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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CSD25202W15T | 1.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 9-UFBGA, DSBGA | CSD25202W15 | MOSFET (금속 (() | 9-DSBGA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | p 채널 | 20 v | 4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 26mohm @ 2a, 4.5v | 1.05V @ 250µA | 7.5 NC @ 4.5 v | -6V | 1010 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||
![]() | CSD23201W10 | - | ![]() | 1128 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-UFBGA, DSBGA | CSD232 | MOSFET (금속 (() | 4-DSBGA (1x1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 2.2A (TC) | 1.5V, 4.5V | 82mohm @ 500ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 2.4 NC @ 4.5 v | -6V | 325 pf @ 6 v | - | 1W (TA) | |||||||||||
![]() | CSD17313Q2 | 0.6600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | CSD17313 | MOSFET (금속 (() | 6- 웨슨 (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 5A (TC) | 3V, 8V | 30mohm @ 4a, 8v | 1.8V @ 250µA | 2.7 NC @ 4.5 v | +10V, -8V | 340 pf @ 15 v | - | 2.3W (TA) | |||||||||||
![]() | CSD18563Q5AT | 1.6000 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD18563 | MOSFET (금속 (() | 8-vsonp (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | n 채널 | 60 v | 100A (TA) | 4.5V, 10V | 6.8mohm @ 18a, 10V | 2.4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 1500 pf @ 30 v | - | 3.2W (TA), 116W (TC) | |||||||||||
![]() | CSD86356Q5D | 1.0929 | ![]() | 4380 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD86356 | MOSFET (금속 (() | 12W (TA) | 8-vson-clip (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널 교량) | 25V | 40A (TA) | 4.5mohm @ 20a, 5v, 0.8mohm @ 20a, 5v | 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA | 7.9nc @ 4.5v, 19.3nc @ 4.5v | 1040pf @ 12.5v, 2510pf @ 12.5v | 로직 로직 게이트, 5V 드라이브 | |||||||||||||
![]() | CSD16407Q5C | - | ![]() | 7851 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD164 | MOSFET (금속 (() | 8-vson-clip (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 31A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 25a, 10V | 1.9V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 v | +16V, -12V | 2660 pf @ 12.5 v | - | 3.1W (TA) | |||||||||||
![]() | CSD17484F4 | 0.4800 | ![]() | 57 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | FEMTOFET ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | CSD17484 | MOSFET (금속 (() | 3- 시코스타 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 3A (TA) | 1.8V, 8V | 121mohm @ 500ma, 8v | 1.1V @ 250µA | 1.2 NC @ 4.5 v | 12V | 195 pf @ 15 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||
![]() | CSD25485F5 | 0.5300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | FEMTOFET ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | CSD25485 | MOSFET (금속 (() | 3- 시코스타 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.2A (TA) | 1.8V, 8V | 35mohm @ 900ma, 8v | 1.3V @ 250µA | 3.5 NC @ 4.5 v | -12V | 533 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||
![]() | CSD17507Q5A | 0.9100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD17507 | MOSFET (금속 (() | 8-vsonp (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 13A (TA), 65A (TC) | 4.5V, 10V | 10.8mohm @ 11a, 10V | 2.1V @ 250µA | 3.6 NC @ 4.5 v | ± 20V | 530 pf @ 15 v | - | 3W (TA) | |||||||||||
![]() | CSD75205W1015 | - | ![]() | 8868 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-UFBGA, DSBGA | CSD75205 | MOSFET (금속 (() | 750MW | 6-DSBGA (1x1.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 1.2A | 120mohm @ 1a, 4.5v | 850MV @ 250µA | 2.2NC @ 4.5V | 265pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||
TPS1100pw | 1.7900 | ![]() | 523 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | TPS1100 | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 150 | p 채널 | 15 v | 1.27A (TA) | 2.7V, 10V | 180mohm @ 1.5a, 10V | 1.5V @ 250µA | 5.45 nc @ 10 v | +2V, -15V | - | 504MW (TA) | |||||||||||||
![]() | TPS1101D | 2.6800 | ![]() | 105 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TPS1101 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 75 | p 채널 | 15 v | 2.3A (TA) | 2.7V, 10V | 90mohm @ 2.5a, 10V | 1.5V @ 250µA | 11.25 NC @ 10 v | +2V, -15V | - | 791MW (TA) | ||||||||||||
tps1101pwr | 0.9823 | ![]() | 9062 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | TPS1101 | MOSFET (금속 (() | 16-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | p 채널 | 15 v | 2.18A (TA) | 2.7V, 10V | 90mohm @ 2.5a, 10V | 1.5V @ 250µA | 11.25 NC @ 10 v | +2V, -15V | - | 710MW (TA) | |||||||||||||
![]() | ULN2803ADWRG4 | - | ![]() | 4620 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 18- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | ULN2803 | - | 18- SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 50V | 500ma | - | 8 npn 달링턴 | 1.6V @ 500µa, 350ma | - | - | |||||||||||||||
![]() | CSD25480F3T | 0.9500 | ![]() | 43 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | FEMTOFET ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | CSD25480 | MOSFET (금속 (() | 3- 시코스타 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 250 | p 채널 | 20 v | 1.7A (TA) | 1.8V, 8V | 132mohm @ 400ma, 8v | 1.2V @ 250µA | 0.91 NC @ 10 v | -12V | 155 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||
