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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대)
CSD16340Q3 Texas Instruments CSD16340Q3 1.2000
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ECAD 25 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16340 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 21A(타), 60A(Tc) 2.5V, 8V 4.5m옴 @ 20A, 8V 1.1V @ 250μA 9.2nC @ 4.5V +10V, -8V 1350pF @ 12.5V - 3W(타)
CSD17327Q5A Texas Instruments CSD17327Q5A 0.4292
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ECAD 5973 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17327 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 65A(Tc) 4.5V, 8V 12.2m옴 @ 11A, 8V 2V @ 250μA 3.4nC @ 4.5V ±10V 15V에서 506pF - 3W(타)
CSD16408Q5 Texas Instruments CSD16408Q5 0.6424
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ECAD 9150 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16408 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 22A(Ta), 113A(Tc) 4.5V, 10V 4.5m옴 @ 25A, 10V 2.1V @ 250μA 8.9nC @ 4.5V +16V, -12V 1300pF @ 12.5V - 3.1W(타)
CSD18540Q5B Texas Instruments CSD18540Q5B 2.6700
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ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18540 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 100A(타) 4.5V, 10V 2.2m옴 @ 28A, 10V 2.3V @ 250μA 53nC @ 10V ±20V 30V에서 4230pF - 3.1W(Ta), 195W(Tc)
CSD19531Q5AT Texas Instruments CSD19531Q5AT 2.1400
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ECAD 7 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD19531 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 100V 100A(타) 6V, 10V 6.4m옴 @ 16A, 10V 3.3V @ 250μA 48nC @ 10V ±20V 50V에서 3870pF - 3.3W(Ta), 125W(Tc)
CSD18510Q5BT Texas Instruments CSD18510Q5BT 2.7700
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ECAD 204 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18510 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 40V 300A(Tc) 4.5V, 10V 0.96m옴 @ 32A, 10V 2.3V @ 250μA 153nC @ 10V ±20V 11400pF @ 20V - 156W(Tc)
TPIC1502DW Texas Instruments TPIC1502DW -
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ECAD 1602 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 24-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) TPIC15 MOSFET(금속) 2.86W 24-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 - 20V 1.5A 300m옴 @ 1.5A, 10V 2.2V @ 1mA 2.1nC @ 10V 98pF @ 14V 게임 레벨 레벨
CSD19534Q5A Texas Instruments CSD19534Q5A 1.0500
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ECAD 113 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD19534 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 44A(Tc) 6V, 10V 15.1m옴 @ 10A, 10V 250μA에서 3.4V 22nC @ 10V ±20V 50V에서 1680pF - 3.2W(Ta), 63W(Tc)
CSD19535KCS Texas Instruments CSD19535KCS 3.4500
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ECAD 1 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD19535 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 150A(타) 6V, 10V 3.6m옴 @ 100A, 10V 250μA에서 3.4V 101nC @ 10V ±20V 50V에서 7930pF - 300W(Tc)
CSD25301W1015 Texas Instruments CSD25301W1015 -
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ECAD 7649 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFBGA, DSBGA CSD2530 MOSFET(금속) 6-DSBGA(1x1.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 2.2A(Tc) 1.5V, 4.5V 75m옴 @ 1A, 4.5V 1V @ 250μA 2.5nC @ 4.5V ±8V 10V에서 270pF - 1.5W(타)
CSD13383F4T Texas Instruments CSD13383F4T 0.9100
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ECAD 5 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD13383F4 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 250 N채널 12V 2.9A(타) 2.5V, 4.5V 44m옴 @ 500mA, 4.5V 250μA에서 1.25V 2.6nC @ 4.5V ±10V 6V에서 291pF - 500mW(타)
CSD75204W15 Texas Instruments CSD75204W15 -
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ECAD 1422 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 9-UFBGA, DSBGA CSD75204 MOSFET(금속) 700mW 9-DSBGA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) - 3A - 250μA에서 900mV 3.9nC @ 4.5V 410pF @ 10V 게임 레벨 레벨
CSD22204W Texas Instruments CSD22204W 0.6500
보상요청
ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 9-UFBGA, DSBGA CSD22204 MOSFET(금속) 9-DSBGA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 8V 5A(타) 2.5V, 4.5V 9.9m옴 @ 2A, 4.5V 250μA에서 950mV 24.6nC @ 4.5V -6V 4V에서 1130pF - 1.7W(타)
CSD17527Q5A Texas Instruments CSD17527Q5A 1.1700
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ECAD 13 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17527 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 65A(Tc) 4.5V, 10V 10.8m옴 @ 11A, 10V 2V @ 250μA 3.4nC @ 4.5V ±20V 15V에서 506pF - 3W(타)
CSD25302Q2 Texas Instruments CSD25302Q2 -
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ECAD 4281 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 CSD2530 MOSFET(금속) 6-SON 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 5A(Tc) 1.8V, 4.5V 49m옴 @ 3A, 4.5V 250μA에서 900mV 3.4nC @ 4.5V ±8V 10V에서 350pF - 2.4W(타)
