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트랜지스터(427)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 출력(V(BR)GSS) - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 소스 소스(Id) - 최대
CSD87312Q3E Texas Instruments CSD87312Q3E 1.6400
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD87312Q3 MOSFET(금속) 2.5W 8-VSON(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(이중) 둘째 소스 30V 27A 33m옴 @ 7A, 8V 1.3V @ 250μA 8.2nC @ 4.5V 1250pF @ 15V 게임 레벨 레벨
CSD13306WT Texas Instruments CSD13306WT 1.0900
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 ECAD 930 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFBGA, DSBGA CSD13306 MOSFET(금속) 6-DSBGA(1x1.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 12V 3.5A(타) 2.5V, 4.5V 10.2m옴 @ 1.5A, 4.5V 1.3V @ 250μA 11.2nC @ 4.5V ±10V 6V에서 1370pF - 1.9W(타)
EFC4C002NLTDG Texas Instruments EFC4C002NLTDG 1.0000
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 ECAD 5976 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-XFBGA, WLCSP EFC4C002 MOSFET(금속) 2.6W 8-WLCSP(6x2.5) 다운로드 0000.00.0000 1 2 N채널(이중) 시작 - - - 2.2V @ 1mA 45nC @ 4.5V 6200pF @ 15V 게임 레벨 레벨
CSD25304W1015T Texas Instruments CSD25304W1015T 1.1100
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 ECAD 982 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFBGA, DSBGA CSD25304W1015 MOSFET(금속) 6-DSBGA(1x1.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 250 P채널 20V 3A(타) 1.8V, 4.5V 32.5m옴 @ 1.5A, 4.5V 250μA에서 1.15V 4.4nC @ 4.5V ±8V 10V에서 595pF - 750mW(타)
TPIC5302D Texas Instruments TPIC5302D 1.2000
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 ECAD 969 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1
CSD25304W1015 Texas Instruments CSD25304W1015 0.5000
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 ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFBGA, DSBGA CSD25304 MOSFET(금속) 6-DSBGA(1x1.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 3A(타) 1.8V, 4.5V 32.5m옴 @ 1.5A, 4.5V 250μA에서 1.15V 4.4nC @ 4.5V ±8V 10V에서 595pF - 750mW(타)
TPIC5621LDW Texas Instruments TPIC5621LDW 2.0300
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 ECAD 290 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1
CSD88537NDT Texas Instruments CSD88537NDT 1.6600
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 ECAD 5 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) CSD88537 MOSFET(금속) 2.1W 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 2 N채널(듀얼) 60V 15A 15m옴 @ 8A, 10V 3.6V @ 250μA 18nC @ 10V 30V에서 1400pF -
CSD18543Q3A Texas Instruments CSD18543Q3A 0.9600
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 ECAD 5344 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN CSD18543 MOSFET(금속) 8-VSONP(3x3.15) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 60A(Tc) 4.5V, 10V 9.9m옴 @ 12A, 10V 2.7V @ 250μA 14.5nC @ 10V ±20V 30V에서 1150pF 기준 66W(Tc)
CSD13201W10 Texas Instruments CSD13201W10 0.5000
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 ECAD 49 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 4-UFBGA, DSBGA CSD13201 MOSFET(금속) 4-DSBGA(1x1) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 12V 1.6A(타) 1.8V, 4.5V 34m옴 @ 1A, 4.5V 1.1V @ 250μA 2.9nC @ 4.5V ±8V 6V에서 462pF - 1.2W(타)
CSD87313DMS Texas Instruments CSD87313DMS 0.8236
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 ECAD 9807 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-파워WDFN CSD87313 MOSFET(금속) 8-WSON(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(이중) 시작 30V - - 250μA에서 1.25V 28nC @ 4.5V 4290pF @ 15V -
CSD85301Q2T Texas Instruments CSD85301Q2T 1.1300
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 ECAD 6130 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 CSD85301 MOSFET(금속) 2.3W 6-WSON(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 2 N채널(듀얼) 20V 5A 27m옴 @ 5A, 4.5V 1.2V @ 250μA 5.4nC @ 4.5V 469pF @ 10V 레벨 레벨 컨트롤러, 5V 드라이브
CPH3448-TL-W Texas Instruments CPH3448-TL-W -
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 ECAD 4744 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-96 MOSFET(금속) 3-CPH 다운로드 0000.00.0000 1 N채널 30V 4A(타) 1.8V, 4.5V 50m옴 @ 2A, 4.5V - 4.7nC @ 4.5V ±12V 10V에서 430pF - 1W(타)
CSD87588NT Texas Instruments CSD87588NT 1.6600
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 ECAD 4 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 5-LGA CSD87588 MOSFET(금속) 6W 5-PTAB(5x3.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 2 N 채널(하프 다리) 30V 25A 9.6m옴 @ 15A, 10V 250μA에서 1.9V 4.1nC @ 4.5V 736pF @ 15V 게임 레벨 레벨
CSD85302L Texas Instruments CSD85302L 0.6300