![]() | CSD17579Q5AT | 1.2900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD17579 | MOSFET (금속 (() | 8-vsonp (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | n 채널 | 30 v | 25A (TA) | 4.5V, 10V | 9.7mohm @ 8a, 10V | 2V @ 250µA | 15.1 NC @ 10 v | ± 20V | 1030 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | |||||||||||
![]() | CSD18511KC | 1.6900 | ![]() | 254 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | CSD18511 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 194a (TA) | 4.5V, 10V | 2.6mohm @ 100a, 10V | 2.4V @ 250µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 5940 pf @ 20 v | - | 188W (TA) | |||||||||||
![]() | CSD17312Q5 | 2.3000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD17312 | MOSFET (금속 (() | 8-vson-clip (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 38A (TA), 100A (TC) | 3V, 8V | 1.5mohm @ 35a, 8v | 1.5V @ 250µA | 36 NC @ 4.5 v | +10V, -8V | 5240 pf @ 15 v | - | 3.2W (TA) | |||||||||||
![]() | ULN2803ADWG4 | - | ![]() | 7375 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 자동차, AEC-Q100 | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 18- SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | ULN2803 | - | 18- SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 40 | 50V | 500ma | - | 8 npn 달링턴 | 1.6V @ 500µa, 350ma | - | - | |||||||||||||||
![]() | ULN2001AD | 0.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | * | 대부분 | 활동적인 | ULN2001 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 523 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SN75468NS | - | ![]() | 7870 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | SN7546X | 대부분 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) | SN75468 | - | 16- 형의 행위 | - | Rohs3 준수 | 296-SN75468NS | 1 | 100V | 500ma | - | - | 1.6V @ 500µa, 350ma | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | CSD23381F4T | 0.9400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | FEMTOFET ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | CSD23381 | MOSFET (금속 (() | 3- 시코스타 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 250 | p 채널 | 12 v | 2.3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 175mohm @ 500ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 1.14 NC @ 6 v | -8V | 236 pf @ 6 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||
![]() | CSD17577Q5A | 0.8200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD17577 | MOSFET (금속 (() | 8-vsonp (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 60A (TA) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 18a, 10V | 1.8V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2310 pf @ 15 v | - | 3W (TA), 53W (TC) | |||||||||||
![]() | CSD25480F3 | 0.4600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | FEMTOFET ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | CSD25480 | MOSFET (금속 (() | 3- 시코스타 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 1.7A (TA) | 1.8V, 8V | 132mohm @ 400ma, 8v | 1.2V @ 250µA | 0.91 NC @ 4.5 v | -12V | 155 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||
![]() | ULN2803AN-P | - | ![]() | 1762 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | * | 대부분 | 활동적인 | ULN2803 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-ULN2803AN-P-296 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
SN75468DE4 | - | ![]() | 4930 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | 자동차, AEC-Q100 | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | 75468 | - | 16- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 40 | 100V | 500ma | - | 7 npn 달링턴 | 1.6V @ 500µa, 350ma | - | - | ||||||||||||||||
![]() | CSD25310Q2T | 1.1600 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | CSD25310Q2 | MOSFET (금속 (() | 6- 웨슨 (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | p 채널 | 20 v | 20A (TA) | 1.8V, 4.5V | 23.9mohm @ 5a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 4.7 NC @ 4.5 v | ± 8V | 655 pf @ 10 v | - | 2.9W (TA) | |||||||||||
![]() | CSD19532Q5B | 2.6400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD19532 | MOSFET (금속 (() | 8-vson-clip (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 100A (TA) | 6V, 10V | 4.9mohm @ 17a, 10V | 3.2V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 20V | 4810 pf @ 50 v | - | 3.1W (TA), 195W (TC) | |||||||||||
![]() | CSD25404Q3T | 1.3800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | CSD25404 | MOSFET (금속 (() | 8-vsonp (3x3.15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | p 채널 | 20 v | 104A (TC) | 1.8V, 4.5V | 6.5mohm @ 10a, 4.5v | 1.15V @ 250µA | 14.1 NC @ 4.5 v | ± 12V | 2120 pf @ 10 v | - | 2.8W (TA), 96W (TC) | |||||||||||
![]() | CSD87330Q3D | 1.5600 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerldfn | CSD87330 | MOSFET (금속 (() | 6W | 8-LSON (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널 교량) | 30V | 20A | - | 2.1V @ 250µA | 5.8nc @ 4.5v | 900pf @ 15V | 논리 논리 게이트 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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