CSD13385F5T Texas Instruments CSD13385F5T 0.9600
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ECAD 23 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 무연 CSD13385 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 250 N채널 12V 4.3A(타) 1.8V, 4.5V 19m옴 @ 900mA, 4.5V 1.2V @ 250μA 5nC @ 4.5V 8V 674pF @ 6V - 500mW(타)
CSD17585F5 Texas Instruments CSD17585F5 0.4900
보상요청
ECAD 88 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 무연 CSD17585 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 5.9A(타) 4.5V, 10V 27m옴 @ 900mA, 10V 250μA에서 1.7V 5.1nC @ 10V 20V 15V에서 380pF - 500mW(타)
CSD23382F4T Texas Instruments CSD23382F4T 0.8800
보상요청
ECAD 4 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD23382 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 250 P채널 12V 3.5A(타) 1.8V, 4.5V 76m옴 @ 500mA, 4.5V 1.1V @ 250μA 1.35nC @ 4.5V ±8V 6V에서 235pF - 500mW(타)
CSD25483F4 Texas Instruments CSD25483F4 0.4300
보상요청
ECAD 8 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD25483 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 1.6A(타) 1.8V, 4.5V 205m옴 @ 500mA, 8V 1.2V @ 250μA 0.959nC @ 4.5V -12V 10V에서 198pF - 500mW(타)
CSD18510KCS Texas Instruments CSD18510KCS 2.2300
보상요청
ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD18510 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 200A(타) 4.5V, 10V 1.7m옴 @ 100A, 10V 2.3V @ 250μA 75nC @ 4.5V ±20V 11400pF @ 20V - 250W(타)
TPS1101PWR Texas Instruments TPS1101PWR 0.9823
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ECAD 9062 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 16-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) TPS1101 MOSFET(금속) 16-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 P채널 15V 2.18A(타) 2.7V, 10V 90m옴 @ 2.5A, 10V 250μA에서 1.5V 11.25nC @ 10V +2V, -15V - 710mW(타)
CSD18536KTT Texas Instruments CSD18536KTT 4.8700
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ECAD 3392 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA CSD18536 MOSFET(금속) DDPAK/TO-263-3 다운로드 ROHS3 준수 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 60V 200A(타) 4.5V, 10V 1.6m옴 @ 100A, 10V 2.2V @ 250μA 140nC @ 10V ±20V 30V에서 11430pF - 375W(Tc)
CSD87350Q5D Texas Instruments CSD87350Q5D 2.7500
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ECAD 14 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN CSD87350Q5 MOSFET(금속) 12W 8-LSON(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 30V 40A 5.9m옴 @ 20A, 8V 2.1V @ 250μA 10.9nC @ 4.5V 1770pF @ 15V 게임 레벨 레벨
CSD16406Q3 Texas Instruments CSD16406Q3 1.1700
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ECAD 8 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16406 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 19A(타), 60A(Tc) 4.5V, 10V 5.3m옴 @ 20A, 10V 2.2V @ 250μA 8.1nC @ 4.5V +16V, -12V 12.5V에서 1100pF - 2.7W(타)
CSD17577Q5A Texas Instruments CSD17577Q5A 0.8200
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ECAD 8 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17577 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 60A(타) 4.5V, 10V 4.2m옴 @ 18A, 10V 250μA에서 1.8V 35nC @ 10V ±20V 15V에서 2310pF - 3W(Ta), 53W(Tc)
CSD25202W15T Texas Instruments CSD25202W15T 1.2800
보상요청
ECAD 1 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 9-UFBGA, DSBGA CSD25202W15 MOSFET(금속) 9-DSBGA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 P채널 20V 4A(타) 1.8V, 4.5V 26m옴 @ 2A, 4.5V 250μA에서 1.05V 7.5nC @ 4.5V -6V 1010pF @ 10V - 500mW(타)
CSD16321Q5C Texas Instruments CSD16321Q5C 1.9800
보상요청
ECAD 5 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD1632 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 31A(Ta), 100A(Tc) 3V, 8V 2.4m옴 @ 25A, 8V 250μA에서 1.4V 19nC @ 4.5V +10V, -8V 12.5V에서 3100pF - 3.1W(타)
CSD19536KTTT Texas Instruments CSD19536KTTT 6.0500
보상요청
ECAD 468 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA CSD19536 MOSFET(금속) DDPAK/TO-263-3 다운로드 ROHS3 준수 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 200A(타) 6V, 10V 2.4m옴 @ 100A, 10V 250μA에서 3.2V 153nC @ 10V ±20V 50V에서 12000pF - 375W(Tc)
CSD23201W10 Texas Instruments CSD23201W10 -
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ECAD 1128 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 4-UFBGA, DSBGA CSD232 MOSFET(금속) 4-DSBGA(1x1) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 12V 2.2A(Tc) 1.5V, 4.5V 82m옴 @ 500mA, 4.5V 1V @ 250μA 2.4nC @ 4.5V -6V 6V에서 325pF - 1W(타)
CSD18537NQ5A Texas Instruments CSD18537NQ5A 0.9200
보상요청
ECAD 21 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18537 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 50A(Tc) 6V, 10V 13m옴 @ 12A, 10V 3.5V @ 250μA 18nC @ 10V ±20V 30V에서 1480pF - 3.2W(Ta), 75W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고