 
       | 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | CSD16340Q3 | 1.2000 |  | 25 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16340 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(3.3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 25V | 21A(타), 60A(Tc) | 2.5V, 8V | 4.5m옴 @ 20A, 8V | 1.1V @ 250μA | 9.2nC @ 4.5V | +10V, -8V | 1350pF @ 12.5V | - | 3W(타) | |||
|  | CSD17327Q5A | 0.4292 |  | 5973 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17327 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 65A(Tc) | 4.5V, 8V | 12.2m옴 @ 11A, 8V | 2V @ 250μA | 3.4nC @ 4.5V | ±10V | 15V에서 506pF | - | 3W(타) | |||
|  | CSD16408Q5 | 0.6424 |  | 9150 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16408 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 25V | 22A(Ta), 113A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.5m옴 @ 25A, 10V | 2.1V @ 250μA | 8.9nC @ 4.5V | +16V, -12V | 1300pF @ 12.5V | - | 3.1W(타) | |||
|  | CSD18540Q5B | 2.6700 |  | 3 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD18540 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 60V | 100A(타) | 4.5V, 10V | 2.2m옴 @ 28A, 10V | 2.3V @ 250μA | 53nC @ 10V | ±20V | 30V에서 4230pF | - | 3.1W(Ta), 195W(Tc) | |||
|  | CSD19531Q5AT | 2.1400 |  | 7 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD19531 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 100V | 100A(타) | 6V, 10V | 6.4m옴 @ 16A, 10V | 3.3V @ 250μA | 48nC @ 10V | ±20V | 50V에서 3870pF | - | 3.3W(Ta), 125W(Tc) | |||
|  | CSD18510Q5BT | 2.7700 |  | 204 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD18510 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 40V | 300A(Tc) | 4.5V, 10V | 0.96m옴 @ 32A, 10V | 2.3V @ 250μA | 153nC @ 10V | ±20V | 11400pF @ 20V | - | 156W(Tc) | |||
|  | TPIC1502DW | - |  | 1602 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 24-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | TPIC15 | MOSFET(금속) | 2.86W | 24-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | 20V | 1.5A | 300m옴 @ 1.5A, 10V | 2.2V @ 1mA | 2.1nC @ 10V | 98pF @ 14V | 게임 레벨 레벨 | |||||
|  | CSD19534Q5A | 1.0500 |  | 113 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD19534 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 44A(Tc) | 6V, 10V | 15.1m옴 @ 10A, 10V | 250μA에서 3.4V | 22nC @ 10V | ±20V | 50V에서 1680pF | - | 3.2W(Ta), 63W(Tc) | |||
| CSD19535KCS | 3.4500 |  | 1 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | CSD19535 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 150A(타) | 6V, 10V | 3.6m옴 @ 100A, 10V | 250μA에서 3.4V | 101nC @ 10V | ±20V | 50V에서 7930pF | - | 300W(Tc) | ||||
|  | CSD25301W1015 | - |  | 7649 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-UFBGA, DSBGA | CSD2530 | MOSFET(금속) | 6-DSBGA(1x1.5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 2.2A(Tc) | 1.5V, 4.5V | 75m옴 @ 1A, 4.5V | 1V @ 250μA | 2.5nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 270pF | - | 1.5W(타) | |||
|  | CSD13383F4T | 0.9100 |  | 5 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | FemtoFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XFDFN | CSD13383F4 | MOSFET(금속) | 3-피코스타 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | N채널 | 12V | 2.9A(타) | 2.5V, 4.5V | 44m옴 @ 500mA, 4.5V | 250μA에서 1.25V | 2.6nC @ 4.5V | ±10V | 6V에서 291pF | - | 500mW(타) | |||
|  | CSD75204W15 | - |  | 1422 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 9-UFBGA, DSBGA | CSD75204 | MOSFET(금속) | 700mW | 9-DSBGA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P채널(듀얼) | - | 3A | - | 250μA에서 900mV | 3.9nC @ 4.5V | 410pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||
|  | CSD22204W | 0.6500 |  | 3 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 9-UFBGA, DSBGA | CSD22204 | MOSFET(금속) | 9-DSBGA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 8V | 5A(타) | 2.5V, 4.5V | 9.9m옴 @ 2A, 4.5V | 250μA에서 950mV | 24.6nC @ 4.5V | -6V | 4V에서 1130pF | - | 1.7W(타) | |||
|  | CSD17527Q5A | 1.1700 |  | 13 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17527 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 65A(Tc) | 4.5V, 10V | 10.8m옴 @ 11A, 10V | 2V @ 250μA | 3.4nC @ 4.5V | ±20V | 15V에서 506pF | - | 3W(타) | |||
|  | CSD25302Q2 | - |  | 4281 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-SMD, 플랫 리드 | CSD2530 | MOSFET(금속) | 6-SON | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 5A(Tc) | 1.8V, 4.5V | 49m옴 @ 3A, 4.5V | 250μA에서 900mV | 3.4nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 350pF | - | 2.4W(타) | |||