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 ECAD 8 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 4-XFLGA CSD85302 MOSFET(금속) 1.7W 4-피코스타(1.31x1.31) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(이중) 시작 - - - - 7.8nC @ 4.5V - -
SN74ACT202LA15NP Texas Instruments SN74ACT202LA15NP -
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 ECAD 1750년 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 74ACT202 - 0000.00.0000 1
CSD18533Q5A Texas Instruments CSD18533Q5A 1.5100
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 ECAD 9 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18533 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 17A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 5.9m옴 @ 18A, 10V 2.3V @ 250μA 36nC @ 10V ±20V 30V에서 2750pF - 3.2W(Ta), 116W(Tc)
JFE150DCKR Texas Instruments JFE150DCKR 2.8300
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 ECAD 7 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 125°C(타) 표면 실장 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 JFE150 SC-70-5 다운로드 해당 없음 1(무제한) EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 24pF @ 5V 40V 10V에서 24mA 1.5V @ 0.1μA 50mA
CSD83325LT Texas Instruments CSD83325LT 1.2300
보상요청
 ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-XFBGA CSD83325 MOSFET(금속) 2.3W 6-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 2 N채널(이중) 시작 12V - - 250μA에서 1.25V 10.9nC @ 4.5V - -
CSD17507Q5AT Texas Instruments CSD17507Q5AT 0.6216
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 ECAD 5366 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17507 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) - 해당 없음 1(무제한) 296-CSD17507Q5ATTR EAR99 8541.29.0095 250 N채널 30V 13A(Ta), 65A(Tc) 4.5V, 10V 10.8m옴 @ 11A, 10V 2.1V @ 250μA 3.6nC @ 4.5V ±20V 15V에서 530pF - 3W(타)
CSD23382F4 Texas Instruments CSD23382F4 0.4700
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 ECAD 74 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD23382 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 12V 3.5A(타) 1.8V, 4.5V 76m옴 @ 500mA, 4.5V 1.1V @ 250μA 1.35nC @ 6V ±8V 6V에서 235pF - 500mW(타)
CSD18511KTT Texas Instruments CSD18511KTT 1.6400
보상요청
 ECAD 490 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB CSD18511 MOSFET(금속) DDPAK/TO-263-3 다운로드 ROHS3 준수 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 40V 194A(타) 4.5V, 10V 2.6m옴 @ 100A, 10V 2.4V @ 250μA 64nC @ 10V ±20V 5940pF @ 20V - 188W(타)
CSD17310Q5A Texas Instruments CSD17310Q5A 0.9500
보상요청
 ECAD 30 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17310 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 21A(Ta), 100A(Tc) 3V, 8V 5.1m옴 @ 20A, 8V 250μA에서 1.8V 11.6nC @ 4.5V +10V, -8V 1560pF @ 15V - 3.1W(타)
CSD18537NQ5AT Texas Instruments CSD18537NQ5AT 1.1000
보상요청
 ECAD 4 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18537 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 60V 50A(Tc) 6V, 10V 13m옴 @ 12A, 10V 3.5V @ 250μA 18nC @ 10V ±20V 30V에서 1480pF - 3.2W(Ta), 75W(Tc)
LM395T Texas Instruments LM395T 5.2500
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 ECAD 42 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 0°C ~ 125°C(타) 스루홀 TO-220-3 LM395 TO-220-3 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 45 36V 2.2A - NPN - - -
SN75468N-A Texas Instruments SN75468N-A -
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 ECAD 2192 0.00000000 인버터 인스트루먼트 SN7546x 대부분 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) SN75468 - 16-PDIP - ROHS3 준수 296-SN75468N-A 1 100V 500mA - - 1.6V @ 500μA, 350mA - -
TPIC5223LD Texas Instruments TPIC5223LD 1.0400
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 ECAD 1 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.21.0095 1
CSD17510Q5A Texas Instruments CSD17510Q5A 1.2100
보상요청
 ECAD 4 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17510 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 20A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 5.2m옴 @ 20A, 10V 2.1V @ 250μA 8.3nC @ 4.5V ±20V 15V에서 1250pF - 3W(타)
CSD17551Q5A Texas Instruments CSD17551Q5A 1.0000
보상요청
 ECAD 13 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17551 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 48A(TC) 4.5V, 10V 8.8m옴 @ 11A, 10V 2.2V @ 250μA 7.2nC @ 4.5V ±20V 15V에서 1272pF - 3W(타)
CSD17302Q5A Texas Instruments CSD17302Q5A 1.0200
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 ECAD 7250 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17302 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 16A(타), 87A(Tc) 3V, 8V 7.9m옴 @ 14A, 8V 250μA에서 1.7V 7nC @ 4.5V +10V, -8V 15V에서 950pF - 3W(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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