSON(2x2) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 296-CSD13202Q2T | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 12V | 14.4A(타) | 2.5V, 4.5V | 9.3m옴 @ 5A, 4.5V | 1.1V @ 250μA | 6.6nC @ 4.5V | ±8V | 6V에서 997pF | - | 2.7W(타) | ||||
|  | CSD88599Q5DCT | 5.0100 |  | 97 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 22-전력TFDFN | CSD88599Q5 | MOSFET(금속) | 12W | 22-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 N 채널(하프 다리) | 60V | - | 2.1m옴 @ 30A, 10V | 2.5V @ 250μA | 27nC @ 4.5V | 4840pF @ 30V | - | 

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