|  | CSD13385F5T | 0.9600 |  | 23 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | FemtoFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-SMD, 무연 | CSD13385 | MOSFET(금속) | 3-피코스타 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | N채널 | 12V | 4.3A(타) | 1.8V, 4.5V | 19m옴 @ 900mA, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 5nC @ 4.5V | 8V | 674pF @ 6V | - | 500mW(타) | |||
|  | CSD17585F5 | 0.4900 |  | 88 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | FemtoFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-SMD, 무연 | CSD17585 | MOSFET(금속) | 3-피코스타 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 5.9A(타) | 4.5V, 10V | 27m옴 @ 900mA, 10V | 250μA에서 1.7V | 5.1nC @ 10V | 20V | 15V에서 380pF | - | 500mW(타) | |||
|  | CSD23382F4T | 0.8800 |  | 4 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | FemtoFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XFDFN | CSD23382 | MOSFET(금속) | 3-피코스타 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | P채널 | 12V | 3.5A(타) | 1.8V, 4.5V | 76m옴 @ 500mA, 4.5V | 1.1V @ 250μA | 1.35nC @ 4.5V | ±8V | 6V에서 235pF | - | 500mW(타) | |||
|  | CSD25483F4 | 0.4300 |  | 8 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XFDFN | CSD25483 | MOSFET(금속) | 3-피코스타 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 1.6A(타) | 1.8V, 4.5V | 205m옴 @ 500mA, 8V | 1.2V @ 250μA | 0.959nC @ 4.5V | -12V | 10V에서 198pF | - | 500mW(타) | |||
|  | CSD18510KCS | 2.2300 |  | 3 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | CSD18510 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 200A(타) | 4.5V, 10V | 1.7m옴 @ 100A, 10V | 2.3V @ 250μA | 75nC @ 4.5V | ±20V | 11400pF @ 20V | - | 250W(타) | |||
| TPS1101PWR | 0.9823 |  | 9062 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 16-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | TPS1101 | MOSFET(금속) | 16-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | P채널 | 15V | 2.18A(타) | 2.7V, 10V | 90m옴 @ 2.5A, 10V | 250μA에서 1.5V | 11.25nC @ 10V | +2V, -15V | - | 710mW(타) | |||||
|  | CSD18536KTT | 4.8700 |  | 3392 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA | CSD18536 | MOSFET(금속) | DDPAK/TO-263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2(1년) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 60V | 200A(타) | 4.5V, 10V | 1.6m옴 @ 100A, 10V | 2.2V @ 250μA | 140nC @ 10V | ±20V | 30V에서 11430pF | - | 375W(Tc) | |||
|  | CSD87350Q5D | 2.7500 |  | 14 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerLDFN | CSD87350Q5 | MOSFET(금속) | 12W | 8-LSON(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 30V | 40A | 5.9m옴 @ 20A, 8V | 2.1V @ 250μA | 10.9nC @ 4.5V | 1770pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | |||||
|  | CSD16406Q3 | 1.1700 |  | 8 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16406 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(3.3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 25V | 19A(타), 60A(Tc) | 4.5V, 10V | 5.3m옴 @ 20A, 10V | 2.2V @ 250μA | 8.1nC @ 4.5V | +16V, -12V | 12.5V에서 1100pF | - | 2.7W(타) | |||
|  | CSD17577Q5A | 0.8200 |  | 8 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17577 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 60A(타) | 4.5V, 10V | 4.2m옴 @ 18A, 10V | 250μA에서 1.8V | 35nC @ 10V | ±20V | 15V에서 2310pF | - | 3W(Ta), 53W(Tc) | |||
|  | CSD25202W15T | 1.2800 |  | 1 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 9-UFBGA, DSBGA | CSD25202W15 | MOSFET(금속) | 9-DSBGA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | P채널 | 20V | 4A(타) | 1.8V, 4.5V | 26m옴 @ 2A, 4.5V | 250μA에서 1.05V | 7.5nC @ 4.5V | -6V | 1010pF @ 10V | - | 500mW(타) | |||
|  | CSD16321Q5C | 1.9800 |  | 5 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD1632 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 25V | 31A(Ta), 100A(Tc) | 3V, 8V | 2.4m옴 @ 25A, 8V | 250μA에서 1.4V | 19nC @ 4.5V | +10V, -8V | 12.5V에서 3100pF | - | 3.1W(타) | |||
|  | CSD19536KTTT | 6.0500 |  | 468 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA | CSD19536 | MOSFET(금속) | DDPAK/TO-263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2(1년) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 200A(타) | 6V, 10V | 2.4m옴 @ 100A, 10V | 250μA에서 3.2V | 153nC @ 10V | ±20V | 50V에서 12000pF | - | 375W(Tc) | |||
|  | CSD23201W10 | - |  | 1128 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 4-UFBGA, DSBGA | CSD232 | MOSFET(금속) | 4-DSBGA(1x1) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 12V | 2.2A(Tc) | 1.5V, 4.5V | 82m옴 @ 500mA, 4.5V | 1V @ 250μA | 2.4nC @ 4.5V | -6V | 6V에서 325pF | - | 1W(타) | |||
|  | CSD18537NQ5A | 0.9200 |  | 21 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD18537 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 60V | 50A(Tc) | 6V, 10V | 13m옴 @ 12A, 10V | 3.5V @ 250μA | 18nC @ 10V | ±20V | 30V에서 1480pF | - | 3.2W(Ta), 75W(Tc) | 

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